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杜文龙

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：中北大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇热释电
  • 1篇电传感器
  • 1篇信号
  • 1篇信号提取
  • 1篇研磨
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇热释电传感器
  • 1篇铌酸锂
  • 1篇磨具
  • 1篇晶片
  • 1篇刻蚀
  • 1篇拉曼
  • 1篇减薄
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基PZT
  • 1篇感器
  • 1篇PZT薄膜
  • 1篇残余应力
  • 1篇传感
  • 1篇传感器

机构

  • 3篇中北大学

作者

  • 3篇杜文龙
  • 2篇梁庭
  • 2篇薛晨阳
  • 1篇唐建军
  • 1篇叶挺
  • 1篇张文栋
  • 1篇李珺泓

传媒

  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇纳米科技

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
硅基PZT热释电薄膜湿法刻蚀技术研究
2009年
通过对不同组合比的PZT薄膜湿法刻蚀技术研究，成功地配制出两种不同的刻蚀液，主要以HF、NH4F、HCl、NH4ClEDTA、HNO3为原料，NH4F、NH4Cl和EDTA的引入，有效地实现了刻蚀速率的可控性，并对PZ0.15R0.85、PZ0.3T0.7、PZ0.5T0.5和P1.1Z0.3T0.3四种薄膜进行微图形化研究，分析了刻蚀液对各种成份的刻蚀机理，通过实验，得到了分别刻蚀四种薄膜的刻蚀液的最佳配比，并对四种薄膜的刻蚀速率进行了研究。
梁庭李珺泓杜文龙薛晨阳张文栋
关键词：PZT薄膜热释电湿法刻蚀
利用新设计磨具对铌酸锂晶片的减薄及减薄后的测试被引量：3
2010年
铌酸锂晶体具有较强的热释电效应,由铌酸锂制作的红外传感器敏感头受到科研人员的广泛关注。将晶片与硅衬底在200°C和压力100N的条件下键合,利用自行设计的磨具将铌酸锂减薄到40微米,磨料由水与刚玉以1∶1的比例制成。本文讨论了铌酸锂键合的过程,减薄的过程及厚度测试,通过拉曼光谱分析残余应力,通过原子力显微镜测试样品表面粗糙度。研究结果表明,通过自行设计的磨具研磨的晶片厚度最大差值7微米,较为均匀;研磨后晶片表面粗糙度为118纳米,较为粗糙;键合后存在一定的残余应力。制作好的铌酸锂晶片符合制作红外传感器敏感头的要求。
杜文龙梁庭薛晨阳唐建军叶挺
关键词：铌酸锂研磨晶片拉曼
热释电传感器敏感头的制作与测试
文章对热释电传感器的历史和发展进行描述，同时对所选用的铌酸锂晶体的特点及强电场下的极化作了说明。论文描述了热释电效应的原理，最后对热释电敏感头的整个实验过程作了说明。　　敏感头的制作主要有键合、减薄、镀膜、封装四个过程，...
杜文龙
关键词：热释电传感器残余应力信号提取
文献传递
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