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张天冲

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇光电
  • 6篇金属
  • 5篇氧腐蚀
  • 5篇氧化物薄膜
  • 5篇探测器
  • 5篇紫外探测
  • 5篇紫外探测器
  • 4篇单晶
  • 4篇单晶薄膜
  • 4篇电子器件
  • 4篇晶格
  • 4篇活性
  • 4篇硅基
  • 3篇电接触
  • 3篇线阵
  • 3篇金属箔
  • 3篇加热温度
  • 3篇半导体
  • 2篇电路
  • 2篇电器件

机构

  • 19篇中国科学院
  • 1篇清华大学
  • 1篇曲阜师范大学

作者

  • 19篇张天冲
  • 18篇梅增霞
  • 18篇杜小龙
  • 12篇薛其坤
  • 9篇郭阳
  • 7篇王喜娜
  • 5篇刘尧平
  • 5篇李含冬
  • 5篇董靖
  • 5篇曾兆权
  • 5篇刘章龙
  • 5篇袁洪涛
  • 4篇顾长志
  • 3篇贾金锋
  • 3篇崔秀芝
  • 2篇罗强
  • 2篇郑浩
  • 2篇王勇
  • 1篇苏希玉

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 8篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ZnO金属肖特基接触的制备方法及其在紫外探测器中的应用
本发明公开了一种利用MBE低温生长法在ZnO单晶薄膜表面原位制备金属薄膜电极而形成肖特基接触的方法，尤其是超高真空原位沉积金属导电薄膜的方法。其步骤为：利用超高真空传样系统，将MBE生长室制备好的ZnO单晶薄膜样品直接经...
张天冲梅增霞郑浩杜小龙薛其坤罗强顾长志
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一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法
本发明公开了一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法。该器件结构包括：p－Si衬底；MgO绝缘层；n－ZnO基薄膜层；n型欧姆接触电极；p型欧姆接触电极。该器件的制备方法包括如下步骤：在清洁的Si衬底上用外延生长设备...
张天冲郭阳梅增霞顾长志杜小龙
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一种耐活性氧腐蚀的新型高效衬底加热装置
本发明公开了一种耐活性氧腐蚀的衬底加热装置，包括固定板、两端开口的热屏蔽套筒、一片以上热屏蔽片、高温加热单元、一端开口的透明隔离罩单元以及衬底放置单元。本发明采用合理物理几何设计结构，能获得不低于1000℃均匀平面温场，...
李含冬杜小龙梅增霞曾兆权袁洪涛王喜娜董靖张天冲薛其坤
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一种在硅晶片上制备硅化镁薄膜的方法
本发明公开了一种在硅晶片上制备Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜的方法，即分五步依次在超高真空环境下热处理硅晶片获得清洁的硅表面、低温沉积金属镁薄膜、低温氧化金属镁膜以获得MgO层、低温沉积氧化物覆盖层、以及高温退火形...
杜小龙王喜娜王勇梅增霞张天冲薛其坤
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活性气体环境中实时监测金属源束流变化的装置和方法
本发明公开了一种活性气体环境中薄膜生长过程实时监测金属源束流变化的装置和方法。装置包括真空规、真空规电源、数字电压检测表、计算机控制系统。方法包括如下步骤：薄膜生长室内通入恒定流量的活性气体，利用数字电压检测表测定背景气...
张天冲杜小龙梅增霞崔秀芝刘章龙刘尧平郭阳薛其坤
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一种制备MgZnO单晶薄膜的方法
本发明公开了一种制备MgZnO单晶薄膜的方法，本方法中利用中等Mg组分MgZnO缓冲层，有效地驰豫了强离子性Mg-O键带来的晶格畸变所产生的影响，从而有利于后续高Mg组分MgZnO薄膜的生长。利用该方法，能够精确地控制M...
刘章龙杜小龙梅增霞张天冲郭阳
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一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法
本发明公开了一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法。该器件结构包括：p-Si衬底；MgO绝缘层；n-ZnO基薄膜层；n型欧姆接触电极；p型欧姆接触电极。该器件的制备方法包括如下步骤：在清洁的Si衬底上用外延生长设备...
张天冲郭阳梅增霞顾长志杜小龙
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一种制备MgZnO单晶薄膜的方法
本发明公开了一种制备MgZnO单晶薄膜的方法，本方法中利用中等Mg组分MgZnO缓冲层，有效地驰豫了强离子性Mg－O键带来的晶格畸变所产生的影响，从而有利于后续高Mg组分MgZnO薄膜的生长。利用该方法，能够精确地控制M...
刘章龙杜小龙梅增霞张天冲郭阳
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一种耐活性氧腐蚀的衬底加热装置
本发明公开了一种耐活性氧腐蚀的衬底加热装置，包括固定板、两端开口的热屏蔽套筒、一片以上热屏蔽片、高温加热单元、一端开口的透明隔离罩单元以及衬底放置单元。本发明采用合理物理几何设计结构，能获得不低于1000℃均匀平面温场，...
李含冬杜小龙梅增霞曾兆权袁洪涛王喜娜董靖张天冲薛其坤
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一种p型ZnO薄膜制造方法
本发明公开了一种采用NaOH或LiOH作为掺杂剂的p型ZnO薄膜制造方法，在外延生长ZnO的同时通过热蒸发掺入NaOH(LiOH)，在ZnO薄膜中实现了Na-H或Li-H共掺，Na或Li原子在ZnO晶格中处于替锌位Na<...
刘尧平张天冲梅增霞郭阳杜小龙
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共2页<12>
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