胡海蓉
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：天津工业大学信息与通信工程学院更多>>
- 发文基金：天津市应用基础与前沿技术研究计划天津市高等学校科技发展基金计划项目天津市科技攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- AlGaAs/GaAsHBT的设计与研制
- 2005年
- 分析了AlGaAs/GaAsHBT的原理和材料结构,详细介绍了AlGaAs/GaAsHBT的器件结构及工艺流程,并对两方面进行了优化,研制出了特性较好的AlGaAs/GaAsHBT,其电流放大系数达到180,是目前国内报道的最高水平;开启电压小于0.3V.
- 胡海蓉牛萍娟胡海洋郭维廉
- 关键词：ALGAAS/GAAS异质结双极晶体管
- 白色大尺寸GaN基LED器件研究
- 牛萍娟苗长云刘宏伟胡海蓉郭维廉李晓云杨广华高铁成贾海强陈弘
- 该项目通过创新的三步生长，缺陷阻挡及GaN重新成核方法得到了低位错密度的外延薄膜。由综合调节InGaN量子阱的组分、厚度、势垒高度以及掺杂水平的方法，使量子阱发光强度达到最高；采用表面微腐蚀方法，改善GaN表面和优化工艺...
- 关键词：
- 关键词：大功率倒装焊
- 功率性LED封装装置
- 本实用新型涉及的功率性LED封装装置，包括带有焊盘的LED芯片和覆盖于芯片正面的带有大面积凸点的硅片。LED芯片的p区和n区划分为田字形，n区的截面形状为2个圆形，p区的截面形状为4个缺圆角矩形，焊盘上有4个p区焊盘和2...
- 牛萍娟刘宏伟胡海蓉
- 文献传递
- 热超声倒装焊在制作大功率GaN基LED中的应用被引量：3
- 2007年
- 设计了适合于倒装的大功率GaN基LED芯片结构,在倒装基板硅片上制作了金凸点,采用热超声倒装焊接(FCB)技术将芯片倒装在基板上。测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93g/bump,焊接后的GaN基绿光LED在350mA工作电流下正向电压为3.0V。将热超声倒装焊接技术用于制作大功率GaN基LED器件,能起到良好的机械互连和电气互连。
- 牛萍娟李艳玲刘宏伟胡海蓉贾海强陈弘
- 关键词：光电子学电镀
- 共振隧穿二极管与光敏异质结双极晶体管的光电集成
- 牛萍娟郭维廉胡海洋李晓云胡海蓉刘宏伟杨广华高铁成
- 异质结双极晶体管（HBT）的结构特点是具有宽带隙的发射区，大大提高了发射结的载流子注入效率，降低了基区串联电阻。主要应用于微波功率、高速数字电路、光电应用上。InP基HBT因有较好的性能，光刻工艺简单，表面条件敏感性低的...
- 关键词：
- 关键词：共振隧穿光电集成
- 功率型LED芯片的热超声倒装技术
- 2007年
- 结合功率型GaN基蓝光LED芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将LED芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率型LED光电特性和出光一致性较好,证明了热超声倒装焊接技术是一种可靠有效的功率型光电子器件互连技术。
- 李艳玲牛萍娟郭维廉刘宏伟贾海强陈弘胡海蓉
- 关键词：倒装焊金凸点
- RTD与HBT单片集成研究
- 2005年
- 设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。
- 胡海蓉牛萍娟刘宏伟郭维廉许丹于欣王文新尚勋忠吴曙东
- 关键词：共振隧穿二极管异质结双极晶体管单片集成
- 带有低熔点大面积凸点的倒装焊封装结构
- 本实用新型的带有低熔点大面积凸点的倒装焊封装结构，包括带有一个或多个器件焊点的焊盘以及与焊盘键合的硅片，硅片上与器件焊点相对应设置有一个或多个大面积凸点。硅片上淀积有钝化层，钝化层上设置有镀金凸点，钝化层与凸点之间设置有...
- 牛萍娟刘宏伟胡海蓉
- 文献传递
