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廖秀尉

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇半导体
  • 3篇脉冲激光
  • 3篇脉冲激光沉积
  • 2篇导体
  • 2篇电子器件
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇异质结
  • 2篇栅结构
  • 2篇铁电
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子器件
  • 2篇脉冲激光沉积...
  • 2篇晶体管
  • 2篇半导体异质结
  • 2篇BIFEO3
  • 2篇C轴
  • 2篇C轴取向
  • 2篇GAN基半导...
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管

机构

  • 6篇电子科技大学

作者

  • 6篇廖秀尉
  • 5篇朱俊
  • 4篇郝兰众
  • 3篇罗文博

传媒

  • 2篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
脉冲激光沉积法在GaN基片上制备c轴取向LiNbO3薄膜
本工作采用LiNbO单晶靶材(Li:Nb=48:52),以脉冲激光沉积法(PLD)在GaN(0001)基片上沉积制备了(0001)取向的LiNbO薄膜。对采用脉冲激光沉积法制备LiNbO薄膜的工艺进行了系统的研究;利用X...
廖秀尉朱俊罗文博郝兰众
文献传递
半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法
半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法，涉及微电子器件制备领域。本发明包括下述步骤：(1)在已制作了源电极和漏电极的GaN基半导体异质结构上涂覆正性光刻胶；(2)通过曝光和显影工艺对光刻胶进行微图形化，留下合适的区域制...
朱俊廖秀尉郝兰众李言荣
BiFeO3多铁薄膜与GaN基半导体的集成生长与性能研究
信息技术的高速发展要求电子系统具有更小的体积，更快的速度、更强的功能和更低的功耗，这导致了电子元器件向微型化、单片化和多功能集成化方向的发展。BiFeO3(BFO)是一种在室温下铁电性和铁磁性共存的多铁材料，其具有铁电极...
廖秀尉
关键词：电子元器件电学性能
文献传递
GaN基半导体上BiFeO_3薄膜的生长与性能研究被引量：1
2010年
采用脉冲激光沉积法在(0001)取向的GaN以及AlGaN/GaN调制掺杂结构上制备了(111)取向的BiFeO3(BFO)薄膜。首先在导电氧化物SrRuO3和TiO2缓冲层包覆的GaN上制备了BFO薄膜,分析了在GaN上生长的BFO薄膜的面外取向、外延关系、表面形貌以及电学性能等性质。然后,在AlGaN/GaN调制掺杂结构上采用TiO2缓冲层生长了BFO薄膜,并采用光刻工艺分别在AlGaN表面制备Ti/Al/Ti/Au欧姆电极和BFO表面制备Ni/Au肖特基电极以形成二极管结构。C-V测试表明,由于BFO铁电薄膜极化的作用,BFO/TiO2/AlGaN/GaN结构具有1 V左右的逆时针窗口。
罗文博朱俊廖秀尉
关键词：BIFEO3脉冲激光沉积X射线衍射
半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法
半导体异质结场效应晶体管栅结构的制备方法，涉及微电子器件制备领域。本发明包括下述步骤：(1)在已制作了源电极和漏电极的GaN基半导体异质结构上涂覆正性光刻胶；(2)通过曝光和显影工艺对光刻胶进行微图形化，留下合适的区域制...
朱俊廖秀尉郝兰众李言荣
文献传递
脉冲激光沉积法在GaN基片上制备c轴取向LiNbO_3薄膜被引量：1
2010年
采用LiNbO3单晶靶材，以激光脉冲沉积方法在六方GaN（0001）基片上沉积制备c轴取向的LiNb03薄膜。利用x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（ARM）研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成、外延关系、表面形貌、晶粒大小的影响。结果显示，沉积温度500℃、氧分压20～30Pa是在GaN基片上生长C轴取向LiNbO3薄膜的最优生长条件。XRD分析表明，生长的LiNbO3薄膜具有两种晶畴结构，其外延关系分别为[1-100]（0001）LiNbO3/／[11-20]（0001）GaIN和[10-10]（0001）LiNbO3／／[-12—10]（0001）GaN。SEM和AFM对薄膜的表面形貌表征表明，在最优生长条件下沉积的薄膜表面平整，致密度好。
廖秀尉朱俊罗文博郝兰众
关键词：C轴取向脉冲激光沉积XRD
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