您的位置： 专家智库 > >

卢武星

作品数：14 被引量：7H指数：2
供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 12篇离子注入
  • 5篇高能
  • 5篇MEV
  • 4篇退火
  • 4篇SI
  • 4篇硅
  • 2篇半导体
  • 1篇电阻
  • 1篇液相外延
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇射程
  • 1篇碳素钢
  • 1篇锑化铟
  • 1篇退火温度
  • 1篇铅离子
  • 1篇强流
  • 1篇重离子
  • 1篇位错
  • 1篇离子

机构

  • 14篇北京师范大学
  • 2篇北京有色金属...
  • 1篇山东大学
  • 1篇扬州师范学院
  • 1篇北京市辐射中...

作者

  • 14篇卢武星
  • 7篇田人和
  • 4篇顾永俶
  • 3篇张荟星
  • 1篇刘尚合
  • 1篇王忠烈
  • 1篇吴瑜光
  • 1篇张通和
  • 1篇林文廉
  • 1篇贺凯芬
  • 1篇高愈尊
  • 1篇刘洁

传媒

  • 7篇北京师范大学...
  • 3篇物理学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇金属学报
  • 1篇原子核物理评...
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 2篇1997
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 3篇1992
  • 1篇1990
  • 1篇1988
  • 1篇1982
  • 1篇1979
共 14 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
MeV高能B离子注入Si的退火被引量：2
1988年
报导了在国内实现MeV级能量离子注入的实验研究结果.在n-型Si(100)衬底上使用MeV能量的B离子注入产生p^+-型层和快速形成n-p-n结构.结果表明,经合适退火的样品内部,形成了深掩埋的注入激活层和良好的表面单晶层.采用双重注入的增强退火效应,能更为有效地对高能B离子注入样品实现退火,这对高能离子注入的实际应用有重要意义.
卢武星钱亚宏卢殿通王忠烈
关键词：MOS结构
MeV高能离子注入Si的研究被引量：2
1997年
综述了近年来低能核物理所开展ＭｅＶ高能离子注入Ｓｉ的研究概况．研究工作包括深注入掩埋层物理特性分析，新型增强退火研究，二次缺陷的抑制与消除，离子束缺陷工程新原理、新方法的建立和应用，注入杂质的叠加分布与计算等．
卢武星吴瑜光
关键词：硅离子注入
MeV　Pb离子在非晶Si中的射程离散──离子束混合和增强扩散的影响
1994年
１．０ＭｅＶ２０８Ｐｂ离子在非晶Ｓｉ中的投影射程ＲＰ和射程偏差ΔＲＰ作为注量和温度二者的函数用背散射法进行测定．注量的变化范围为５×１０１３～７×１０１４ｃｍ－２．注入是在室温和ｔ＝－１２０℃下完成的．由由实验所确定的投影射程，射程偏差与注量或温度无关，并且分别等于２９５和７２．２ｎｍ．与ＴＲＩＭ８６的计算结果相比较，发现ＲＰ的偏离为１８％，而ΔＲＰ的偏离为３６％．ＲＰ和ΔＲＰ二者与注量及温度的无关性，排除了所观察到的与ＴＲＩＭ的矛盾是由于注入期间辐射增强扩散或离子束混合效应而引起的解释。
卢武星
关键词：离子束混合非晶硅铅离子
MeV高能B^+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除被引量：2
1990年
本文研究了MeV高能B^+离子注入Si中二次缺陷的退火行为。提出一种新型的双重注入退火方法,抑制或消除了MeV高能B^+离子注入Si样品中的二次缺陷。还对这种二次缺陷的被抑制与被消除的物理机制进行了讨论。
卢武星钱亚宏田人和王忠烈
关键词：离子注入SI退火
金属中强束流离子注入的温升效应
1993年
根据非线性热传导方程,用有限差分方法计算金属中强束流离子注入的温升效应给出了温升和温度分布曲线,以及样品表面温度与离子能量、剂量率、靶座温度。
田人和顾永俶卢武星林文廉张通和张荟星
关键词：离子注入碳素钢工具钢
强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算被引量：1
1993年
本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10^(15)/cm^2·s时,对于一般的散热系统来说(传热系数H≈2×10^(-2)W/cm^2K),温升效应将是严重的。恒流、脉冲、扫描三种注入方式比较起来,以扫描注入的温升和温度波动为最严重,恒流注入为最低。目前,在低束流情况下,大多采用热靶(400—700℃)来制造 SIMOX或SIMNI材料,本文的计算结果指出,当剂量率超过8×10^(14)/cm^2·s时,晶片温度将超过1000K(H取2×10^(-2)W/cm^2K),这时将没有必要再用热靶,用室温靶就能满足温度要求。本文给出的理论计算方法对其它材料(如金属、陶瓷等)仍可应用。
田人和顾永俶卢武星张荟星
关键词：离子注入SOI结构
后注Ar^+对高能注P^+硅中二次缺陷的影响
1992年
用剖面的电子显微术(XTEM)研究了后注Ar^+对高能注P^+硅中二次缺陷的影响。结果表明,后注Ar^+像后注Si^+一样能够减少高能注P^+硅中的二次缺陷。但这种效果与退火过程密切相关,退火应该在后注Ar^+之后,而不是在其之前。实验还发现,在适当退火条件下,后注Ar^+产生的新二次缺陷比后注Si^+产生的要少一些。物理机制分析认为,后注Ar^+减少二次缺陷的物理机制与后注Si^+的是相似的。
田人和卢武星顾永俶高愈遵
关键词：离子注入硅
高能重离子注入Si中缺陷的抑制被引量：1
1995年
以文献[10]中作者系统研究离子注入Si中缺陷形成判据为基础,研究多种高能重离子的注入和退火行为,提出一种简便和有效抑制二次缺陷形成的新方法.
卢武星R.J.SCHREUTLKAMPJ.R.LIEFTINGF.W.SARIS
关键词：离子注入硅高能重离子
硅中砷离子注入的研究
1979年
离子注入作为一种新技术和新兴的边缘学科,在半导体器件生产和大规模集成电路以及超大规模集成电路的研制中得到了普遍的应用。据报导,离子注入已经以五十多种不同的方式出色地使用于半导体器件的研制。在高浓度、浅结的 n 型层制备中,引人注目的是砷离子注入工艺。这是由于 As 在 Si 中固溶度较高,扩散系数小。
刘尚合卢武星
关键词：离子注入载流子浓度退火温度薄层电阻固溶度晶向
离子束缺陷工程与离子注入激活率的提高
1997年
研究了运用离子束缺陷工程提高离子注入Si中掺杂激活率的新方法．MeV高能Si注入被有效地用于防止缺陷（损伤）层对P激活的有害影响，大大提高了掺杂杂质的平均激活水平．
卢武星刘洁J.R.Liefting
关键词：掺杂离子注入
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0