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杨清华

作品数：21 被引量：23H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 15篇电子电信

主题

  • 7篇掩模
  • 7篇光刻
  • 5篇微电子
  • 5篇衬底
  • 4篇硅衬底
  • 3篇电子束曝光
  • 3篇载流子
  • 3篇纳米
  • 3篇光刻技术
  • 3篇浮栅
  • 3篇MEMS
  • 2篇电子束
  • 2篇电子束光刻
  • 2篇电子束曝光系...
  • 2篇电子束直写
  • 2篇掩蔽层
  • 2篇受性
  • 2篇隧穿
  • 2篇透过率
  • 2篇坡面

机构

  • 21篇中国科学院微...
  • 2篇中国科学院

作者

  • 21篇杨清华
  • 11篇刘明
  • 10篇叶甜春
  • 9篇陈大鹏
  • 6篇龙世兵
  • 5篇陈宝钦
  • 5篇李志刚
  • 5篇董立军
  • 4篇管伟华
  • 4篇胡媛
  • 4篇欧毅
  • 3篇焦斌斌
  • 3篇李兵
  • 3篇赵珉
  • 2篇李金儒
  • 2篇石莎莉
  • 2篇李俊峰
  • 2篇陆晶
  • 2篇刘琦
  • 2篇张立辉

传媒

  • 5篇电子工业专用...
  • 2篇Journa...
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇光电工程
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 4篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇2001
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
电子束缩小投影光刻掩模研究
本文作者对电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL—Scattering with Angular Limitation Electron Projection Lithography)技术中的掩模进行了研究和实验,研制...
杨清华叶甜春李兵刘明陈宝钦赵伶俐陈大鹏胥兴才吴桂君彭开武张福安
关键词：电子束掩模分辨率透过率
文献传递
基于薄膜结构的MEMS技术研究被引量：5
2004年
报导了基于低应力自支撑SiNx薄膜结构的MEMS部分研究结果,包括从薄膜生长工艺、内应力和薄膜微观结构控制、薄膜的物性分析、镂空自支撑薄膜结构的工艺制作、自支撑薄膜结构动力学的有限元模拟、到最后镂空自支撑薄膜结构在MEMS系统中的应用所做的部分研究工作。
陈大鹏王玮冰欧毅杨清华谢常青刘辉董立军叶甜春
关键词：氮化硅微电子机械系统有限元模拟
光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系统及美国应用材料公司捐赠...
陈宝钦任黎明胡勇龙世兵陆晶杨清华张立辉牛洁斌刘明徐秋霞薛丽君李金儒汤跃科赵珉刘珠明王德强
关键词：微光刻技术电子束直写
文献传递
MEMS中的薄膜制造技术被引量：1
2006年
追述了薄膜淀积技术的历史,按照制备手段对MEMS制造中使用的各种薄膜制造技术进行了大致的分类和对比,介绍了相应的理论研究概况,除了电镀技术之外,MEMS技术基本来自传统的IC制造工艺。
董立军陈大鹏欧毅黄钦文石莎莉焦斌斌李超波杨清华叶甜春
关键词：微机电系统PVDCVD电镀
日本近年RF MEMS开关研究的进展被引量：5
2006年
RFMEMS是射频表面微机械系统简称。射频表面微机械系统现在包括滤波器和微型电器元件,如开关,微可变电容和微可变电感。射频开关按驱动原理分有静电,压电,电磁以及热驱动。由于这一研究的高频化和高精度的特点,目前开关的研究集中在静电驱动的方式的研究上,从上市的产品来看,静电驱动是最有希望的RFMEMS的执行机构。静电执行器驱动的RFMEMS开关成为下一代高频通讯中的关键部件。
景玉鹏黄钦文石莎莉焦斌斌李超波董立军杨清华欧毅陈大鹏叶甜春
关键词：高频开关高频继电器
光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术被引量：4
2006年
介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.
陈宝钦刘明徐秋霞薛丽君李金儒汤跃科赵珉刘珠明王德强任黎明胡勇龙世兵陆晶杨清华张立辉牛洁斌
关键词：微光刻技术电子束直写
基于精简标准单元库的OPC复用技术
2008年
提出了一种对标准单元的光学邻近效应校正结果进行复用的方法,并通过将传统标准单元中的所有核心逻辑通过反相器和二选一多路选择器的组合来实现,得到了一套可制造性强的精简标准单元库,从而使OPC复用技术得以有效实施,并将在很大程度上提高芯片生产效率和降低掩模数据存储量.精简标准单元库中单元的电气仿真结果表明其在面积、速度、功耗方面与传统标准单元库相比性能损失很小.
焦海龙陈岚李志刚杨清华叶甜春
关键词：可制造性设计
高精度掩模制造关键技术研究
在半导体制造和微细加工领域，光刻技术占有举足轻重的地位。随着光刻技术分辨力的不断提高，相应的高精度掩模制作难度也越来越大。目前，大部分高精度掩模都是采用电子束光刻方法制作完成的。本论文在深入理解电子束光刻技术及电子与光刻...
杨清华
关键词：电子束光刻蒙特卡罗方法光刻技术半导体制造
多介质复合隧穿层的纳米晶浮栅存储器及其制作方法
本发明涉及微电子技术领域，公开了一种多介质复合遂穿层的纳米晶浮栅存储器，包括：硅衬底、硅衬底上重掺杂的源和漏导电区、源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的SiO<Sub>2</Sub>材料介质/高k材料介质/高k或SiO<Su...
胡媛刘明龙世兵杨清华管伟华李志刚
文献传递
SCALPEL掩模研制的技术难点
电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL—Scattering with Angular Limitation Electron Projection Lithography)技术是下一代光刻技术的主要候选者,其中掩模研...
杨清华叶甜春陈大鹏李兵赵伶俐胥兴才刘明陈宝钦
关键词：电子束掩模分辨率透过率
文献传递
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