林弥
- 作品数：80 被引量：42H指数：4
- 供职机构：杭州电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 一种金属栅功函数变化导致栅电容统计分布的估计方法
- 本发明涉及金属栅电容统计分布的估计方法。一种金属栅功函数变化导致栅电容统计分布的估计方法，包括如下步骤：通过HSPICE软件，设定相关的变异参数，确定绝对标准偏差的大小，并进行10000次的蒙特卡罗仿真。提取MOSFET...
- 吕伟锋王光义林弥孙玲玲
- 文献传递
- 基于微分负阻NDR特性的三值T触发器电路
- 本实用新型公开了一种基于微分负阻NDR特性的三值T触发器电路。本实用新型包括三值三轨输出结构的NDR文字（literal）电路、基于微分负阻NDR特性的与非运算单元、基于微分负阻NDR特性的或非运算单元以及基于微分负阻N...
- 林弥
- 文献传递
- 共振隧穿电路中翻转-传输代数系统的建立被引量：2
- 2009年
- 在传统数字电路开关-信号理论的基础上,提出了一个全新的基于共振隧穿RT(Resonant Tunneling)电路的翻转-传输理论,建立了适用于共振隧穿电路的翻转-传输代数系统,确定了两种联结运算,并用共振隧穿器件实现了该两种联结运算的基本电路结构。为设计共振隧穿电路特别是基本逻辑电路提供了一个全新的理论基础和系统的设计方法。
- 林弥张海鹏吕伟锋孙玲玲
- 关键词：代数系统
- 一种纵向沟道SOI LDMOS单元
- 本实用新型涉及一种纵向沟道SOI LDMOS单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、...
- 张海鹏张帆苏步春张亮牛小燕林弥
- 文献传递
- 一种混合型CMOS-忆阻全加器电路
- 本发明公开了一种混合型CMOS‑忆阻全加器电路，包括第一阈值型忆阻器M1、第二阈值型忆阻器M2、第三阈值型忆阻器M3，第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2、第三NMOS晶体管NM3、第四NMOS晶体管NM4...
- 林弥王旭亮陈俊杰韩琪罗文瑶
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- 混合型CMOS-忆阻异或逻辑单元设计及其应用
- 2022年
- 以忆阻器和CMOS晶体管为核心,首先,设计了一款可进行逻辑转换的混合型CMOS-忆阻异或逻辑单元,通过改变输入信号即可实现异或和2选1数据选择器功能;然后,在忆阻异或电路的基础上,搭建了由2个异或和1个2选1数据选择器电路构成的全加器电路;最后,通过PSPICE仿真结果验证了电路设计的正确性和可行性。
- 王旭亮林弥陈俊杰韩琪罗文瑶吕伟锋
- 关键词：异或全加器
- 一种基于负阻控制的忆阻器
- 本发明公开了一种基于负阻控制的忆阻器，包括第一负阻单元U1、第二负阻单元U2和推挽式结构U3。推挽式结构U3一端连接输入正弦电压，另外两端分别接第一负阻单元U1和第二负阻单元U2。第一负阻单元U1、第二负阻单元U2的另一...
- 林弥吴巧李路平汪兰叶
- 一种新型电压域振荡二极管
- 本发明涉及一种新型电压域振荡二极管。本发明包括初始上表面为镓面GaN基底、n<Sup>+</Sup>‑qInGaN集电区层、i‑InGaN第一隔离层、i‑InGaN第一势垒层、i‑InGaN量子阱层、i‑GaN第二势垒层...
- 张海鹏张强张忠海林弥吕伟锋白建玲
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- 一种三端可控型忆阻器模拟电路
- 本发明公开了一种三端可控型忆阻器模拟电路，包括正向滞回控制模块U<Sub>1</Sub>，反向滞回控制模块U<Sub>2</Sub>，非易失控制模块U<Sub>3</Sub>，电压比例控制模块U<Sub>4</Sub>，...
- 林弥李路平罗文瑶王旭亮陈俊杰韩琪
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- 基于R-HBT模型的三值CMOS忆阻混合型D触发器被引量：1
- 2021年
- 研究多值忆阻逻辑电路,采用三值忆阻逻辑运算单元,设计了三值CMOS忆阻混合型D锁存器,该三值忆阻逻辑运算单元以CMOS和电阻异质结双极性晶体管(Resistor-Heterojunction Bipolar Transistor,R-HBT)负阻型忆阻器等效模型为核心,构成的三值CMOS忆阻混合型D锁存器包括4个三值忆阻与非单元和1个三值忆阻反相器,结构简单。在忆阻D锁存器的基础上,设计了上边沿触发的三值CMOS忆阻混合型D触发器,该D触发器为主从型结构。PSPICE仿真结果符合三值D触发器的逻辑功能,验证了设计的正确性。
- 韩琪王旭亮吴巧罗文瑶林弥
- 关键词：多值逻辑D触发器
