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徐青

作品数：10 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 7篇LDMOS器...
  • 6篇半导体
  • 3篇电阻
  • 3篇有源层
  • 3篇功率器件
  • 3篇半导体功率器...
  • 2篇导电类型
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电路
  • 2篇结型
  • 2篇金属
  • 2篇击穿电压
  • 2篇集成电路
  • 2篇功率集成
  • 2篇功率集成电路
  • 2篇反向偏置
  • 2篇半导体技术
  • 2篇比导通电阻
  • 2篇SOI

机构

  • 10篇电子科技大学

作者

  • 10篇徐青
  • 7篇张波
  • 7篇罗小蓉
  • 7篇魏杰
  • 6篇尹超
  • 5篇张彦辉
  • 4篇周坤
  • 3篇李鹏程
  • 2篇王骁玮
  • 2篇罗尹春
  • 2篇刘建平
  • 2篇范远航
  • 2篇范叶
  • 2篇李肇基
  • 2篇马达

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2008
  • 1篇2002
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
广域高速寻呼技术研究及网络优化
该文在对广域高速寻呼网络的核心技术作较深入研究的基础上,探讨了198/199寻呼网络在实际运营中的网络优化问题.198/199广域高速寻呼网采用无级式网络结构,300多个寻呼区通过VSAT通信网络两两互联成为网状网.每个...
徐青
关键词：高速寻呼广域联网
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一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层注入离子形成介质隔离层...
罗小蓉张彦辉刘建平谭桥尹超魏杰周坤马达徐青张波
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一种横向SOI功率LDMOS器件
一种横向SOI功率LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。器件包括衬底、介质埋层及其上的半导体有源层，半导体有源层中形成槽型辅助积累结构，槽型辅助积累结构两侧为漂移区。槽型辅助积累结构由两层槽型隔离介质中间夹一层半导...
罗小蓉田瑞超魏杰李鹏程徐青石先龙尹超张波
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一种具有延伸栅结构的SOI LDMOS器件
一种具有延伸栅结构的SOI LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规SOI LDMOS器件漂移区表面引入从多晶硅栅延伸至漏电极的延伸栅结构。在延伸栅结构中引入在器件开态时反向偏置的PN结来减小泄漏电流。延...
罗小蓉李鹏程田瑞超徐青张彦辉魏杰石先龙张波
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基于均匀圆阵的DOA估计算法研究
阵列信号处理是信号处理领域内的一个重要分支，其最主要的两个研究方向是自适应空域滤波(自适应阵列处理)和空间谱估计。在空间谱估计研究中，利用均匀圆阵列天线(UCA)进行到达角估计在军用及民用方面具有广泛的应用前景。因此本文...
徐青
关键词：DOA估计算法信号处理计算机仿真
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槽型高压低功耗横向MOSFET研究
横向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，LDMOSFET）作为功率集...
徐青
关键词：LDMOS器件击穿电压比导通电阻功率集成电路
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一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层注入离子形成介质隔离层...
罗小蓉张彦辉刘建平谭桥尹超魏杰周坤马达徐青张波
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一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件
一种具有结型场板结构的SOI功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。这种JFP SOI LDMOS器件采用PN结作为场板，并利用高K介质作为场板介质。一方面，结型场板的PN结电场调制器件表面电场，改善器件的电场分...
罗小蓉罗尹春范远航徐青魏杰范叶王骁玮周坤张彦辉尹超张波李肇基
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一种具有结型场板的功率LDMOS器件
一种具有结型场板的功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规LDMOS器件的衬底中形成与衬底掺杂类型相反的埋层，在器件漂移区表面形成由PN结构成的结型场板。本发明利用结型场板中PN结电场分布调制器件表面...
罗小蓉魏杰罗尹春范远航徐青范叶王骁玮周坤张彦辉尹超张波李肇基
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一种横向SOI功率LDMOS器件
一种横向SOI功率LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。器件包括衬底、介质埋层及其上的半导体有源层，半导体有源层中形成槽型辅助积累结构，槽型辅助积累结构两侧为漂移区。槽型辅助积累结构由两层槽型隔离介质中间夹一层半导...
罗小蓉田瑞超魏杰李鹏程徐青石先龙尹超张波
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