丁碧妍
- 作品数：9 被引量：13H指数：2
- 供职机构：山东轻工业学院更多>>
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- 相关领域：化学工程一般工业技术理学电气工程更多>>
- 一种单\双光子钙离子荧光探针化合物及其制备与应用
- 本发明提供一种单\双光子钙离子荧光探针化合物及其制备与应用。所述钙离子荧光探针化合物具有式I的结构。制备方法是：BAPTA-CH<Sub>3</Sub>-CHO与4-甲基-N-甲基吡啶碘盐按摩尔比1：1.1~1.3在乙醇...
- 张献谢瑞兴姚金水刘伟良李梅丁碧妍
- 文献传递
- Nb元素对Ba_(0.5)Sr_(0.5)Nb_zTi_(1-z)O_3薄膜结构与性能的影响被引量：2
- 2005年
- 采用溶胶-凝胶法制备了Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3薄膜(Nb=0-4.12mol%),采用HPAgilent 429A阻抗分析仪等测试方法研究了微量元素铌对Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3(BSNT)薄膜介电性能的影响。当Nb分别为0-4.12mol%时,相对介电常数rε降低而介质损耗tanδ均得到了改善,当测试频率为1kHz,tanδ由0.09降低到0.067;居里温度Tm逐渐移向低温;在测试频率2.0-10MHz范围内,rε、tanδ均能表现出较好的频散特性。采用XRD、TEM等测试方法分析了薄膜的结构特征。薄膜为四方钙钛矿晶体结构,但Nb的溶入改变了晶胞参数的c/a比,减小了薄膜的晶粒尺寸,提高了薄膜的致密度。
- 付兴华方舟傅正义单连伟丁碧妍韦其红侯文萍
- 关键词：介电常数介质损耗结构特征
- 钛酸锶钡基陶瓷薄膜的性能研究
- 本文以Ba(OAc)2、Sr(OAc)2以及Ti(OC4H9)4为原材料，采用了溶胶-凝胶法，制备了光滑均一的BST薄膜，并对不同条件下制备出的BST薄膜的结构进行了分析研究，重点对BST薄膜的介电性能进行了研究，并尝试...
- 丁碧妍
- 关键词：BST薄膜介电铁电
- 文献传递
- 螯合剂对钛酸锶钡薄膜结构与性能的影响被引量：3
- 2005年
- 采用阻抗分析、差热分析、X射线衍射、透射电镜等方法研究了螯合剂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜结构与性能的影响。当乙酰丙酮作为螯合剂时,它与Ti(COC4H9)4螯合形成网络骨架结构,Ba2+,Sr2+均匀地分布在此网络中,热分解时金属离子能够均匀地分布,使钙钛矿的形成温度降低了约60℃。薄膜表面颗粒分布均匀,孔洞少,比较致密。晶粒的平均粒径均为80nm,晶格条纹间距约为0.296nm,晶界两侧的晶粒取向是随机的;畴的宽度约为1～2nm。薄膜具有较高的相对介电常数和较小的介质损耗。
- 付兴华傅正义丁碧妍单连伟韦其红侯文萍
- 关键词：螯合剂钛酸锶钡薄膜介电性能结构特征
- 甲基丙烯酸甲酯在流延聚丙烯薄膜表面的紫外光引发接枝改性被引量：1
- 2012年
- 通过紫外光引发在流延聚丙烯(CPP)薄膜表面接枝甲基丙烯酸甲酯(MMA),考察以二苯甲酮(BP)和二氟二苯甲酮(DFBP)分别作为光引发剂时MMA的接枝效果。以傅里叶红外光谱分析薄膜表面物质的结构,润湿角测量仪表征薄膜的表面亲水性。结果表明:以BP作为光敏剂时MMA的接枝率可达0.032 06%;接枝后在1 734 cm-1处薄膜表面产生羰基吸收峰;水在CPP薄膜表面的接触角随着接枝率的增加而降低,表明MMA在CPP表面接枝可以改善薄膜的表面亲水性。
- 丁碧妍褚国红张书香
- 关键词：紫外光引发甲基丙烯酸甲酯CPP接枝改性亲水性
- (Ba,Sr)TiO_3铁电薄膜制备技术及其研究进展被引量：8
- 2003年
- (Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜较传统的铁电材料有高介电常数、高击穿场强、快响应速度、居里温度可调等优点,在DRAM、微波调节器等领域具有广阔的发展前景,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过对铁电薄膜及其制备技术研究新进展的综合评述,就BST的微观结构、性能及应用,深入分析BST铁电薄膜主要制备技术的优缺点,指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究中应注意的问题。
- 单连伟丁碧妍付兴华侯文萍单志强
- 关键词：铁电薄膜DRAMBST
- 不同Sr/Ba比对SBT薄膜结构与性能影响的研究
- 2005年
- 本文采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、SEM、XRD、TEM等测试方法研究了不同Sr/Ba比对Sr(1-x)BaxTiO3(SBT)薄膜结构与性能的影响。在同一测试频率下,当Sr/Ba比为0.5时,薄膜的相对介电常数εr最大,介质损耗tanδ相对较小,最大εr温度点Tm为305K;在所测试的频率范围内,εr随频率的升高而降低,tanδ则相反,表现出较好的频散特性。薄膜的矿物相为四方钙钛矿结构。Sr/Ba比为0.5时,薄膜表面无裂纹,孔洞少,颗粒集聚较少,其平均粒径均为80nm,分布均匀;晶格条纹间距约为2.96A,晶界两侧的晶粒取向是随机的。
- 付兴华傅正义丁碧妍单连伟韦其红侯文萍
- 关键词：BASRSBTTANΔ频散特性条纹间距
- 不同硅片对SBT薄膜结构与性能的影响
- 2005年
- 采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、XRD、TEM等测试方法研究了不同电阻率硅片对Sr0.5Ba0.5TiO3(SBT)薄膜结构与性能的影响。在测试频率为1KHz时,在高阻硅片上生成的SBT薄膜的相对介电常数εr,介质损耗tanδ分别为100.54,0.060,材料的介电性能相对提高,并表现出较好的频散特性;最大εr温度点Tm(居里温度)稍微移向高温。在高阻硅片上制备的SBT薄膜易生成四方钙钛矿结构,薄膜表面无裂纹,孔洞少,比较致密,晶粒的平均粒径均为80nm,分布均匀;晶格条纹间距约为0.296nm,晶界2侧的晶粒取向是随机的。
- 付兴华傅正义丁碧妍单连伟韦其红侯文萍
- 关键词：硅片介电性能结构特征晶粒线胀系数
- 一种单\双光子钙离子荧光探针化合物及其制备与应用
- 本发明提供一种单\双光子钙离子荧光探针化合物及其制备与应用。所述钙离子荧光探针化合物具有式I的结构。制备方法是：BAPTA-CH<Sub>3</Sub>-CHO与4-甲基-N-甲基吡啶碘盐按摩尔比1：1.1~1.3在乙醇...
- 张献谢瑞兴姚金水刘伟良李梅丁碧妍
- 文献传递
