胡永锋
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- α-W膜在单晶硅基片上的共格生长及其力电性能的膜厚效应被引量：4
- 2008年
- 以模板效应为手段,在单晶Si-(100)基片上借助预先沉积的Mo膜成功制备出共格生长的α-W薄膜.用X射线衍射、场发射扫描电镜和高分辨透射电镜分析薄膜微结构,用偏振相位移技术分析残余应力,用四点探针技术分析电阻率.结果表明:Mo模板诱导下共格生长出的α-W膜为等轴晶,Si基底上则为亚稳态β-W的非等轴晶.两组样品的电阻率和残余应力均随膜厚降低而升高,但β-W膜归因于晶粒尺寸减小,即晶界的大量增加;而α-W/Mo双层膜归因于两者之间共格界面的约束作用,当膜厚减至数十纳米后尤其如此.
- 刘明霞胡永锋马飞徐可为
- 关键词：残余应力电阻率
- Ni/Al多层膜纳米压入硬度、弹性模量的实验表征及基底效应
- 胡永锋
- 关键词：多层膜纳米压入
- 纳米薄膜的介观尺度性能的实验表征
- 随着其特征尺度不断向亚微米与纳米尺度减小,薄膜通常表现出与块体材料迥异的性能,因此,对介观尺度下薄膜性能进行实验表征具有非常重要的意义。本文着重探讨了纳米多层膜的调制结构及其电学与力学性能的尺寸效应、铜互连膜基体系自对准...
- 徐可为杨吉军刘明霞刘波张洋胡永锋
- 关键词：多层膜粗化行为沉积温度尺寸效应
