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王初华

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：华东理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电池
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶薄膜
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇碲化镉
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化镉
  • 1篇化学沉积法
  • 1篇半导体
  • 1篇CDTE
  • 1篇CDS

机构

  • 3篇华东理工大学

作者

  • 3篇王初华
  • 1篇李翔
  • 1篇胡黎明
  • 1篇胡黎明
  • 1篇李春忠

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇1995
  • 2篇1994
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
多晶薄膜CdS／CdTe太阳电池被引量：3
1994年
报道了转换效率为１４．６％～１５．８％的多晶薄膜ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太阳电池的研制。用ＭＯＣＶＤ法，在玻璃衬底上制备ＳｎＯ＿２和ＳｎＯ＿２：Ｆ薄膜，水溶液化学淀积法获得８０～１００ｎｍ厚的ＣｄＳ薄膜和密堆积升华法制备５μｍ厚ＣｄＴｅ薄膜，ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太阳电池的短路电流密度高达２４～２５ｍＡ／ｃｍ￣２。同时，对各层薄膜晶形和微观结构进行了分析研究。
王初华胡黎明
关键词：太阳电池CDSCDTE
全文增补中
密堆积升华制备碲化镉多晶薄膜被引量：1
1994年
用密堆积升华法在３０－２００（×１３３．３）Ｐａ低压氦气、氩气等气氛下淀积多晶碲化镉薄膜。在硫化镉衬底上得到（１１１）面择优的碲化镉，晶粒尺寸４－８μｍ，厚度３－５μｍ。膜生长速率与总压力成反比，与气氛导热系数成反比。在１：４的３０（×１３３．３）Ｐａ氦气－氧气中，碲化镉的生产速率在１－１．５μｍｍｉｎ－１范围内。淀积过程是扩散控制。
王初华李春忠胡黎明
关键词：碲化镉太阳能电池
化学沉积法多晶硫化锌薄膜研究被引量：1
1995年
本文报道在一定浓度范围的ＮＨ３－ＮＨ４ＡＣ－ＣｄＡＣ２－（ＮＨ２）２ＣＳ水溶液体系中５０～１００ｎｍ厚的器件质量硫化镉多晶薄膜的生长条件研究．透明高密度的ＣｄＳ薄膜沉积的最佳条件已经获得．ＳＥＭ分析表明硫化镉膜晶粒大小为５０～１００ｎｍ二在玻璃上和ＳｎＯ２：Ｆ／玻璃上的ＣｄＳ膜具有强的定向选择晶面．８０ｕｍ厚的硫化镉膜暗电阻率是１０３～１０４Ω·ｃｍ数量级，光电导比是１００～２００范围，光禁带宽度是２．４４ｅＶ．同时对水溶液中硫化镉成膜条件作了研究．
王初华李翔胡黎明
关键词：硫化镉化学沉积法半导体
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