李月法
- 作品数：3 被引量：3H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究被引量：2
- 2003年
- 在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质。结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构,分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的。
- 武光明朱江李月法贾锐
- 关键词：材料科学基础学科光致发光光谱
- InAs自组织量子点(线)的制备和表征被引量：3
- 2002年
- 在InP（001）基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析,认为衬底旋转时浸润层三角形状的台阶为InAs量子线的成核提供了优先条件,停止衬底旋转时InAlAs缓冲层沿[110]方向分布的台阶促使InAs优先形成量子点.讨论了量子点和量子线的形成机理.
- 武光明李月法贾锐
- 关键词：INAS自组织量子点分子束外延生长砷化铟半导体
- InP基半导体低维结构材料的分子束外延生长和性质研究
- 该文采用MBE生长技术制备了高质量的InAs/InP量子点材料,并对其结构、光学性质等进行了深入系统的分析,取得以下主要成果.(1)在InP(001)衬底上设计了生长InAs纳米结构材料.(2)在(001)InP衬底上首...
- 李月法
- 关键词：光学性质INAS量子点自组织生长
