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文献类型

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领域

  • 4篇电子电信

主题

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  • 1篇刻蚀
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  • 1篇反应离子刻蚀

机构

  • 4篇上海交通大学
  • 2篇霍尼韦尔(中...

作者

  • 4篇徐峥谊
  • 4篇刘景全
  • 4篇蔡炳初
  • 4篇方华斌
  • 3篇陈迪
  • 2篇董璐
  • 1篇徐东
  • 1篇王莉

传媒

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  • 1篇中国机械工程
  • 1篇中国微米纳米...

年份

  • 2篇2006
  • 2篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
PZT厚膜压电悬臂梁结构的有限元分析
本文设计了一种硅微悬臂梁结构,在低频环境中以压电厚膜进行信号转换、谐振.使用有限元分析软件ANSYS对结构建模,并进行模态和谐响应分析.模拟分析的结果表明:通过制备添加金属质量块及选择合理的尺寸范围,结构固有频率可在10...
方华斌刘景全陈迪蔡炳初徐峥谊
关键词:低频谐振有限元分析电压输出PZT厚膜
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压电型微悬臂梁制备中RIE刻蚀硅工艺的研究被引量:3
2006年
介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明,在SF6流量为20 mL/min,射频功率为20 W,工作气压为8.00 Pa的工艺条件下,硅刻蚀速率可以提高到401 nm/min,75 mm(3 in.)基片范围内的均匀性为±3.85%,硅和光刻胶的刻蚀选择比达到7.80。为制备压电悬臂梁或其它含功能薄膜的微结构提供了良好的参考。
董璐方华斌刘景全徐东徐峥谊蔡炳初
关键词:反应离子刻蚀均匀性选择比
微拾振器压电悬臂梁结构的设计与测试被引量:1
2006年
提出了一种压电悬臂梁结构的微拾振器,利用有限元法计算了结构的固有频率和电压输出,以设计适合具体应用环境的器件结构。采用MEMS技术制备了器件原型并进行了试验测试。研究表明,所制备的器件在加速度为9.8 m/s2的低频谐振激励下电压输出达200 mV以上。考虑到压电薄膜的制备和湿法刻蚀硅造成的不均匀性,可以认为,测试结果和模拟结果基本相符,为设计、制备高性能的器件打下了良好的基础。
方华斌董璐刘景全陈迪蔡炳初徐峥谊王莉
关键词:有限元模拟固有频率电压输出
PZT厚膜压电悬臂梁结构的有限元分析被引量:3
2005年
设计了一种硅微悬臂梁结构,在低频环境中以压电厚膜进行信号转换、谐振.使用有限元分析软件ANSYS对结构建模,并进行模态和谐响应分析.模拟分析的结果表明:通过制备添加金属质量块及选择合理的尺寸范围,结构固有频率可在100~1500Hz之间;该结构在共振条件下将运动信号转换为电压信号输出时,电压可达0.4V以上,足以开启双锗二极管进行电路整流.
方华斌徐峥谊刘景全陈迪蔡炳初
关键词:低频谐振有限元分析电压输出
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