魏昭荣
- 作品数：39 被引量：118H指数：7
- 供职机构：成都信息工程大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：理学化学工程电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- 碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察被引量：9
- 2004年
- 本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级。这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体。
- 高德友赵北君朱世富王瑞林魏昭荣李含冬韦永林唐世红
- 关键词：碲锌镉单晶体腐蚀坑布里奇曼法半导体材料
- CdZnTe晶体的缺陷能级分析被引量：4
- 2004年
- 通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的I T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV。由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器。另外还研究了CZT晶体在室温下的I V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω·cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am59.5keV能谱。
- 韦永林朱世富赵北君王瑞林高德友魏昭荣李含东唐世红
- 关键词：CDZNTE晶体布里奇曼法激活能电阻率
- 气相输运合成PbI_2多晶的热力学研究(英文)
- 2007年
- 本文对PbI2合成反应体系的反应焓变,反应熵增,Gibbs自由能变化和反应平衡常数进行了理论计算,从热力学角度论证了选取PbI2熔点(678K)以上的723K作为体系合成反应控制温度的可行性。在723K的控温工艺下,采用两温区气相输运方法合成出高纯、单相的PbI2多晶材料,XRD分析结果表明符合热力学计算结果的控温工艺能有效地应用于PbI多晶合成。
- 朱兴华赵北君朱世富金应荣何知宇高德友魏昭荣
- 关键词：多晶合成热力学
- 磷钼酸铵的制备及性能被引量：3
- 2007年
- 对新型阻燃抑烟剂——磷钼酸铵的制备和性能进行了研究;利用XRD、IR、DSC和TG对所制备的磷钼酸铵进行了表征,为磷钼酸铵的应用提供了理论基础。将磷钼酸铵加入PVC中,并与常用的阻燃抑烟剂Sb2O3、MoO3、Al(OH)3等进行对比,通过对阻燃材料氧指数和烟密度的测试表明,磷钼酸铵具有良好的阻燃抑烟性能;力学性能测试表明,磷钼酸铵与高分子材料具有良好相容性,是一种性能出众的新型阻燃抑烟剂,具有广阔的应用前景。
- 魏昭荣朱兴华刘汝林
- 关键词：阻燃抑烟剂PVC
- 电子束蒸发制备PbI_2膜及其光学性能研究
- 2010年
- 采用电子束蒸发法制备PbI2膜,研究不同工艺参数对制备样品光学性质的影响。结果表明,制备样品属于六方相多晶结构,随衬底温度的升高,样品中的I元素含量降低并趋于理想化学配比。随着衬底温度的升高,PbI2膜的光谱透过性能逐渐改善,吸收边沿低能一侧的拖尾逐步消除,源自样品结晶质量的提高。根据紫外-可见透过谱,计算了不同条件下制备样品的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙。结果发现,随衬底温度的升高,制备样品的折射率和光学带隙出现波动变化,但吸收系数单调增大。在相同的衬底温度下,35cm的源-衬间距下制备的样品具有最大的光吸收系数,归因于该系列样品较高的致密度。
- 朱兴华杨定宇魏昭荣孙辉李乐中高秀英杨军
