张禹
- 作品数：29 被引量：38H指数：4
- 供职机构：北京科技大学应用科学学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化被引量：4
- 2008年
- 根据现有氮化镓（GaN）金属有机物化学气相淀积（Metalorganic Chemical Vapor Deposition）生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOCVD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟。结果表明,在950-1350 K的温度范围内反应气体充分热分解,是适合GaN外延生长的温度区间;温度低于950 K,反应气体未能充分地分解,导致较低的生长速率;而温度高于1350 K则Ga组分的脱附现象开始变得严重,从而抑制GaN的生长速率。另一方面,较高的V/III也会抑制GaN的生长速率。生长过程中表面形貌随时间的演变结果显示,GaN薄膜在高温下（1073~1473 K）为2D层状生长,在1373 K的温度下生长的GaN薄膜表面最为平整。
- 符凯张禹陈敦军韩平谢自力张荣
- 关键词：氮化镓计算流体力学
- 化学气相沉积单晶金刚石膜同质外延生长过程的动力学蒙特卡罗仿真:原子尺度三维动态可视化图像模型
- 本文运用经作者改进后的动力学Monte Carlo仿真方法,通过自行编制的具有独立自主产权的算法及Visual C软件模块,对原子尺度的CVD单晶金刚石膜垂直于{111}、{110}和{100}晶面的同质外延生长过程进行...
- 张禹刘国权安希忠秦湘阁
- 关键词：金刚石薄膜化学气相沉积
- 文献传递
- 化学气相沉积金刚石膜生长过程的计算机仿真及可视化
- 张禹
- 关键词：化学气相沉积金刚石膜
- 金刚石膜的计算机虚拟制备技术中的分子动力学模拟被引量：3
- 2002年
- 综述了近年来金刚石薄膜形成过程的分子动力学(MolecularDynamics ,简称MD)模拟研究 ,详细地阐述了原子间相互作用势的选取 ,总结了不同沉积条件下MD的计算模型和几种典型情况下的模拟结果。研究表明 :在原子尺度上 ,MD方法能较全面地提供有关膜生长的信息 ,对进一步了解金刚石膜形成的微观机制以及为细观层次仿真提供基本信息均具有重要意义。
- 安希忠刘国权张禹秦湘阁刘俊友
- 关键词：金刚石膜分子动力学模拟
- CVD金刚石膜{100}取向在改进化学反应模型下生长的原子尺度模拟被引量：4
- 2002年
- 建立了CVD金刚石膜狖100狚取向生长过程中的化学反应模型,表面吸附生长机制以沟槽处碳氢组元加入的机制为主,并用改进的KMC方法在原子尺度上模拟了该模型下(100)表面的生长过程,给出了衬底温度和甲基浓度等操作参数对膜质量的影响。结果表明,该化学反应模型能够较实际地揭示狖100狚取向CVD金刚石膜的生长。
- 安希忠张禹刘国权秦湘阁王辅忠刘胜新
- 关键词：CVD金刚石膜原子尺度
- 矿井综合防尘数据库及定量评价系统的设计研究
- 张禹
- 关键词：综合防尘数据库层次分析法
- 晶间界面附近区域中的弹性场——各向异性理论
- 1992年
- 根据现代关于晶间界面的研究可知,晶界和相界多具有二维周期结构。由此出发,采用Fourier级数展开的表示,在给定了界面结构,在数学上即是形式地给定了边界条件的情况下,求出了两个各向异性物相间相界附近的弹性场。并以Ni中扭转晶界为例,作了应力场的数值计算。本文的方法和方程对于研究各种类型的晶界和相界均普遍可用,为处理这类问题提供了一种有效的简捷手段。
- 杨顺华李国旺张禹
- 关键词：晶粒间界各向异性弹性场
- AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长被引量：3
- 2005年
- 文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的A lxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备。通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了A lxGa1-xN/GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌。
- 李亮张荣谢自力张禹修向前姬小利刘成祥毕朝霞陈琳周建军刘斌韩平江若琏顾书林施毅龚海梅郑有炓
- 关键词：ALGANGAN分布布拉格反射镜MOCVD
- GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长工艺参数的变化
- 本工作根据现有GaN 金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)生长动力学理论，结合具体的MOCVD 反应腔体的构造，用计算流体力学和动力学蒙特卡罗...
- 符凯张禹陈敦军韩平谢自力王荣华张荣郑有炓
- 关键词：金属有机物化学气相淀积生长速率表面形貌氮化镓薄膜
- 文献传递
- MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征被引量：2
- 2005年
- 本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程。通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少。
- 李亮张荣谢自力张禹修向前刘成祥毕朝霞陈琳刘斌俞慧强韩平顾书林施毅郑有炓
- 关键词：MOCVD缓冲层
