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康健

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇原子
  • 1篇金刚石
  • 1篇硅衬底
  • 1篇刚石
  • 1篇SI衬底
  • 1篇衬底
  • 1篇H

机构

  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇林彰达
  • 1篇康健
  • 1篇冯克安
  • 1篇熊艳云
  • 1篇肖长永

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构被引量：1
1999年
用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子 Ｈ 与被 Ｃ２ Ｈ２ 吸附的 Ｓｉ（１００） 界面的相互作用．结果显示，在 Ｓｉ（１００） 界面上， Ｓｉ— Ｓｉ 二聚化键和 Ｃ２ Ｈ２ 中的 Ｃ— Ｃ 键被 Ｈ 原子打开，它们分别形成 Ｓｉ— Ｈ， Ｃ— Ｈ 键．用 Ａ Ｍ１ 量子化学方法，计算了 Ｃ２ Ｈ２ 和 Ｃ２ Ｈ４ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附结构，指出了 Ｃ２ Ｈ２ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附位置，进一步讨论了金刚石在 Ｓｉ 异质外延初始阶段的形核机制．计算结果显示：在原子 Ｈ 的作用下，可以显著地降低反应的活化能，有利于 Ｃ Ｈ３ 的产生和 Ｃ Ｈ３ 向 Ｓｉ 衬底的键连．计算结果与实验相符合．
康健肖长永熊艳云冯克安林彰达
关键词：金刚石硅衬底
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共1页<1>
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