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张志花

作品数：9 被引量：2H指数：1
供职机构：河北工业大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇科技成果
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 3篇键合
  • 3篇锗
  • 2篇底片
  • 2篇抛光片
  • 2篇键合强度
  • 2篇硅器件
  • 2篇CMP技术
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化钛
  • 1篇电路
  • 1篇切削液
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子技术
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇介质
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇化学机械抛光

机构

  • 9篇河北工业大学

作者

  • 9篇张志花
  • 9篇刘玉岭
  • 6篇张德臣
  • 4篇李薇薇
  • 4篇李湘都
  • 3篇徐晓辉
  • 3篇张楷亮
  • 3篇檀柏梅
  • 2篇王娟
  • 2篇周建伟
  • 2篇张文智
  • 1篇连军
  • 1篇于桂兰
  • 1篇张西慧
  • 1篇赖占平
  • 1篇张存善
  • 1篇张远祥
  • 1篇王新
  • 1篇邢哲
  • 1篇张志刚

传媒

  • 1篇稀有金属

年份

  • 3篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1997
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
ULSI制备中SiO_2介质表面状态的研究
刘玉岭檀柏梅李薇薇张楷亮张存善邢哲张德臣张志花李湘都
ULSI制备中介质CMP机理的研究还在定性的阶段，人们还缺少有关定量方面的知识。我们通过大量实验优化了CMP工艺，系统的研究CMP工艺过程参数，提出了介质CMP化学作用模型，通过增加化学作用，提高抛光速率，加入表面活性剂...
关键词：
关键词：ULSI化学机械全局平面化
硅/硅键合新方法的研究被引量：2
2000年
研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅／硅键合的一整套新技术（代替通用的亲水法）；实现了键合层无孔洞， 边沿键合率达９８％ 以上， 键合强度达２１５６ Ｐａ 以上， 并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质， 实现了应力补偿。
刘玉岭王新张文智徐晓辉张德臣张志花
关键词：硅锗键合
用锗进行硅/硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片
一种用锗进行硅/硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片，其主要技术特征是在硅抛光片上淀积锗层，然后两片相对锗层在中间，放入烧结炉内键合，可制备N<Sup>-</Sup>/N<Sup>+</Sup>、P<Sup>-</Sup>...
刘玉岭徐晓辉张文智张德臣张志花
文献传递
纳米材料在微电子技术中的应用
刘玉岭王娟檀柏梅张建新李薇薇周建伟张西慧张楷亮张志花李湘都张德臣
成功实现了分散度小的粒径可控生长，有效控制了金属杂质含量；解决了纯度及稳定性问题，提高了适用性。制得可用于不同材质抛光的不同粒径范围，具有较小分散度的硅溶胶，为CMP工艺提供了合格的精抛磨料。此成果完成后，用于微电子用抛...
关键词：
关键词：纳米材料微电子技术
用锗进行硅/硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片
一种用锗进行硅/硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片，其主要技术特征是在硅抛光片上淀积锗层，然后两片相对锗层在中间，放入烧结炉内键合，可制备N<Sup>-</Sup>/N<Sup>+</Sup>、P<Sup>-</Sup>...
刘玉岭徐晓辉张文智张德臣张志花
文献传递
蓝宝石衬底纳米磨料CMP技术的研究
刘玉岭檀柏梅赵之雯张远祥刘钠于桂兰李薇薇张志花
通过对抛光机理的深入研究，实现了抛光无划伤的效果，与国外同类技术比较，这种抛光液及技术可远超过其1μm/h的速率，且产生划伤少，表面粗糙度低，并可有效避免金属离子的沾污。此成果完成后，适用于氮化镓基衬底材料蓝宝石晶体的全...
关键词：
关键词：CMP技术
铝、钽、钨、铜及氮化钛等金属纳米磨料CMP技术及其应用的研究
刘玉岭李薇薇王娟周建伟金善明杨福山高鹏孙守梅袁育杰李广福张德臣张志花李湘都
采用高PH值（一般PH值大于10.5）抛光液，实现了抛光高速率、反应产物可溶、易于清洗；抛光速率可控，防止设备腐蚀，减少了金属离子的污染；按照速率的要求来确定温度；利用络合剂解决在碱性介质下氧化物和氢氧化物的沉淀问题；利...
关键词：
关键词：CMP技术
FA/O半导体材料切削液及技术的研究
刘玉岭张楷亮张志刚赖占平连军张志花
根据国际上对ULSI衬底低损伤、低微裂、低应力的要求，在切削机理、切削剂和切削技术上进行了创新性研究，首先提出了衬底滚磨、切削、倒角对衬底制备中损伤、微裂、应力的影响机理和器件制备中的危害。其主要创新点如下：（1）提出了...
关键词：
关键词：半导体材料切削液
用化学方法提高固体表面光洁度的研究及应用
刘玉岭徐晓辉李湘都王永滨张德臣张志花
该项目属于精细化学工程与表面化学工程领域，主要用于提高固体材料表面光洁度：去除吸附颗粒、控制金属离子在表富集、降低粗糙度，如：微电子器件高质量硅单晶抛光片制备；0.35μm以下甚大规模集成电路(ULSI)多层布线立体结构...
关键词：
关键词：表面光洁度大规模集成电路化学机械抛光
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