李伟华
- 作品数：276 被引量：189H指数：7
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程一般工业技术更多>>
- 微机电系统器件加工中绝缘层与半导体导电层图形对准误差电学测试结构
- 一种微机电系统器件加工中绝缘层与半导体导电层图形对准误差电学测试结构，以金属层为基本层，设计对准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体，一块为梯形，另一块为矩形，二者平行；与半导体层接...
- 李伟华钱晓霞
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- 基于热损失工作方式的矩形硅膜二维风速风向传感器
- 本实用新型提出的基于热损失工作方式的矩形硅膜二维风速风向传感器，采用矩形的半导体硅薄膜(104)作为传感面，传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上设置一排发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)...
- 李伟华
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- 纵向多面栅金属－氧化物－半导体场效应晶体管及其制造方法
- 纵向多面栅金属－氧化物－半导体场效应晶体管及其制造方法是一种利用侧壁栅形式实现载流子纵向迁移和多面栅MOSFET的结构，该晶体管利用侧壁栅的形式实现载流子的纵向迁移，自上而下分别为上源/漏区1、多晶硅栅4、下漏/源区3的...
- 李伟华方圆钱莉李荣强
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- 多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构及检测方法
- 多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构是基于表面加工工艺的多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构，该测试结构由三个多晶硅弯梁即第一弯梁(101)、第二弯梁(102)、第三弯梁(103)和四个压焊块即第一压焊块(105)、第二压焊块(...
- 黄庆安刘祖韬李伟华
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- 负性化学放大胶的光刻模型及模拟被引量：2
- 2005年
- 在Ferguson的负性化学放大胶(CAR)后烘反应动力学模型基础上,增加了后烘过程中光致酸扩散模型,通过后烘模型的简化,得到了简化的后烘反应扩散动力学模型。将模拟图形与Ferguson的实验图形进行了比较,结果显示,简化的后烘反应扩散动力学模型比单纯的后烘反应动力学模型更准确,且程序运行占用的电脑资源更少。另外,通过不同曝光时间下的显影过程模拟,清晰地反映了光刻胶显影的过程,其结果与实际相符,对实际光刻工艺有较好的参考意义。
- 卢伟黄庆安李伟华周再发
- 关键词：光刻模拟
- 静电驱动微梁的节点分析法
- 本文采用加权残余法建立了静电驱动梁单元的节点法模型,在HSPICE中构建了相应的等效电路模型.以静电驱动的双端固支梁为例用ANSYS模拟软件对模型进行了验证,结果表明模型具有较高的精度.
- 李敏黄庆安李伟华
- 关键词：等效电路MEMS
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- 悬臂梁的受控源等效电路宏模型的建立及验证被引量：3
- 2003年
- 针对能代表MEMS器件特征的悬臂梁结构 ,采用了SPICE中标准多项式受控源的形式建立悬臂梁的多模态小信号等效电路宏模型。在外力的作用下 ,用SPICE软件对此悬臂梁宏模型和外加电路进行了系统级的模拟 ,得到分布参数的力传感器的输出电压幅频特性曲线 ;最后采用COVENTORWARE软件进行了模型的各个模态的谐振频率和相关曲线的验证。
- 闻飞纳李伟华戎华
- 关键词：悬臂梁受控源等效电路宏模型MEMS器件
- 硅材料顶层硅杨氏模量和残余应力的测试结构及测试方法
- 一种硅材料顶层硅杨氏模量和残余应力的测试结构及测试方法，结构包括SOI硅片，SOI硅片包括底层硅材料，底层硅材料上有第一、第二锚区绝缘介质层和电极绝缘介质层，其上分别有第一锚区、第二锚区和电极，底层硅材料上方有双端固支梁...
- 周再发高适萱黄庆安李伟华
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- 栅对准误差对双栅MOSFET性能影响的分析
- 2002年
- 双栅 MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件 ,它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点。但是目前自对准的双栅 MOSFET的工艺制作相当困难。本文中分析了双栅 MOSFET的正、背面栅存在对准误差时 ,对器件的静态及动态特性的影响 。
- 钱莉李伟华
- 关键词：静态特性动态特性
- MEMS薄膜泊松比在线提取方法研究被引量：1
- 2005年
- 提出了一种新的泊松比在线测量方法,在用两端固支梁静电吸合模型提取薄膜等效弹性模量的基础上,根据薄膜的等效弹性模量、杨氏模量、泊松比之间的关系提取薄膜的泊松比.在确定的工艺条件下,选择多组尺寸的测试结构用Coventor Ware软件计算吸合电压值,分析不同梁长对提取等效弹性模量精度的影响,表明选择合适的梁长可得到具有较高精度的泊松比.
- 聂萌黄庆安李伟华
- 关键词：等效弹性模量