- 关键词：衬底温度光学带隙
- 利用多晶硅生产废物制备偏硅酸钠被引量：2
- 2009年
- 利用多晶硅生产废物制备偏硅酸钠。将多晶硅生产废物水解生成偏硅酸沉淀,水解温度应控制在40℃以下,水与多晶硅生产废物质量比10～12为宜,溶液pH应控制在2.0～2.5。向偏硅酸中加入质量分数为45%的NaOH溶液制备偏硅酸钠,pH控制在12.5,降温速率控制在1.0℃/min。采用该方法制备的偏硅酸钠完全符合HG/T2568—94《工业偏硅酸钠化工行业标准》的优等品指标。
- 魏昭荣朱兴华杨维清杨定宇蔡青刘俊
- 关键词：多晶硅固体废物偏硅酸钠水解综合利用
- 电子束蒸发制备PbI_2薄膜的光电性质研究
- 2010年
- 采用电子束蒸发法制备了PbI2多晶薄膜，研究制备条件对薄膜光电性质的影响。结果表明，不同条件下制备的样品呈现不同的择优取向生长特征，但均属于六方相多晶结构。随着衬底温度的升高，PbI2薄膜的紫外．可见透过谱透过性能提高，光学带隙由室温时的2．33eV增大到200℃时的2．44ev。同时发现，不同源．衬间距制备样品的光谱透过性能和光学带隙基本相同。光致发光谱（PL）测试表明，薄膜的发光可能源自禁带中的缺陷能级跃迁，其PL发光峰的强度和展宽随源一衬间距的增大有明显变化。论文最后测试了PbI2薄膜在绿光LED照射下的光电导响应，发现制备样品的光电导响应性能与薄膜的沉积温度和源一衬间距有密切关系，光电导率的数量级约在10 -8～10 -9 Ω-1·cm-1之间。
- 朱兴华杨定宇魏昭荣李乐中杨维清杨军
- 关键词：光学带隙光致发光谱
- 沸石基复合抑烟剂的制备及性能研究被引量：4
- 2004年
- 为解决高分子材料燃烧发烟问题,以沸石作载体制成复合钼酸铵抑烟剂和复合三氧化钼抑烟剂.锥形量热计法测试表明,复合抑烟剂的抑烟效果显著;力学性能测试表明,复合抑烟剂与高分子材料具有很好的相容性.复合抑烟剂性能优异的原因在于在载体中钼化物得到了充分的分散,与高分子材料充分接触,提高了钼化物的反应活性,使钼化物的抑烟性能得到了最大限度的利用;同时因载体的抑烟协同效应,增强了抑烟效果,降低了材料成本.
- 魏昭荣朱世富赵北君张伟林云
- 关键词：相容性分散性
- [Mn_2(CHZ)_4(H_2O)_2](PA)_4·10H_2O的制备和分子结构研究被引量：14
- 1999年
- 本文论述了苦味酸（ＰＡ，三硝基苯酚）锰与碳酰肼（ＣＨＺ，ＮＨ２ＮＨＣＯＮＨＮＨ２）反应制备目标配合物的方法及该配合物的晶体结构。该配合物的结构式为［Ｏ，Ｏ′－μ－Ｍｎ２（ＣＨＺ）４（Ｈ２Ｏ２）］（ＰＡ）４·１０Ｈ２Ｏ。晶体属三斜晶系，Ｐ１－空间群。晶体学参数为：ａ＝０．８２６９（１）ｎｍ，ｂ＝１．２８１２（１）ｎｍ，ｃ＝１．５９１５（１）ｎｍ；α＝１０９．５８（１）°，β＝９５．１９（１）°，γ＝９２．７６（１）°，Ｖ＝１．５７６５（２）ｎｍ３；Ｚ＝１，Ｄｃ＝１．５８０ｇ·ｃｍ－３，μ（ＭｏＫα）＝５２０ｍ－１。晶体结构经全矩阵最小二乘法修正，最终偏离因子Ｒ＝０．０５５７。该化合物为具有中心对称的双核配合物，以两个碳酰肼分子中羰基氧为桥原子将两个锰离子结合起来，与锰离子形成配位键的原子是碳酰肼分子第一、五氮原子，羰基氧原子和水分子中的氧原子，锰离子的配位数为七。若味酸根作为外界离子以库伦力和氢键与内界离子结合成配合物分子。
- 吕春华张同来魏昭荣蔡瑞娇郁开北
- 关键词：碳酰肼锰配合物含能材料
- 高精度高采样频率油气田井下压力计
- 黄太星杨军李朝阳朱兴华于小江魏昭荣王楠祝敬敏黄春玲陈贵明
- 成都信息工程学院（原气象学院）是国家气象局下属的气象领域内唯一两所科研高校之一，项目团体依托开发升空气球探测大气压力传感器的成果研发经验；和油气田测井公司人员联合开发了高精度高采样频率油气田井下压力计。油气田高精度高采样...
- 关键词：
- 关键词：井下压力计压力传感器油气田开采
