杨化中
- 作品数：21 被引量：29H指数：3
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- 快重离子束引起的Cu-Si膜系的两种不同类型的增强附着效应
- 1990年
- 对沉积在N型半导体硅上的Cu薄膜用几MeV的Cl离子进行了不同剂量的辐照实验以观测其增强附着行为。结果表明,Cu-Si膜系存在两种不同类型的增强附着效应。用扫描电镜对低剂量轰击出现附着增强区域的硅基底表面进行观察,未发现任何微裂现象。这与人们在解释Au-SiO_2膜系出现类似增强附着时提出的微裂观点不相符合。
- 刘正民杨坤山杨化中裘元勋
- 关键词：阈值半导体
- 用裂变径迹法测量强中子源的中子注量分布被引量：1
- 1991年
- 本文叙述了用裂变径迹法测量强中子发生器中子注量分布的方法。测量了T(d,n)~4He反应氘束0°方向不同距离的中子注量分布,并同铝活化法和理论计算结果进行了比较;还测量了距靶11.3cm的平面上不同角度的中子注量分布,由此结果计算出半径为11.3cm球面上的中子注量分布,并与理论计算结果进行了比较。两者在实验误差范围内基本符合。
- 杨化中陈怀录
- 关键词：裂变径迹法中子注量
- 14MeV中子治疗仪束流特性的综述
- 1996年
- 描述了１４ＭｅＶ快中子治疗仪的束流特性，它包括：中子能谱、快中子与生物的相互作用、吸收剂量与深度的关系、吸收剂量与生物效应等．并同其他类型的中子治疗仪进行了比较．
- 杨化中陈尚文
- 散料γ射线测厚方法的研究被引量：7
- 1998年
- 散料γ射线厚度测量方法主要研究了宽束和窄束条件下，线减弱系数μ实与实验条件、散料厚度及散料含水量的变化规律，从中寻找计算散料厚度的方法，还研究了积累因子Ｂ与实验条件、散料厚度及含水量的关系。同时对实验测量的μ实与理论计算的μ理进行了比较。
- 杨化中姚泽恩贾文宝陈尚文苏桐龄张宇
- 关键词：散料Γ射线减弱系数厚度仪厚度测量
- 铁屏蔽T（d,n）^4He源的模拟结果分析被引量：2
- 1996年
- 用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法模拟了用铁屏蔽Ｔ（ｄ，ｎ）４Ｈｅ快中子源时不同条件下的透射率随铁厚度的变化规律。研究了（ｎ，２ｎ）反应对快中子慢化的作用，使较低能量的中子产生了累积效应，并分析了反射中子二次进入屏蔽体时透射率的变化规律。推荐了多层屏蔽体的铁的适当厚度，与国外数据符合较好。
- 杨化中陈向文
- 关键词：透射率中子发生器
- 兰州九洲台黄土中石膏裂变径迹年龄测定及黄土形成时代的探讨被引量：1
- 1991年
- 用裂变径迹法对兰州九洲台黄土中同生石膏矿物作了年龄测定,得出年龄值为1.46—1.52Ma,从而推断九洲台黄土形成时代应早于1.5Ma。
- 陈怀录陈发虎杨化中
- 关键词：黄土石膏裂变径迹年龄
- 天然铁屏蔽快中子的Monte Carlo模拟研究被引量：2
- 1997年
- 考虑了Ｔ（ｄ，ｎ）４Ｈｅ快中子与天然铁的所有反应后，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法建立了适用于天然铁球壳的中子输运程序；计算了快中子源屏蔽铁的不同厚度的透射中子能谱分布，统计了不同屏蔽厚度的各种透射率，均得到了满意的结果，与国外数据相比不仅符合，而且为选择铁屏蔽厚度提供了科学依据．
- 杨化中姚泽恩
- 关键词：蒙特卡罗模拟快中子屏蔽
- 中子发生器ECR源智能控制的仿真研究
- 2004年
- 描述了模糊modular神经网络对中子发生器ECR离子源智能控制仿真实验的实现和仿真智能控制的过程。研究了学习过程中规则条数和学习率对理论模型计算结果平均偏差的影响和控制过程中计算束流的偏差随规则条数和学习率的变化。用3种不同的校正因子研究了对仿真实验过程的影响,并在智能控制中取得了满意的仿真实验结果。
- 杨化中韩雪梅张宇姚泽恩
- 关键词：中子发生器ECR离子源智能控制
- 强流中子发生器n-γ辐射场参数的测量被引量：4
- 1993年
- 为满足强流中子发生器14 MeV 中子的辐照实验要求,已建立了基本配套的中子注量测量装置和两个环境剂量监测站.在样品待辐照的近靶区,测量了中子能谱、中子和γ剂量的空间分布.n-γ辐射场参数的测量将为中子物理实验和加速器的安全运行提供有用数据.
- 王学智杨化中苟全补洪忠悌袁俊谦宋文杰卫增泉刘玉岩
- 关键词：中子发生器
- 快重离子束诱发金属薄膜在基底上的附着增强效应
- 1991年
- 用 ＭｅＶ能量的 Ｃｌ离子束辐照金属薄膜／绝缘体和硅基底。测量到薄膜在基底上附着增强的阈值剂量，在铜／硅体系中观测到低剂量和高剂量阈值。
- 杨坤山刘正民杨化中
- 关键词：金属薄膜
