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房华

作品数：3 被引量：5H指数：2
供职机构：复旦大学信息科学与工程学院电子工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇引导式
  • 1篇浅结
  • 1篇人机
  • 1篇人机交互
  • 1篇人机交互界面
  • 1篇自对准
  • 1篇化物
  • 1篇基于知识
  • 1篇交互界面
  • 1篇固相
  • 1篇固相反应
  • 1篇固相外延
  • 1篇固相外延生长
  • 1篇硅化物
  • 1篇N+
  • 1篇N^+
  • 1篇SI
  • 1篇TI
  • 1篇CAD
  • 1篇CO

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇房华
  • 2篇李炳宗
  • 1篇吴卫军
  • 1篇杨玲
  • 1篇黄维宁
  • 1篇茹国平
  • 1篇邵凯
  • 1篇屈新萍
  • 1篇张悦秋
  • 1篇刘平
  • 1篇周祖尧
  • 1篇顾志光
  • 1篇朱剑豪
  • 1篇姜国宝
  • 1篇童家榕

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇计算机辅助设...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1997
  • 1篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于知识的引导式图形人机交互界面的设计被引量：2
1997年
近年来，在ＣＡＤ领域中，一个软件成功与否，很大程度上取决于人机接口设计的好坏，以及它是否方便用户进行设计工作。在探讨了人机界面模型和交互技术的发展之后，基于知识推理和面向对象的概念，在事件栈的结构之上，提出了一种引导式图形界面交互模型ＳＲＴ，并由此给出了一种新的交互技术。文中给出了ＳＲＴ的模型介绍。基于ＳＲＴ模型，我们开发了ＩＣＳＤＥ系统中ＩＣ－ＣＡＤ软件文档设计的支持系统ＳＤＤＴ。它集一个精简的专家系统和一个图形文档编辑器ＳＤＧＴ以及一个字符文档设计编辑器ＳＤＤＴ为一体，辅助用户进行ＩＣ－ＣＡＤ软件文档的设计。
杨玲房华张悦秋童家榕
关键词：产生式规则交互界面CAD
固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n^+p浅结技术研究被引量：3
1996年
通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层结构因相反应得到的外延ＣｏＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结．研究了Ｃｏｓｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性、注入杂质退火时的再分布特性和形成的ｎ＋ｐ浅结特性．实验结果表明：外延ＣｏＳｉ２层在非晶化后能有效地再结晶；Ａｓ原子在多晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构和单晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构中有着不同的再分布特性；同相应的以多晶ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结相比，以外延ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结反向漏电小１～２个数量级，并表现出优良的击穿特性．
房华李炳宗吴卫军邵凯姜国宝顾志光黄维宁刘平周祖尧朱剑豪
关键词：固相外延生长
用于自对准提升硅化物结构的Co/Si/Ti/Si及Co/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究
2000年
为了减小硅化物形成过程中消耗的衬底硅，提出添加非晶Ｓｉ的新方法，并探索了Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ及Ｃｏ／Ｓｉ（×７）／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜固相反应的两种途径．实验采用四探针、ＸＲＤ、ＲＢＳ等多种方法对固相反应过程进行了研究，对反应形成的ＣｏＳｉ２ 薄膜进行了测试分析，并探索了在ＳｉＯ２／Ｓｉ及图形片上的选择腐蚀工艺．结果表明，当选择合适的Ｃｏ∶Ｓｉ原子比，恰当的两步退火方式及选择腐蚀溶液，两种方法都可以形成自对准硅化物结构．研究了这两种固相反应过程，发现在一定的Ｃｏ∶Ｓｉ原子比范围内，这两种方法制备的ＣｏＳｉ２ 薄膜都有一定的外延特性，其中第一种途径得到的ＣｏＳｉ２
屈新萍茹国平刘建海房华徐鸿涛李炳宗
关键词：固相反应硅化物
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