蒋能
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院兰州物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术机械工程更多>>
- 用SIMS分析注Si的GaAs材料的一些实验结果
- 范垂祯蒋能王珍
- 关键词：砷化镓质谱仪质谱离子注入
- 覆氧条件下SIMS定量分析的半理论计算
- 1992年
- 以金属表面覆氧时二次离子发射的实验为基础,对二次离子质谱定量分析进行了研究。注意到金属元素的正离子产额随氧压升高而增加,而电负性高的元素离子信号有上升更多的趋势,完善了“结合LTE-断键”思想。并认为断键方式形成正、负二次离子的数目不仅与表面生成了多少氧化物有关,而且与氧化物的结合强度有关。如果定量估算表面氧化物数目及氧化物键强两个因素对离子产额的影响,将它们都与元素的电负性建立一定的关系,从而推导出表面覆氧时定量考虑断键形成二次离子的离子产额理论关系式,其中包含了覆氧量及元素电负性的因素。所介绍的定量分析方法适用于较宽的实验条件,可获得较好的结果。
- 范垂祯蒋能钱卫江
- 关键词：金属质谱分析SIMS
- 样品表面覆氧对二次离子发射影响的实验研究
- 1990年
- 本文给出了样品表面充氧对二次离子发射影响的一些新的实验结果。表面氧压变化时,二次离子信号的变化有一暂态过程;二次离子信号饱和时的氧压随元素电负性的增加而增加,当一次离子为0.25mA/Cm^2、充氧压强为7×10^(-6)Torr时,所有元素的二次离子信号均达饱和;电负性大于等于3的元素不发生二次离子产额的氧增强效应。这些现象的研究及SIMS定性和定量分析有着重要意义。
- 范垂祯钱卫江蒋能
- 关键词：离子发射产额充氧暂态过程SIMS离子强度
- 覆氧条件下金属表面二次离子质谱定量分析研究
- 1990年
- 以金属表面覆氧时二次离子发射实验为基础建立半理论模型,对二次离子质谱定量分析进行了研究。注意到金属元素的正离子产额随氧压升高而增加,而电负性高的元素离子信号有上升更多的趋努,完善了“结合 LTE——断键”思想。并认为断键方式形成正、负二次离子的数目不仅与表面生成了多少氧化物有关,而且与氧化物键的结合强度有关。如果将氧化物断键形成离子的过程看成是“元素原子电离能改变了的电离过程”,并将表面氧化物数目及氧化物键强两个因素都与元素的电负性建立一定关系,从而推导出表面覆氧时二次离子产额的理论关系式,其中包含覆氧量及元素电负性的因素。所介绍的定量分析方法适用于较宽的实验条件,可获得较好的结果。
- 范垂祯蒋能
- 关键词：金属二次离子质谱
- 金属表面二次离子氧增强效应与元素电负性关系的实验研究
- 1992年
- 通过对铁基、铜基及钛基等合金表面覆氧时二次离子发射的实验,发现当金属元素正二次离子产额随引入真空室的氧压升高而增强时,存在某些电负性较大金属元素正离子的氧增强效应也较大的趋势;在本实验条件下,氧压升高过程中部分元素(如铜、锌等)离子产额未达到饱和状态;氧负离子与金属正离子产额之间存在线性关系。这些实验结果对发展“结合LTE—断键”模型的思想及完善SIMS定量分析都有重要的作用。
- 范垂祯蒋能陈宇
- 关键词：二次离子质谱电负性
- PHI595扫描俄歇谱仪的计算机数据处理系统改造
- 1996年
- PHI595扫描俄歇谱仪是我所从美国引进的大型表面分析仪器。本文结合表面分析技术的发展，对该仪器的PDP-11／04计算机数据处理系统进行了改造，设计了专用的通信接口，将PDP小型计算机与PC／486微机相联接，从而使实验数据能传输入微机中进行运算处理，进一步对俄歇谱所包含的化学态信息作深入研究。
- 谢舒平蒋能杨得全范垂祯
- 关键词：俄歇电子能谱仪
