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林信南

作品数：65 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
发文基金：广东省教育部产学研结合项目广东省自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 59篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 25篇晶体管
  • 14篇场效应
  • 12篇场效应晶体管
  • 10篇介质层
  • 9篇电极
  • 8篇电路
  • 8篇势垒
  • 8篇漏极
  • 8篇沟道
  • 7篇栅极
  • 7篇肖特基
  • 6篇导通
  • 6篇源极
  • 6篇结型
  • 6篇结型场效应
  • 6篇金属
  • 6篇金属电极
  • 6篇掺杂
  • 5篇碳化硅
  • 5篇刻蚀

机构

  • 65篇北京大学

作者

  • 65篇林信南
  • 9篇何进
  • 9篇楼海君
  • 6篇江兴川
  • 5篇李大刚
  • 4篇李冰华
  • 4篇李志贵
  • 3篇朱晓阳
  • 3篇孟航
  • 2篇吴佳珍
  • 2篇李丹
  • 2篇汪洋
  • 2篇魏益群
  • 2篇黄宇聪
  • 2篇张志远
  • 2篇王伟
  • 1篇牛旭东
  • 1篇宋岩
  • 1篇陈小刚
  • 1篇胡晓程

传媒

  • 1篇电源技术应用
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇变频技术应用

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 8篇2022
  • 4篇2021
  • 5篇2020
  • 14篇2019
  • 10篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 6篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 65 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种便于识别的碳化硅外延片圆片制备方法
本申请公开了一种便于识别的碳化硅外延片圆片制备方法。本申请的制备方法包括，在对碳化硅外延片圆片进行光刻机光刻曝光的过程中，将某一次或某几次的曝光图形旋转大于0度、小于360度的角度，根据被旋转的曝光图形所在的位置或旋转的...
林信南刘美华
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一种集成电路器件神经网络建模样本选择方法及装置
本申请公开了一种集成电路器件神经网络建模样本选择方法及装置，对于平均影响值最大的输入变量，通过将该输入变量的区间不断地均等划分，直到所有划分出的区间的相对误差都小于或等于预设的误差精度时才停止均等划分动作，并输出划分出的...
林信南张志远
栅极区域图形化的高电子迁移率晶体管器件及制作方法
本发明公开了一种栅极区域图形化的高电子迁移率晶体管器件及其制作方法，该方法包括：准备GaN外延片；在GaN外延片的上表面上形成掩膜层；在掩膜层预设形成栅极的区域上开设多个掩膜层开孔；在GaN外延片上形成图形化栅极区域；去...
孙辉刘美华林信南陈东敏
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基于分离存储的文件信息存储方法和文件信息读写方法
本发明提供一种基于分离存储的文件信息存储方法和文件信息存储方法，所述文件信息存储方法包括以下步骤：检测记录步骤，检测文件中是否存在元数据存放地址的记录，否则跳至新建记录步骤，是则在记录有效时访问并读回元数据和抽取数据；更...
李大刚汪洋林信南朱晓阳
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一种内建SBD保护结构的SiC-TMOS器件及其制作方法
一种内建SBD保护结构的SiC‑TMOS器件及其制作方法，该SiC‑TMOS器件包括自下而上设置的N+基底、N‑漂移层，还包括AOD层和第一金属层，AOD层设于N‑漂移层的上表面并与第一金属层接触形成SBD，在AOD层的...
林信南钟皓天
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一种DMOS器件及其制造方法
本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种DMOS器件及其制造方法，其中该器件包括半导体衬底，还包括：设置在衬底上的外延层、形成在外延层内的有P型体区以及P型体区内的N型源区；P型体区表面设置有多条沟槽；还包括形成在多条沟槽...
林信南董宁钢
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一种GaN MOS‑HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN MOS‑HEMT器件及其制备方法，该方法为：在GaN外延片上沉积氮化硅介质层，保护材料表面；刻蚀形成栅极窗口；在氮化硅介质层表面和栅极窗口内沉积多晶硅层；将多晶硅层氧化为SiO<Sub>2</Su...
孙辉刘美华林信南陈东敏
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一种GaN基HEMT器件及其制备方法
一种GaN基HEMT器件及其制备方法，由于GaN基HEMT器件的栅结构采用三掩膜版结构(3‑mask)，即在栅金属层和p‑GaN帽层增加一层金属层，可以显著降低栅阻，增加场板设计的灵活性。使得器件在高VDS下减少动态通断...
林信南黄樟伟
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一种文件安全存取方法、终端设备及专用存储装置
一种文件安全存储方法，该方法包括：终端设备根据预设分拆算法将待上传的源文件分拆为多个一级分拆文件(201)；终端设备将所述多个一级分拆文件中的一部分上传至云存储服务器，另一部分用于发送给专用存储装置(202)；终端设备接...
林信南李大刚魏益群吴大畏陈小刚宋志棠朱晓阳张鹏程孙巍
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一种超结绝缘栅双极型晶体管
本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区，有源区包括P阱体区，P+阱区和N+阱区；P型衬底下端设置有电极，作为集电极引出；P型衬底上端为N型基区，N型基区内部一侧设置有P柱，P柱上方设...
吴佳珍江兴川李志贵林信南何进
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