唐勇
- 作品数：34 被引量：357H指数：12
- 供职机构：中国人民解放军海军工程大学电气与信息工程学院舰船综合电力技术国防科技重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金创新研究群体科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术天文地球更多>>
- IGBT电压击穿特性分析被引量：31
- 2011年
- 针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)应用选型中长期以来采用经验的粗放式设计方法,本文基于IGBT结构和PN结雪崩击穿原理,分析了场终止型IGBT雪崩击穿电压的计算公式和测量方法。由于线路和器件内部分布电感的存在,开关时会产生一个电压尖峰,分析了IGBT过电压击穿特性和电压尖峰的抑制方法。针对通常认为一旦发生过电压击穿就会损坏器件的错误认识,分析了IGBT过电压击穿失效机理和失效模式,发现过电压击穿失效本质是由于热量累积引起结温上升的热击穿失效,失效模式初始表现为短路最终表现为开路,最后实验验证了IGBT具有可承受短时过电压击穿的能力。
- 汪波胡安唐勇陈明
- 关键词：IGBT雪崩击穿失效模式
- IGBT集电极漏电流特性及影响分析被引量：3
- 2011年
- 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)集电极漏电流是评价其性能的一个重要电气参数,反映的是正向阻断特性,与阻断电压和温度相关。基于IGBT结构和PN结反向电流原理,分析了IGBT集电极漏电流的组成特性,在低温阶段以阻断电压引起的产生电流为主,在高温阶段以温度引起的扩散电流为主,低温至高温的转变温度约为125℃,并从热平衡角度分析了集电极漏电流急剧增大带来的不利影响,最后通过实验验证了IGBT集电极漏电流的温度特性以及高温时引起热电正反馈导致器件损坏的不利影响。
- 汪波胡安唐勇陈明
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管温度
- 基于电热模型的IGBT结温预测与失效分析被引量：14
- 2012年
- 针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)工作过程中结温难以测量的问题,提出一种基于IGBT电热模型的结温预测方法,并对由结温过高引起的失效进行实验分析。根据IGBT结构特点建立通态压降模型,考虑到器件内部参数和半导体物理常数与温度的关系,建立IGBT导通功耗与结温关系的电热模型。通过联立IGBT结-壳传热方程和电热模型进行热平衡分析,从而得到稳态时的结温。实验结果表明,通过仿真得到的结温基本与实际测量得到的结温值相吻合,结温过大会导致电极根部焊料熔化和表面连接键丝断裂。所提方法通过监测壳温可实时预测IGBT结温,具有方便快捷的优点。
- 汪波胡安唐勇
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管热平衡结温
- 一种Hefner IGBT模型门极电容参数的提取方法被引量：1
- 2009年
- Hefner IGBT模型是迄今为止最全面、准确性较高的模型。其中驱动模型可用于研究驱动环境与IGBT开关暂态di/dt,du/dt之间的关系。该模型的准确性依赖于门极电容参数Cgs,Coxd的准确提取。采用一个电流源给IGBT门极充电,根据门极电压Vgs开通暂态特性,使用"直线拟合"的数据处理方法,可以方便地得到门极电容参数值。最后通过3组不同门极电流Ig作用下分别得到的门极电容参数值的比较,验证了该方法的正确性。
- 唐勇李平谢象佐
- 关键词：晶体管
- IGBT断态下瞬时开通机理与模型预测研究
- 2009年
- 针对IGBT断态下由外加dv/dt引起的瞬时开通现象,基于IGBT的工作机理与物理模型进行分析并建立预测模型,并且实现了模型所需参数的准确提取。并针对某型器件采用该模型进行仿真计算,计算结果与实验测量值具有较好的一致性,证明了该模型方法的准确性。该模型对于指导IGBT的工程应用具有实际价值。
- 唐勇陈明汪波
- 关键词：IGBT
- IGBT芯片测温方法与温度分布研究被引量：6
- 2013年
- 推导出红外探测温度与真实温度之间的关系.通过确定合适的发射率修正方法,得到了IG-BT芯片的真实温度分布,得出芯片中心温度高于边缘温度,纠正了以往对该问题的错误认识,通过发射率修正和实验数据验证了该结论的正确性.
- 刘宾礼陈明唐勇王阔厅
- 关键词：红外热成像温度分布
- 一种FS型IGBT开关瞬态模型建立方法
- 本发明提供了一种FS型IGBT开关瞬态模型的建立方法，通过采用一些新的模型方法与假设条件，建立了一种FS型IGBT的新型开关瞬态仿真模型，该模型根据FS型IGBT的结构特点和工作机理，在FS层内采用了大注入假设和双极输运...
- 唐勇孙驰胡安陈明汪波肖飞刘宾礼揭桂生
- 文献传递
- 一种提高电能变换装置功率密度的方法
- 一种提高电能变换装置功率密度的方法。本发明公开了一种基于热平衡分析的IGBT参数尽限使用设计方法，根据IGBT热击穿失效机理，采用建立的IGBT电热模型仿真得到在给定参数条件下的导通功耗、开关功耗和断态功耗的温度曲线，相...
- 唐勇汪波孙驰胡安陈明肖飞刘宾礼罗毅飞
- 文献传递
- IGBT结温及温度场分布探测研究被引量：13
- 2011年
- 绝缘栅双极型晶体管I(GBT)采用传统的集总参数热路法只能得到一个平均结温,不能获得芯片表面的温度场分布,因此有必要开展结温探测及温度场分布研究。先在数值仿真软件ANSYS热仿真分析环境里采用有限单元法(FEM)得到模块温度场分布,利用红外热成像仪探测IGBT模块芯片表面结温,获得了结温瞬态温度场分布,分析了结温温升及温度场分布特征,可知高温区域出现在芯片边缘及引线键合焊点处。以上分析对研究该类电力电子器件工作结温温升和芯片表面温度分布及散热设计具有较高的指导价值。
- 陈明胡安唐勇汪波
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管结温温度场分布
- IGBT关断瞬态过压击穿特性研究被引量：5
- 2011年
- 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)过压击穿是一种常见的失效方式,由于线路和器件内部分布杂散电感,关断瞬态时会产生过大的电压尖峰从而引起过压击穿,通常误认为一旦发生过压击穿IGBT就会发生破坏性失效。针对此问题,基于IGBT结构和PN结雪崩电压击穿特性,从理论和实验出发研究了IGBT发生过压击穿时的工作特性和失效机理,说明了过压击穿引起的失效本质仍然是结温过高的热失效,最后通过实验证明IGBT可承受短时过压击穿。
- 汪波胡安唐勇陈明
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管电压击穿
