林金庭
- 作品数：101 被引量：139H指数：7
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学经济管理更多>>
- Si衬底上汽相生长GaAs获重大突破
- 1987年
- 由于硅具有高热导、良好的机械强度、高完整性及低廉的价格;发展GaAs/Si异质外延技术对于开拓Si集成和GaAs集成兼容电路有着宽广的应用前景。所以,在非极性半导体Si单晶上外延生长极性半导体GaAs单晶薄膜成为国际上最引入注目的研究课题之一。 文献中报道了许多异质外延GaAs/Si方面的研究工作,那是用MBE和MOCVD技术进行的。还有学者强调,异质外延GaAs/Si的唯一限制是必须采用MBE系统。
- 黄善祥林金庭刘良俊
- 关键词：GAASSI晶体生长衬底基片
- 4 W GaAs X/Ku波段单片功率放大器
- 1997年
- 采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效率≥22％（11GHz时达30％）。
- 李拂晓孙玉芳陈克金蒋幼泉陈堂胜林金庭
- 关键词：砷化镓离子注入单片功率放大器
- MBE技术在我国微波应用领域的实用化及其展望
- 陈效建林金庭杨乃彬
- 关键词：MBE技术
- C波段单片矢量调制器
- 1993年
- 随着微波单片集成技术的发展。高精度移相器已成为各种微波整机系统的关键技术之一。矢量调制器能在获得连续可变的相移量的同时。又能满足幅度控制、移位精度控制和解决多位数字移相器级联的要求。由于单片集成矢量调制器具有宽带、连续可调、尺寸小和可成批生产的优点,受到人们特别的重视。 矢世调制器的基本原理是利用调节两个相互正交的矢量来改变合成矢量的相位,从而获得连续变化的相移量。由矢量相加运算法则可知。只要使两个相互正交矢量的幅度取适当值,就可在获得连续变化相移量的同时保持输出幅度不变。本文就是基于这一原理,对单片矢量调制器的电路形式、工艺实现方法进行了原理性的研究。 由于双栅FET的第二栅的特殊作用,使它特别适合用于增益控制的宽带放大器。本文采用两个双栅FET可变增益放大器来控制两个相互正交的矢量幅度,而放大器的增益还可用于减少整个电路的插损。在研制初期,为了使电路简化,采用λ/4微带线来得到两个矢量间的90°相位差。矢量的分离和合成用两个Wilkinson同相功分器实现。
- 沈亚过常宁陈克金林金庭
- 关键词：C波段矢量调制器移相器
- 微波单片有源滤波器负阻电路的实现方法被引量：1
- 1995年
- 论述了用于微波单片有源滤波器负阻电路的实现方法，给出了三种由单管ＦＥＴ构成的负阻电路，以及用ＭＭＩＣ工艺能够实现的矩形螺旋电感与ＦＥＴ实现的负阻电路，并对电路进行了详细的分析与计算机模拟，分析与模拟结果显示用单管ＦＥＴ实现的负阻电路结构简单，在谐振频率点，最大负阻值可达几千欧姆，而且，综合出的负阻电路完全可以用现有的ＭＭＩＣ工艺实现，为进一步设计微波有源滤波器打下了良好的基础。
- 孙晓玮罗晋生林金庭
- 关键词：有源滤波器负阻电路微波网络
- 单片行波功率放大器被引量：2
- 1996年
- 单片行波功率放大器陈雪军，林金庭，陈克金（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＴｒａｖｅｌｉｎｇＷａｖｅＰｏｗｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ￥ＣｈｅｎＸｕｅｊｕｎ；ＬｉｎＪｉｍｉｎｇ；ＣｈｅｎＫｅｊｉｎ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ...
- 陈雪军林金庭陈克金
- 关键词：单片行波放大器功率放大器
- 一种新颖的DC～50GHz低相移MMIC可变衰减器
- ＜正＞1.引言GaAs MMIC控制电路由于其体积小、重量轻、开关速度快、抗辐射、可靠性高、几乎无功耗等显著优点在许多电子系统和设备中获得广泛地应用。众所周知,在现代先进的移动通信等系统（如空间分集智能天线和相控阵系统）...
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 文献传递
- 一种新颖的DC-50GHz低插入相移MMIC可变衰减器
- 2002年
- 介绍了一种新颖的DC-50GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作,获得了优异的电性能.微波探针在片测试结果为:在DC-50GHz频带内,最小衰减≤3.8dB,最大衰减≥35±5dB,最小衰减时输入/输出驻波≤1.5,最大衰减时输入/输出驻波≤2.2,衰减相移比≤1.2°/dB.芯片尺寸为2.33mm×0.68mm×0.1mm.芯片成品率高达80%以上,工作环境温度达125℃,可靠性高,稳定性好.
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路超宽带相移可变衰减器
- 应用Volterra级数分析AlGaAs/GaAsHBT的三阶互调失真被引量：1
- 1998年
- 分析了AlGaAs／GaAsHBT的非线性失真产生的机理,应用Volterra级数理论计算了AlGaAs／GaAsHBT的三阶互调失真,理论值与实测值吻合较好,获得了AlGaAs／GaAsHBT的非线性失真量比较弱的结果,其值并不像人们认为的那样强,并解释了HBT高线性度的原因,这证明了AlGaAs／GaAsHBT在抗干扰方面的潜在能力。
- 廖小平林金庭魏同立
- 关键词：VOLTERRA级数铝镓砷双极晶体管
- 0.3-0.5μm砷化镓MMIC全套制造技术
- 林金庭陈克金盛文伟沈亚顾炯陈堂胜陈晓明李拂晓等
- 砷化镓微波单片集成电路(GaAsMMIC)是集成电路的一个重要领域，它主要应用于通信卫星，电视广播卫星接收，无线通信和国防等重大领域，工作频率复盖300兆赫至100千兆赫范围，对我国经济建设和国防建设有重要意义。(0.3...
- 关键词：
- 关键词：微波集成电路
