2025年2月15日
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徐科
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278
被引量:39
H指数:3
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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国家自然科学基金
江苏省自然科学基金
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相关领域:
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合作作者
王建峰
苏州纳维科技有限公司
刘争晖
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
徐耿钊
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
钟海舰
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
樊英民
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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作者
278篇
徐科
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王建峰
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刘争晖
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徐耿钊
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2010
1篇
2008
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278
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多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法
本发明提供多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法,属于半导体测试领域。装置包括反应腔室、原子力显微镜、电子显微镜和样品台,样品台、原子力显微镜、电子显微镜均位于反应腔内;所述减薄待测样品的方法步骤为:将一样品置于反应腔室...
刘争晖
徐耿钊
钟海舰
樊英民
曾雄辉
王建峰
周桃飞
邱永鑫
徐科
文献传递
镓金属薄膜的制作方法以及氮化镓衬底的保护方法
提供了一种镓金属薄膜的制作方法,其中,利用金属有机化学气相沉积法在衬底的表面制作形成镓金属薄膜。还提供了一种氮化镓衬底的保护方法。本发明通过在衬底表面制作镓金属薄膜,能够防止衬底表面直接暴露于空气中。在这种情况下,在衬底...
邵凯恒
蔡亚伟
夏嵩渊
张育民
王建峰
徐科
文献传递
肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法,包括步骤:A、依次生长重掺杂层和轻掺杂层,形成GaN自支撑衬底,其中,重掺杂层和轻掺杂层的GaN掺杂浓度和厚度分别为1×10<Sup>18</Sup>~1×10<Sup>19</S...
刘磊
周桃飞
王建峰
徐科
文献传递
叠设高掺杂层的GaN单晶衬底
本实用新型公开了一种叠设高掺杂层的GaN单晶衬底。所述叠设高掺杂层的GaN单晶衬底包括籽晶和叠设在所述籽晶上的非掺杂氮化镓层和高掺杂氮化镓层,所述高掺杂氮化镓层分布在两个所述非掺杂氮化镓层之间。本实用新型实施例提供的一种...
顾泓
刘宗亮
徐科
一种测量氮化镓材料的镓空位浓度的方法及系统
本发明公开了一种测量氮化镓材料的镓空位浓度的方法,该方法包括:在相同条件下,对待测氮化镓材料和标准氮化镓材料分别进行拉曼光谱测试,以获取待测氮化镓材料的拉曼强度和标准氮化镓材料的拉曼强度;根据待测氮化镓材料的拉曼强度、标...
顾泓
刘宗亮
王建峰
徐科
石墨烯上外延GaN薄膜的取向演变研究
被引量:3
2020年
本文研究了在石墨烯上生长GaN薄膜时晶体取向的变化。采用AlN成核层辅助生长,GaN由取向相差较大的小晶粒,逐渐合并为与石墨烯取向一致的晶粒,最终形成了约4.6μm厚的GaN薄膜。通过EBSD和XRD证实了GaN晶体取向一致性的提高,拉曼光谱也表明GaN晶体的高质量。
周浩
周浩
徐俞
徐科
徐科
关键词:
GAN
石墨烯
ALN
晶体取向
Ⅲ族氮化物微纳结构的激光处理方法及发光器件
本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物微纳结构的激光处理方法及发光器件,所述方法包括:S1、提供Ⅲ族氮化物微纳结构,所述Ⅲ族氮化物微纳结构包括Ⅲ族氮化物薄膜及位于Ⅲ族氮化物薄膜上的Ⅲ族氮化物纳米线阵列结构;S2、采用超快飞秒激光连续...
武圆梦
易觉民
胡俊杰
王淼
王建峰
徐科
文献传递
二维氮化铝晶体的制备方法
本发明揭示了一种二维氮化铝晶体的制备方法,所述制备方法包括:S1、提供衬底,并清洗;S2、于真空环境下,在衬底表面形成铝层;S3、将形成有铝层的衬底置于反应腔室中;S4、加热反应腔室至恒定温度,以使衬底上的金属处于熔融态...
王雨微
宋文涛
徐耿钊
刘争晖
张春玉
陈科蓓
韩厦
徐科
光谱扫描测试装置及其测试方法
本发明公开了一种光谱扫描测试装置,包括:用于向待测样品提供一预定温度的测试环境的制冷样品室;设置于制冷样品室中且用于承载待测样品的样品台,其以预定数量级的位移精度进行移动;至少包括显微镜及激光光源的显微光路系统,其中,激...
张敏
顾泓
周桃飞
张志强
刘磊
田飞飞
郑树楠
徐科
文献传递
氮化镓体单晶及其生长方法
本发明公开了一种氮化镓体单晶及其生长方法。所述生长方法包括:在以助熔剂法生长氮化镓体单晶的过程中,在氮化镓体单晶与籽晶的界面处形成孔洞结构,使生长形成的氮化镓体单晶与籽晶之间形成弱连接;以及破坏所述弱连接,使氮化镓体单晶...
司志伟
刘宗亮
徐科
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