龙芋宏
- 作品数：162 被引量：86H指数：5
- 供职机构：桂林电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 准分子激光电化学刻蚀金属的研究被引量：3
- 2008年
- 为了探寻准分子激光电化学刻蚀工艺的特性,采用功率密度大的248nm准分子激光聚焦照射浸在溶液中的金属表面,实现了一种激光电化学刻蚀复合工艺。在实验的基础上,通过对激光电化学刻蚀金属和硅的基本形貌进行比较和分析,研究了该工艺的工艺特性。研究结果表明,该复合工艺为激光直接刻蚀和激光热诱导电化学刻蚀。其中激光热诱导电化学刻蚀是通过激光的光热效应和由激光诱导的冲击波来实现对腐蚀液和材料的冲击、微搅拌等作用的。
- 龙芋宏史铁林熊良才
- 关键词：激光技术刻蚀金属
- 水导激光耦合分流稳压装置
- 本实用新型公开了一种水导激光耦合分流稳压装置，包括分流稳压腔室，所述分流稳压腔室包括侧部的至少一个进水口和底部的水束光纤出口以及顶部与水束光纤出口同心的激光照射口，所述激光照射口上安装有激光镜片，分流稳压腔室内部设有水流...
- 龙芋宏赵要武焦辉刘清原周嘉黄宇星杨林帆
- 文献传递
- 一种激光辅助金刚石划切加工系统
- 本实用新型为一种激光辅助金刚石划切加工系统，本系统金刚石划切装置的悬臂下端经固定卡具连接金刚石划切头。激光经导引光纤引导至激光头，整形后的激光束聚焦于工件表面，金刚石划切头接触工件表面的点与激光束在工件表面的聚焦点有距离...
- 刘清原龙芋宏黄宇星鲍家定周嘉赵要武焦辉
- 文献传递
- 一种双激光加工水浸工件的方法和系统
- 本发明为一种双激光加工水浸工件的方法和系统，本法用波长1064nm的A激光聚焦于水中工件表面，使之受热局部软化。再用波长为10640nm的B激光聚焦于工件上方的水中，A和B激光的聚焦点相距数百微米。B激光击穿水产生冲击波...
- 刘清原龙芋宏周嘉鲍家定毛建东刘鑫唐文斌
- 文献传递
- 单晶硅水导/传统激光打孔对比研究被引量：3
- 2017年
- 与传统激光加工技术相比,水导激光加工技术有着很多优势。根据水导激光加工的特点,对半导体单晶Si片建立了水导激光打孔的热力学模型,基于ANSYS二次开发语言apdl对其进行了加工过程的温度场和应力场的仿真,并与有着相同激光参数的传统激光打孔进行对比。结果表明,水导激光加工冷却更快,由于水的强冷却作用,水导激光打孔产生的热影响区更小,用仿真的方法直接证明了水导激光打孔产生的热应力更少。
- 毛建冬龙芋宏周嘉唐文斌
- 关键词：仿真热应力硅
- 一种水导激光光束匀化器
- 本发明适用于激光加工领域,提供了一种激光整形聚焦系统,包括第一、二、三透镜；第一、三透镜为双凸正透镜,第二透镜为双凹负透镜；第一、二、三透镜分别包括第一、二曲面,第三、四曲面及第五、六曲面；第一至六曲面的曲率半径为51....
- 龙芋宏殷浩然陈志创何欣平张光辉黄宇星张胜军尹杰牟亮黑太平陆春
- 水射流激光刻划脆性材料超薄片的系统
- 本实用新型为水射流激光刻划脆性材料超薄片的系统，本系统射流喷嘴产生的水射流束在工件表面的喷射点中心和激光束在工件表面的聚焦点中心的距离等于或小于激光束在工件表面聚焦点半径的1～2.5倍。射流喷头的纵向中心线可和激光束中心...
- 龙芋宏廖志强江威
- 文献传递
- 一种射流激光复合清洗方法和清洗系统
- 本发明为一种射流激光复合清洗方法和清洗系统，本方法空化射流冲击工件基材表面，产生水膜、水膜空化泡破溃冲击清洗基材表面，同时激光聚焦于水膜内，水膜在超热状态爆发沸腾、剧烈汽化，产生蒸汽泡冲击基材表面，延长空化射流的有效作用...
- 刘清原龙芋宏周嘉鲍家定黄宇星赵要武焦辉
- 准分子激光电化学复合工艺中热—力效应研究被引量：1
- 2009年
- 为了探寻准分子激光电化学刻蚀硅工艺中的热—力效应特性,采用功率密度大的248nm准分子激光聚焦照射浸在KOH溶液中的n-Si表面,实现了一种激光电化学复合刻蚀工艺。通过数值仿真与实验比较的方法,对该工艺的刻蚀速率进行了分析。研究结果表明,该复合工艺存在激光直接刻蚀、电化学刻蚀和激光与电化学耦合刻蚀等三种刻蚀作用;在耦合作用中,溶液中激光加工的热效应较小,光热效应导致的刻蚀小;而溶液中激光加工的力学效应对材料的刻蚀作用很大。通过对准分子激光与溶液中靶材相互作用过程的热—力效应分析,更深入地探讨了准分子激光电化学工艺的刻蚀机理。
- 龙芋宏
- 关键词：激光技术刻蚀硅
- 准分子激光电化学刻蚀硅的刻蚀质量研究被引量：5
- 2006年
- 为了解决现有硅刻蚀工艺中存在的刻蚀质量等问题,采用激光加工技术和电化学加工技术相结合的工艺对硅进行了刻蚀,研究了该复合工艺的工艺特性。实验中采用248nm KrF准分子激光作光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极n-S i上,实现激光诱导电化学刻蚀。在实验的基础上,研究了激光电化学刻蚀S i的刻蚀孔的基本形貌,并对横向刻蚀和背面冲击等质量问题进行了分析。结果表明,该工艺刻蚀的孔表面质量好、垂直度高;解决了碱液中S i各向异性刻蚀的自停止问题,具有加工大深宽比微结构的能力;也具有不需光刻显影就能进行图形加工的优越性。
- 龙芋宏熊良才史铁林柳海鹏
- 关键词：激光技术光电化学准分子激光刻蚀硅
