苏琴
- 作品数：7 被引量：5H指数：1
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- 纳秒脉冲激光制备的纳米硅光致发光研究
- 2012年
- 在氧气、空气或氮气环境中,用脉冲激光辐照加工出的纳米硅有较强的PL发光,将这些PL光谱进行高斯去卷积处理,可以得到不同的子峰,这是因为在氧气、空气或氮气中加工出的纳米硅能带带隙中有与氧和氮有关的局域态。结合计算结果,在纳米硅中Si=O双键和Si-N键等可引入的局域态对PL发光有贡献。
- 苏琴黄伟其陈汉琼陈洪福刘盛华吴红英张桂阳高贵平
- 关键词：纳米硅光致发光发光中心
- 拉曼-纳斯声光衍射性质研究被引量：1
- 2012年
- 本文研究激光通过超声光栅形成的拉曼-纳斯声光衍射,发现衍射级次的出现随超声波频率的改变而呈现周期性的变化,然后从理论上分析这种周期性变化的形成机理。实验结果给出:拉曼-纳斯声光衍射的一级衍射角是一固定值。当超声波频率的改变范围不大时,一级衍射角不随超声波频率的改变而改变。这与理论预期有偏差,理论上给出衍射角与超声波频率有关。这一发现对声光效应在光束偏转等方面的应用有重要的意义。
- 刘家兴黄伟其苏琴陈汉琼蔡成兰
- 关键词：衍射角超声波频率
- 氧键对纳晶硅薄膜电子态密度的影响
- 2011年
- 基于密度泛函理论,采用第一性原理平面波赝势法对不同取向的纳晶硅薄膜以及其表面被不同类型的氧键氧化以后的纳晶硅薄膜电子态密度进行模拟计算。结果表明:当纳晶硅尺寸减小到量子限制尺寸效应数量级时,有效能隙明显展宽;纳晶硅表面部分被氧钝化以后,原本干净的禁带中出现电子局域态。计算结果表明纳晶硅薄膜受激辐射主要由量子受限效应和能隙中的电子局域态决定。
- 蔡成兰刘家兴苏琴陈汉琼
- 关键词：第一性原理
- 硅量子点的形状及其弯曲表面效应被引量：3
- 2013年
- 硅量子点的弯曲表面引起系统的对称性破缺,致使某些表面键合在能带的带隙中形成局域电子态.计算结果表明:硅量子点的表面曲率不同形成的表面键合结合能和电子态分布明显不同.例如,Si—O—Si桥键在曲率较大的表面键合能够在带隙中形成局域能级,而在硅量子点曲率较小的近平台表面上键合不会形成任何局域态,但此时的键合结合能较低.用弯曲表面效应(CS)可以解释较小硅量子点的光致荧光光谱的红移现象.CS效应揭示了纳米物理中又一奇妙的特性.实验证实,CS效应在带隙中形成的局域能级可以激活硅量子点发光.
- 黄伟其周年杰尹君苗信建黄忠梅陈汉琼苏琴刘世荣秦朝建
- 关键词：硅量子点局域能级
- 氧气中加工生成硅量子点的受激发光
- 2012年
- 用纳秒脉冲激光辐照加工生成硅量子点结构,经过适当退火后,在605 nm和693 nm处检测到受激发光峰并能观察到有明显的光增益现象和阈值行为。通过在硅量子点表面建立Si-O-Si桥键和Si=O双键键,用第一性原理对氧气中用激光加工的硅基量子点的电子态密度进行模拟计算,结果表明两种键在量子点中都形成局域态,但局域态位置不同。结合理论和实验,得出产生受激发光峰增强效应和阈值行为的主要原因,并提出硅量子点纳米激光这一新思想,量子受限效应决定激光的抽运能级,局域态在导带和价带之间为粒子数反转提供必要条件。
- 蔡成兰黄伟其刘家兴苏琴陈汉琼
- 关键词：硅量子点局域态
- 硅量子点表面形状的研究被引量：1
- 2013年
- 计算结果显示在不同曲面上进行钝化的硅量子点的结合能与电子态密度分布是不同的。例如在曲面上进行钝化的Si-O-Si桥键在带隙中产生局域态,并且曲面上进行钝化的结合能比在平面上钝化的结合能要浅,这样的现象叫做曲面效应。曲面破坏对称性结构,从而在带隙中形成局域态。表面曲率是由硅量子点的形状和硅纳米结构决定的。
- 陈汉琼黄伟其苏琴黄忠梅苗信建
- 关键词：硅量子点局域态
