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尹聪

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇英文
  • 1篇质子
  • 1篇质子辐照
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇钛酸铅
  • 1篇锆钛酸铅
  • 1篇流体模型
  • 1篇巨磁电阻
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀损伤
  • 1篇二流体模型
  • 1篇尺寸
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻
  • 1篇磁性能

机构

  • 2篇清华大学

作者

  • 2篇任天令
  • 2篇尹聪
  • 1篇王林凯
  • 1篇张明明
  • 1篇贾泽
  • 1篇徐建龙

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
集成工艺中湿法刻蚀对锆钛酸铅性能的影响(英文)
2011年
通过将溶胶凝胶法制备的锆钛酸铅(PZT)在非晶态和多晶态进行刻蚀,对比未经刻蚀的PZT性能,研究了集成工艺中湿法刻蚀造成极化和耐久性能退化的机理.PZT的结晶图谱和表面形貌分析发现,湿法刻蚀中产生的非铁电成分由于具有较小的介电常数,降低了铁电材料上分担的有效测试电压,导致刻蚀后PZT极化能力的降低.未刻蚀的PZT翻转1011次后极化值损失约3%,而刻蚀后极化值减小量大于5%.随着尺寸的减小,耐久特性的降低更为明显,100μm×100μm的PZT极化值减小量约为500μm×500μm样品的3倍.高温过程中由于湿法刻蚀而产生的缺陷和空隙在PZT内部重新分布,外加电压下有更多的电子被缺陷和空隙束缚而产生内建电场并钉扎铁电畴,不同器件尺寸的PZT内部缺陷和空隙浓度的变化不同,导致耐久特性随PZT器件尺寸而不同.利用压电特性参数与极化强度的关系,可以解释湿法刻蚀对压电特性造成损伤的原因.
张明明贾泽尹聪王林凯任天令
关键词:锆钛酸铅湿法刻蚀尺寸刻蚀损伤
质子辐照对多层膜巨磁电阻结构磁性能的影响(英文)被引量:1
2014年
研究了质子辐照对多层膜巨磁电阻结构磁性能的影响。利用5 MeV的不同辐照剂量和剂量率的质子对磁控溅射法制备的CoFe/(CoFe/Cu)10/CoFe/Ta多层膜巨磁电阻结构进行辐照实验。XRD分析表明质子辐照没有改变CoFe/Cu的晶格结构。分析磁滞回线和磁电阻曲线得知在实验选取的辐照剂量范围内,饱和磁化强度和本征电阻随着辐照剂量的增加而增加,而矫顽场和磁电阻率随剂量的增加而减小。利用质子辐照对自旋相关散射、平均自由程的影响解释了本征电阻的变化,并基于二流体模型对磁电阻率的变化进行了分析。由此得出,多层膜巨磁电阻结构具有一定的抗辐照能力。
尹聪谢丹徐建龙任天令
关键词:巨磁电阻质子辐照二流体模型
共1页<1>
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