叶志高
- 作品数：5 被引量：18H指数：2
- 供职机构：浙江大学材料与化学工程学院硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- PLD（脉冲激光沉积法）制备ZnO基稀磁半导体薄膜及其性能研究
- DMS(稀磁半导体)同时应用了电子电荷和自旋性质，因此可以直接与现有的半导体器件集成，可以用来制备各种超低能量消耗高密度的信息存储器、逻辑器和自旋偏振光发射器等集成了光、电、磁功能的新型器件。稀磁半导体是具有自旋极化的半...
- 叶志高
- 关键词：脉冲激光沉积半导体薄膜稀磁半导体
- 文献传递
- N<Sub>2</Sub>O掺杂p型Zn<Sub>1－x</Sub>Co<Sub>x</Sub>O稀磁半导体薄膜及其制备方法
- 本发明涉及N<Sub>2</Sub>O掺杂生长p型Zn<Sub>1－x</Sub>Co<Sub>x</Sub>O稀磁半导体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯ZnO、Co<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
- 朱丽萍叶志高叶志镇赵炳辉
- 文献传递
- N掺杂对Co-ZnO薄膜电学和磁学性能的影响被引量：4
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)法通过电离活化方式在石英和Si(100)衬底上制备了Co-N共掺ZnO薄膜,研究了N掺杂对Co-ZnO薄膜电学和磁学性能的影响.实验观察到700℃、N2O压强为15Pa时生长的Co-N共掺ZnO薄膜显示室温磁滞回线.采用XRD、SEM、XPS、霍尔测试和SQUID等手段对样品进行了测试,结果表明,所得薄膜样品具有高度的c轴择优取向,XRD图谱中并没有发现Co、N的相关分相,Co、N原子分别以替代位形式CoZn、NO存在于薄膜中.霍尔测试和SQUID测试表明,Co-N共掺ZnO薄膜呈p型,具有室温磁滞效应.与Co掺杂ZnO薄膜相比,载流子浓度降低,同时,饱和磁化强度和矫顽力有很大提高,可见,N的掺入改变了Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的导电类型,并增强了磁性。
- 王雪涛朱丽萍叶志高叶志镇赵炳辉
- 关键词：PLDZNO薄膜磁性
- Co掺杂ZnO薄膜的结构和磁学性能(英文)被引量：2
- 2008年
- 研究了用单束脉冲激光沉积法制备的Co掺杂ZnO薄膜的结构和磁学性能。XRD表征结果表明制备的薄膜是具有沿c轴择优取向的纤锌矿点阵结构。然而,进一步的高分辨电子显微镜结果显示整个样品上的晶体取向并不完全相同。很难说明形成了单晶。结果分析表明Co占据了部分Zn的格点,并对电子结构产生了影响。室温下观察到了磁滞回线,显示掺杂Co可以实现ZnO的磁性翻转,但磁性比较小。该薄膜与我们以前用双束脉冲激光沉积法制备的Co掺杂ZnO薄膜具有相似的性能,提示我们其内部的机制可能相似。
- 彭英姿叶志高叶志镇汪友梅朱丽萍
- 关键词：稀磁半导体脉冲激光沉积法磁性
- 脉冲激光沉积法(PLD)生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能被引量：11
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0.02Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线。采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析,得到的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,结构比较致密,表面平整度较高,并且没有发现Co的相关分相,初步表明Co有效地掺入了ZnO的晶格当中。霍尔测试表明Co掺杂ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能,电阻率为0.04Ω·cm左右,载流子浓度约为1018/cm3,迁移率都在18.7cm2/V·s以上。实验结果表明材料保持了ZnO半导体的性能,并具有室温铁磁性。
- 叶志高朱丽萍彭英姿叶志镇何海平赵炳辉
- 关键词：氧化锌CO掺杂脉冲激光沉积
