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张涛

作品数:33 被引量:22H指数:3
供职机构:河南师范大学更多>>
发文基金:基础研究重大项目前期研究专项更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程文化科学更多>>

文献类型

  • 32篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 23篇理学
  • 5篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 15篇化学吸附
  • 9篇金属
  • 9篇半导体
  • 7篇格林函数
  • 7篇函数
  • 7篇CO
  • 5篇催化
  • 5篇催化剂
  • 5篇H
  • 4篇导体
  • 4篇电子态
  • 4篇
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  • 3篇杂质对
  • 3篇晶格
  • 3篇PT
  • 2篇担载
  • 2篇电荷
  • 2篇电子态密度
  • 2篇原子

机构

  • 32篇河南师范大学
  • 2篇复旦大学
  • 2篇郑州轻工业学...
  • 1篇河南大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇郑州大学
  • 1篇商丘职业技术...
  • 1篇滑铁卢大学

作者

  • 33篇张涛
  • 6篇戴宪起
  • 6篇张耀举
  • 6篇杨宗献
  • 5篇危书义
  • 5篇王勉
  • 3篇徐国定
  • 3篇孙建军
  • 1篇王福合
  • 1篇蔡政亭
  • 1篇陆栋
  • 1篇关大任
  • 1篇孙长青
  • 1篇张瑞勤
  • 1篇祝福

传媒

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  • 1篇郑州轻工业学...
  • 1篇河南师范大学...
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  • 1篇第七届全国凝...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2007
  • 2篇1998
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 4篇1993
  • 7篇1992
  • 4篇1991
  • 6篇1990
  • 6篇1989
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氢分子在Cu(100)表面的解离吸附
张涛谢建学
关键词:表面性质
Pt中杂质对Pt-Si界面电子态的影响
1992年
用一维紧束缚近似和格林函数方法研究了金属中的替位杂质对金属Pt与半导体Si所形成界面电子态的影响。结果表明,当杂质的有效轨道能级△ε>0时,杂质的存在使得共振界面态密度减小,从金属流入半导体内的电荷减少;当△ε<0时,杂质的存在使得共振界面态密度增大,从金属流入半导体内的电荷增加。计算结果还表明,当△ε>0时,使孤立界面态能级下移;当△ε<0时,使孤立界面态能级上移。
孙建军张涛
关键词:格林函数半导体
覆盖度对化学吸附的影响
1998年
运用格林函数方法,在紧束缚近似下讨论了一氧化碳在具有面心立方结构金属(Ni,Pd,Pt)密排面上的化学吸附能随覆盖度θ的变化关系,并与实验值作了比较。
危书义戴宪起张涛
关键词:覆盖度化学吸附格林函数
H、O、CO、NO在Ni、Pt(111)面上吸附结构研究
1998年
利用紧束缚模型和单电子理论研究了H、O、CO和NO在Ni(111)和Pt(111)面上的吸附特性及吸附层结构,结果表明:在Ni、Pt面上吸附质间的间接相互作用能随着吸附质间的距离呈振荡性衰减趋势,在不同覆盖度下具有不同的吸附结构,其结果与实验结果相一致。
戴宪起危书义张涛
关键词:覆盖度
小分子在Pd(100)面上的共吸附被引量:2
1990年
本文应用紧束缚模型和单电子理论研究了几种小分子在Pd(100)面上的共吸附特性,结果表明:在Pd(100)面上两个吸附分子(或吸附原子)间的间接相互作用随吸附质与衬底之间的耦合强度的减小呈现振荡性衰减的趋势,并且,当O_2或H_2存在时,NO在Pd(100)面上的解离将受到影响,此外,根据两吸附质之间的间接相互作用,推断出一些吸附层结构,这些结果与实验结果作了比较。
张耀举路文昌张涛
关键词:小分子PD共吸附紧束缚模型
杂质对担载式催化剂化学吸附的影响
1990年
本文采用化学吸附的格林函数理论和复能量积分方法研究H在担载式催化剂ZnO/Ni上的化学吸附,使用由s轨道和p轨道交迭排列的有限原子链和由d轨道组成的半无限原子链,以描述半导体ZnO和金属Ni构成的复合衬底,用Koster-Slater模型来表示杂质原子,分别研究了化学吸附能随ZnO层厚度的变化和化学吸附能与掺杂的关系,结果表明:1)H的化学吸附能随ZnO层数的增加而单调地减小;2)在Ni中掺入杂质Cu和Pt会削弱H的化学吸附,而掺入Co和W将加强H的吸附;3)Ni中的杂质位于界面附近时对化学吸附能的影响最大。
张涛康敏成路文昌
关键词:催化剂化学吸附
双金属催化剂表面上的化学吸附被引量:1
1990年
本文应用Einstein和Schrieffer的化学吸附理论和复平面能量积分技术研究了紧束缚近似下原子(或分子)吸附在双过渡金属(纯净的和含杂的)上的化学吸附特征。对杂质,本文用了Koster和slater模型。数值运算例子通过对CO分别吸附在Ni/Cu、Cu/Ni、Cu/Ni(C_0)和Cu/Ni(Cu)上而给出。
张耀举张涛
关键词:双金属催化剂催化剂
H在含杂过渡金属表面化学吸附的DV—X_α方法研究
1989年
本文把量子化学中的DV—X_α方法运用于掺杂过渡金属表面化学吸附的研究。用此方法计算了H在含杂W(100)面顶位吸附的电子结构、吸附体系的分子轨道能级和电子态密度以及杂质原子Re和Ta对化学吸附的影响。
戴宪起张涛王勉关大任张瑞勤蔡政亭
H在Pt/Si上的化学吸附对Pt/Si界面特性的影响
1992年
本文在一维紧束缚近似下,利用格林函数方法和复能积分技术,研究了H在 Pt/Si上的化学吸附对 Pt/Si界面特性的影响。分别以紧束缚的 d轨道模型和sp杂化轨道模型描述金属 Pt和衬底Si,计算了在H被吸附前、后 Pt/Si的界面能和吸附前、后 Pt的厚度对局域在Si一边的界面电子态密度的影响.
徐国定张涛
关键词:化学吸附金属硅化物
氢在担载金属表面的吸附研究
1993年
应用格林函数方法在紧束缚近似下研究了氢在担载金属表面的吸附性质。采用自洽的Anderson-Newns吸附模型,对氢在Pt/ZnO,Cu/ZnO和Ni/ZnO三种担载式复合体系表面的吸附能△E、吸附态能级E_(ad)作了计算,并讨论了金属簿层在ZnO衬底上的沉积厚度及金属-衬底相互作用对氢在该类复合体系表面的吸附性质的影响。计算表明,金属-衬底相互作用越强,氢在Pt(Cu,Ni)/ZnO体系表面的吸附能及电荷转移量越小。金属-衬底相互作用抑制了氢在金属表面的吸附。衬底对金属表面吸附性质的影响随金属层厚度的增加而减弱。
谢剑钧张涛路文昌
关键词:金属格林函数
共4页<1234>
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