徐世六
- 作品数：106 被引量：123H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 采用采样开关线性增强技术的12位100MS/s SAR ADC被引量：1
- 2020年
- 提出了一种采用采样开关线性增强技术的12位100 Ms/s SAR模数转换器(ADC)。首先采用了一种基片浮动技术,随着输入信号的变化,采样开关的寄生电容变化减小,总寄生电容降低。其次采用了一种采样开关基片升压技术,降低了采样开关的导通阻抗。最后,采用40 nm CMOS工艺制作了一种12位100 MS/s SAR ADC。测试结果表明,在电源电压1 V下,该ADC的SNDR为64.9 dB,SFDR为83.2 dB,消耗功率为2 mW。该ADC的核心电路尺寸为0.14μm×0.14μm。FoM值为13.8 fJ/(conv·step)@Nyquist频率。
- 戴永红徐代果蒲杰徐世六张建平张俊安王健安
- 关键词：模数转换器
- 一种高速动态比较器及逐次逼近型模数转换器和电子设备
- 本发明公开了一种高速动态比较器，包括输入NMOS管M1/M2，由NMOS管M4/M5和PMOS管M7/M8构成的锁存器结构，由NMOS管M6和PMOS管M9构成的复位控制开关，由NMOS管M3/M10/M11构成的下拉管...
- 徐代果徐世六陈光炳刘涛刘璐邓民明石寒夫王旭
- 文献传递
- 一种新型半绝缘键合SOI结构被引量：2
- 2006年
- 报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大于85%,Si—Si键合界面接触比电阻小于5×10-4Ω·cm2.这种新结构可以广泛用于高低压功率集成电路、高可靠集成电路、MEMS、硅基光电集成等新器件和电路中.
- 谭开洲冯建刘勇徐世六杨谟华李肇基张正璠刘玉奎何开全
- 关键词：硅片键合
- 一种高速低功耗动态亚稳态抑制比较器
- 本发明提供一种高速低功耗动态亚稳态抑制比较器，包括：输入单元，输出单元，锁存器，上拉锁存单元，下拉单元和亚稳态抑制单元，当比较器出现亚稳态状态时，所述亚稳态抑制单元根据输出单元的输出信号，控制比较器进入复位状态；本发明通...
- 徐代果胡刚毅李儒章王健安陈光炳王育新付东兵徐世六刘涛蒲杰陈凯让
- 文献传递
- 一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究被引量：2
- 2008年
- 利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点,初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流,该电流不能简单地从I-V曲线上定量分辨出来.
- 谭开洲胡刚毅杨谟华徐世六张正璠刘玉奎何开全钟怡
- 关键词：亚阈值电流X射线辐射电离辐射
- 基于电荷泵结构的低功耗残差放大器
- 本发明提供一种基于电荷泵结构的低功耗残差放大器，其第一开关的一端作为第一输入端，连接第一差分输入信号，另一端连接第一电容的上极板；第二开关的一端连接第一电容的上极板，另一端连接第二电容的上极板；第三开关的一端作为第二输入...
- 徐代果胡刚毅徐世六李儒章王健安陈光炳付东兵刘涛陈凯让
- 文献传递
- 一种基于熔丝修调技术的集成电路自毁电路及方法
- 本发明公开了基于熔丝修调技术的集成电路自毁电路，接收模块，用于接收自毁命令和自毁密码；密码校验模块，用于完成自自毁密码校验防止误触发自毁；熔丝触发电路，用于在密码校验通过后向触发自毁控制模块发出触发信号；触发自毁控制模块...
- 张俊安臧剑栋张培健袁浚吴雪张正元徐世六李广军
- 真空微电子压力传感器的研究
- 压力是过程自动化五大参量中的首要参量，作为压力信息获取的核心元件的压力传感器，在石油、化工、冶炼、电力、仪器仪表、机械、汽车、智能结构、航空航天、国防等领域中是必不可少、量大面广的基础元件，它已经成为现代信息技术的重要组...
- 徐世六
- 关键词：真空微电子压力传感器场致发射MEMS
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- 一种部分绝缘层上硅材料结构及制备方法
- 一种部分绝缘层上硅材料结构，包括三层，第一层为支撑硅片层，第三层为器件层，其特征是，它还包括起键合和导电作用的多晶硅中间层，多晶硅层中勘入了一层开有一个或多个窗口的纵向隔离介质层，器件层中可以包含一个或多个位于纵向隔离介...
- 谭开洲杨谟华刘勇徐世六冯建杨洪东于奇李竟春
- 文献传递
- 一种高速低噪声动态比较器
- 本发明提供一种高速低噪声动态比较器，包括：输入单元，所述输入单元包括输入NMOS管和输入PMOS管，锁存器单元，所述锁存器单元包括锁存NMOS管和锁存PMOS管，所述锁存NMOS管和锁存PMOS管连接形成锁存器结构；上拉...
- 徐代果胡刚毅李儒章王健安陈光炳付东兵徐世六刘涛蒲杰冯志华
- 文献传递
