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刘奥

作品数：28 被引量：62H指数：6
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家电网公司科技项目中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 7篇专利

领域

  • 23篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 14篇碳化硅
  • 8篇肖特基
  • 8篇二极管
  • 8篇SIC
  • 6篇势垒
  • 6篇肖特基二极管
  • 6篇H型
  • 5篇界面态
  • 5篇4H-SIC
  • 4篇氧化物半导体
  • 4篇碳化硅肖特基...
  • 4篇结型
  • 4篇金属氧化物半...
  • 4篇晶体管
  • 4篇半导体
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇电路
  • 3篇开关
  • 3篇可靠性

机构

  • 17篇南京电子器件...
  • 10篇中国电子科技...
  • 3篇东南大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 28篇刘奥
  • 15篇柏松
  • 12篇黄润华
  • 12篇陶永洪
  • 9篇陈刚
  • 8篇柏松
  • 7篇汪玲
  • 7篇李赟
  • 6篇黄润华
  • 5篇赵志飞
  • 4篇杨立杰
  • 4篇陈刚
  • 4篇汪玲
  • 3篇孙伟锋
  • 2篇刘涛
  • 2篇栗锐
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇刘昊
  • 1篇徐申
  • 1篇盛况

传媒

  • 11篇固体电子学研...
  • 2篇电力电子技术
  • 2篇智能电网
  • 1篇科技导报
  • 1篇电子学报
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇光电子技术
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 6篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法及系统
本发明公开了一种碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法，还公开了限流保护系统，包括时序控制器、电流检测装置、驱动器、保护开关和计算机。将限流保护过程分成了五个阶段，通过时序控制器控制这五个阶段进行五段式限流，相比传...
刘奥陈刚柏松
1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计被引量：2
2016年
设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。
汪玲黄润华刘奥陈刚柏松
关键词：肖特基势垒二极管
3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造被引量：6
2016年
介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。
刘涛陈刚黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李赟赵志飞
一种碳化硅MOSFET高温栅偏测试方法
本发明公开了一种碳化硅MOSFET高温栅偏测试方法，通过栅偏电压与阈值电压测试模块之间电子开关的快速切换，实现碳化硅MOSFET阈值电压在高温栅偏试验后的原位测试，防止阈值电压在实验后发生恢复，造成测试值的误差；通过正向...
刘奥柏松
文献传递
衬底减薄提高SiC二极管电流密度的研究被引量：3
2016年
利用自主生长的SiC外延材料,采用晶圆快速减薄与激光退火工艺结合研制600V/30ASiC肖特基二极管。先完成正面工艺,然后贴膜保护正面,SiC外延材料快速减薄到180μm左右,蒸发Ni之后采用激光退火工艺完成背面欧姆的制作,最后溅射TiNiAg完成SiC器件的研制。减薄完的晶圆比不减薄的晶圆正向压降Vf降低了0.15V,电流密度增大了近100%,器件的反向特性基本保持不变。
刘昊刘昊宋晓峰刘奥柏松杨立杰
关键词：4H-SIC减薄激光退火
碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法及系统
本发明公开了一种碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法，还公开了限流保护系统，包括时序控制器、电流检测装置、驱动器、保护开关和计算机。将限流保护过程分成了五个阶段，通过时序控制器控制这五个阶段进行五段式限流，相比传...
刘奥陈刚柏松
文献传递
一种碳化硅开关器件及制作方法
本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法，降低沟道电阻在器件导通电阻中所占比例。本发明通过两次外延生长完成器件顶部结构加工，二次外延沟道区掺杂浓度低于侧向注入Pwell区的掺杂浓度，二次外延N+区掺杂浓度远高于侧向注入P...
黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李士颜刘昊
6500 V SiC场限环终端设计与实现被引量：1
2018年
针对6 500 V SiC器件的阻断电压要求,采用有限元仿真软件对场限环终端结构进行了设计优化。相比于通常的恒定环间距增量场限环终端设计,本项研究采用三段不同的环间距增量终端环结构。该结构场限环终端的优势在于SiC器件表面的峰值电场强度控制在1MV/cm以下,体内的峰值电场强度在2.4MV/cm以下,有效减小了实际工艺中环注入窗口的工艺偏差引起的环间距拉偏对峰值电场强度的影响。环间距拉偏结果显示,在-0.2^+0.2μm的偏差范围内,器件表面(SiO_2/SiC交界处)的峰值电场强度并没有升高,只是峰值的位置发生了改变。最后利用了所设计的场限环终端进行了实际流片。测试结果显示,当施加6 500V的反向电压,漏电流小于10μA。
杨同同杨晓磊黄润华李士颜刘奥杨立杰柏松
关键词：场限环有限元仿真
一种100WLED路灯驱动电源设计被引量：4
2012年
设计了一种恒流型100 W LED路灯驱动电源。该电源采用反激拓扑,输入220 V/50 Hz的交流电,能够实现稳定的恒流输出,开路状态下具有限压保护功能。与传统的LED驱动电源相比,该电源兼顾了高效率和功率因数,同时简化了电路结构,降低了成本。在此对该驱动电源的电路进行简要介绍,分析了恒流原理,同时阐述了变压器的设计方法,最后搭建的样机满载效率达到87.5%,功率因数达到0.9以上,带灯后恒流输出在3 A,电流纹波小于50 mA。
刘奥徐申孙伟锋
关键词：电源反激变换器恒流
高压大功率碳化硅电力电子器件研制进展被引量：11
2021年
碳化硅电力电子器件已经成为国内外研究和产业化热点,在一些应用领域正在逐步取代硅基电力电子器件。概述了碳化硅材料和器件的特性,即具有高工作电压、高效率、高工作温度等优势。综述了国际上碳化硅电力电子器件技术的发展现状,其中中低压器件发展已逐渐成熟,高击穿电压器件研究成果展现出由碳化硅材料特性预测的性能优势。展示了宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室在该领域取得的最新技术进展,建立了600~3300 V碳化硅肖特基二极管和MOSFET产品技术,研制出国际先进水平的高压碳化硅MOS-FET和IGBT。
柏松李士颜杨晓磊费晨曦刘奥黄润华杨勇
关键词：碳化硅电力电子MOSFETIGBT
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