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张丽超

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:北京大学上海微电子研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科学技术委员会科研基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇LED
  • 1篇外延片
  • 1篇芯片
  • 1篇抗静电
  • 1篇抗静电性
  • 1篇抗静电性能
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇白光
  • 1篇GAN
  • 1篇LED外延片
  • 1篇测试分析

机构

  • 2篇长春理工大学
  • 1篇北京大学

作者

  • 3篇张丽超
  • 1篇高欣
  • 1篇严伟
  • 1篇薄报学

传媒

  • 1篇半导体光电
  • 1篇长春理工大学...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
白光高压LED的加速老化实验研究被引量:2
2013年
在120℃的环境温度下,对两组GaN基白光高压发光二极管(HV LED)进行了电流对比加速老化实验。实验中,分别向两组HV LED通入20mA和30mA的恒流电流,通过其老化前后光色电性能参数、I-V曲线以及光照度的变化,分析老化的内在机理;根据样品在不同波段的光谱能量变化及其比值,找出LED老化中主要的影响因素。研究结果表明,随着老化时间的增加,芯片电极的欧姆接触退化,以及芯片材料中的缺陷增多,使HV LED电极脱落、芯片发生严重断裂,从而导致芯片老化失效。
张丽超高欣薄报学李抒智
关键词:GAN
LED结构抗静电性能的研究
目前LED广泛应用于医疗、车载、显示等领域,但应用过程中LED失效现象偏多,而失效很多情况下来自于静电,因此,本文针对此现象对LED进行了抗静电能力测试,根据测试结果对其进行研究,分析其内在失效机理。  本文分析了LED...
张丽超
关键词:发光二极管抗静电性能
LED外延片上芯片静电击穿的测试分析被引量:1
2015年
利用静电仪和HBM模型研究了GaN基LED外延片上芯片的抗静电性能,并根据pn结势垒电容的特性,对实验结果进行了分析。实验结果表明,缺陷击穿与外延片的工艺有着密切的关系;随着外延片上芯片尺寸的增大,其抗静电能力也随之增强。
李抒智庄美琳严伟张丽超
关键词:LED外延片
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