周勇波
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
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- c面GaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法
- 本发明公开了一种c面GaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法，主要解决现有技术不能用x射线衍射仪获取应力沿c轴分布的信息的问题。其技术步骤是：将c面GaN材料水平放置于x射线衍射仪的载物台；依次对GaN材料中的(0002)...
- 张金风聂玉虎周勇波张进成郝跃
- 文献传递
- 晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二维电子气输运特性研究被引量：1
- 2011年
- 文章研究了InAlN/GaN和引入AlN界面插入层形成的InAlN/AlN/GaN材料的输运性质.样品均在蓝宝石上以脉冲金属有机物化学气相淀积法生长,霍尔迁移率变温特性具有典型的二维电子气(2DEG)特征.综合各种散射机理包括声学形变势散射、压电散射、极性光学声子散射、位错散射、合金无序散射和界面粗糙度散射,理论分析了温度对迁移率的影响,发现室温下两种材料中2DEG支配性的散射机理都是极性光学波散射和界面粗糙度散射;AlN插入层对InAlN/GaN材料迁移率的改善作用一方面是免除2DEG的合金无序散射,另外还显著改善异质界面,抑制了界面粗糙度散射.考虑到2DEG密度也是影响其迁移率的重要因素,结合实验数据给出了晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料的2DEG迁移率随电子密度变化的理论上限.
- 王平亚张金风薛军帅周勇波张进成郝跃
- 关键词：二维电子气迁移率
- 高电子迁移率晶格匹配InAlN/GaN材料研究被引量：2
- 2011年
- 文章基于蓝宝石衬底采用脉冲金属有机物化学气相淀积(MOCVD)法生长的高迁移率InAlN/GaN材料,其霍尔迁移率在室温和77K下分别达到949和2032cm2/Vs,材料中形成了二维电子气(2DEG).进一步引入1.2nm的AlN界面插入层形成InAlN/AlN/GaN结构,则霍尔迁移率在室温和77K下分别上升到1437和5308cm2/Vs.分析样品的X射线衍射、原子力显微镜测试结果以及脉冲MOCVD生长方法的特点,发现InAlN/GaN材料的结晶质量较高,与GaN晶格匹配的InAlN材料具有平滑的表面和界面.InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料形成高迁移率特性的主要原因归结为形成了密度相对较低(1.6×1013—1.8×1013cm-2)的2DEG,高质量的InAlN晶体降低了组分不均匀分布引起的合金无序散射,以及2DEG所在界面的粗糙度较小,削弱了界面粗糙度散射.
- 张金风王平亚薛军帅周勇波张进成郝跃
- 关键词：二维电子气迁移率
- c面GaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法
- 本发明公开了一种c面GaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法，主要解决现有技术不能用x射线衍射仪获取应力沿c轴分布的信息的问题。其技术步骤是：将c面GaN材料水平放置于x射线衍射仪的载物台；依次对GaN材料中的(0002)...
- 张金风聂玉虎周勇波张进成郝跃
- GaN材料位错按深度分布的表征及位错与点缺陷关系的研究
- Ⅲ族氮化物半导体材料(GaN，AlN，InN)及其电子和光电器件已成为半导体研究领域的热点之一。GaN具有高熔点(2300℃)、低分解点(约900℃)的特点，目前其材料制备的主流工艺为异质外延技术。与衬底之间的晶格失配和...
- 周勇波
- 关键词：X射线衍射点缺陷半导体材料位错密度
- 文献传递
