谢剑星
- 作品数：10 被引量：11H指数：1
- 供职机构：福州大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金福建省科技计划重点项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学更多>>
- 一种多功能集成的有机阻变存储装置及其制备方法
- 本发明公开了一种多功能集成的有机阻变存储装置及其制备方法，该有机阻变存储装置包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述底电极与顶电极之间的有机功能层，其中所述的有机功能层为基于聚酰亚胺的有机/无机纳米复合薄...
- 李福山郭太良叶芸周雄图胡海龙吴朝兴谢剑星寇丽杰
- 文献传递
- 壳层厚度对于量子点/聚合物复合电子存储器件性能的影响
- 2016年
- 研究了一种含有不同壳层结构量子点的聚乙烯咔唑(PVK)/Cd Se量子点复合体系电双稳器件,结果发现基于无壳层量子点的器件电荷存储能力较差,随着壳层厚度的增加,器件的电学特性由双稳态向三稳态转变。通过电容-电压(C-V)的测试结果表明,壳层的厚度对于量子点的电荷捕获能力有重要的影响,从而导致器件表现出不同的存储特性。
- 孙秀英陈伟谢剑星李福山
- 关键词：PVK量子点
- 基于聚合物/金属离子复合体系的阻变存储器及制备方法
- 本发明公开了一种基于聚合物/金属离子复合体系的阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述电极之间的聚酰亚胺/金属离子复合薄膜。本发明提供的阻变存储器重复性高、响应速度快、...
- 郭太良李福山吴朝兴张永志谢剑星张永爱
- 基于AZO/碳纳米管/AZO结构的柔性电极及其制备方法
- 本发明涉及一种基于AZO/碳纳米管/AZO结构的柔性电极，其包括AZO导电电极及夹在AZO电极之间的碳纳米管薄层。所述的碳纳米管薄层采用电泳法均匀地分布在两层AZO薄膜之间。所述的柔性电极为夹层结构。本发明提供的柔性电极...
- 李福山郭太良张蓓蓓吴朝兴陈景水谢剑星
- 文献传递
- C_(60)/PMMA复合电双稳器件的制备及电学性能研究
- 2012年
- 介绍一种基于C60/Polymethyl Methacrylate(PMMA)复合体系的电双稳器件,在室温下的I-V测试曲线表明器件具有电双稳特性,并且可实现稳定的"读-擦-读-写"操作。C-V测试曲线表明器件存在一个平带电压的偏移是由于存在C60分子的缘故,这说明C60分子在器件的工作过程中起到对载流子的陷获、存储以及释放的作用。在器件C-V特性曲线的基础上,阐述了载流子的输运机制。
- 谢剑星李福山张永志吴朝兴张蓓蓓徐胜辛琦郭太良
- 关键词：PMMAC60
- 一种多功能集成的有机阻变存储装置及其制备方法
- 本发明公开了一种多功能集成的有机阻变存储装置及其制备方法，该有机阻变存储装置包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述底电极与顶电极之间的有机功能层，其中所述的有机功能层为基于聚酰亚胺的有机/无机纳米复合薄...
- 李福山郭太良叶芸周雄图胡海龙吴朝兴谢剑星寇丽杰
- 有机电双稳态器件及其载流子输运机制研究
- 谢剑星
- 基于聚合物/金属离子复合体系的阻变存储器及制备方法
- 本发明公开了一种基于聚合物/金属离子复合体系的阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述电极之间的聚酰亚胺/金属离子复合薄膜。本发明提供的阻变存储器重复性高、响应速度快、...
- 郭太良李福山吴朝兴张永志谢剑星张永爱
- 文献传递
- 氧化锌纳米棒的制备及其光电性能的研究被引量：11
- 2011年
- 以硝酸锌Zn（NO3）2.6H2O和六次甲基四胺（HMT）为原料,通过水热法制备出氧化锌纳米棒,研究了反应时间和冷却时间对产物形貌和尺寸的影响。采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、光致发光谱（PL）、紫外-可见光谱、红外光谱（FT-IR）表征产物的结构和性能。结果表明,反应时间为6 h和急速冷却至室温条件下合成样品为六方纤锌矿氧化锌纳米棒,平均直径为300 nm;样品具有良好的结晶质量和发光性能,样品在200~400 nm有较强的紫外吸收性能;FT-IR图谱表明产物在430 cm-1左右出现了Zn-O特征吸收峰,并有所红移;样品的开启场强为2.2 V/μm,场增强因子为2550,当场强为4.75 V/μm时,电流密度可以达到0.7 mA/cm2,是一种性能优良的冷阴极电子发射源。
- 郑泳张永爱吴朝兴文亮谢剑星郭太良
- 关键词：氧化锌水热法光致发光场发射
- CdSe量子点/PVK复合电双稳器件的制备及载流子输运性能研究
- 2013年
- 报道一种基于CdSe量子点/聚乙烯基咔唑有机无机复合电双稳器件,通过对量子点浓度的控制使器件在室温下可以通过正向偏压和负向偏压脉冲激励下实现高阻态与低阻态的相互转变,相当于存储器件的写入功能与擦除功能,并且可实现重复的"读-擦-读-写"操作。对电流-电压曲线和电容-电压曲线展开讨论,验证器件的载流子捕获与释放机制,阐述载流子在该器件的输运机制。
- 谢剑星李福山辛琦吴朝兴张永志张蓓蓓徐胜郭太良
- 关键词：量子点
