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王润声

作品数：145 被引量：13H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 141篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 30篇电子电信
  • 17篇自动化与计算...
  • 4篇文化科学
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 51篇半导体
  • 49篇电路
  • 48篇晶体管
  • 32篇纳米
  • 27篇纳米线
  • 26篇导体
  • 26篇半导体结构
  • 24篇集成电路
  • 22篇场效应
  • 22篇场效应晶体管
  • 21篇半导体器件
  • 21篇衬底
  • 18篇沟道
  • 16篇倒片
  • 14篇刻蚀
  • 13篇介质层
  • 13篇超大规模集成
  • 12篇栅结构
  • 12篇硅纳米线
  • 11篇仿真

机构

  • 145篇北京大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 145篇王润声
  • 141篇黄如
  • 35篇樊捷闻
  • 31篇黎明
  • 30篇艾玉杰
  • 24篇邹积彬
  • 18篇蒋晓波
  • 18篇孙帅
  • 14篇黄欣
  • 14篇王阳元
  • 13篇许晓燕
  • 13篇浦双双
  • 13篇郝志华
  • 9篇张兴
  • 8篇诸葛菁
  • 8篇安霞
  • 8篇林增明
  • 7篇李佳
  • 6篇郭少锋
  • 6篇范春晖

传媒

  • 2篇中国科学：信...
  • 1篇中国科学（E...

年份

  • 33篇2024
  • 17篇2023
  • 7篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 8篇2016
  • 8篇2014
  • 8篇2013
  • 27篇2012
  • 15篇2011
  • 5篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
共 145 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种一维到三维边界热阻的测试结构和方法
本发明公开了一种一维到三维边界热阻测试方法，该方法利用一种简单的测试结构，该测试结构包括长方体A、长方体B和纳米线三部分，长方体A和长方体B之间由悬空的纳米线相连。通过两组测试结构1和测试结构2的纳米线的整体热阻R<Su...
黄如林增明王润声邹积彬李佳许晓燕
一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内...
艾玉杰郝志华黄如浦双双樊捷闻孙帅王润声许晓燕
垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管、器件及设备
本申请提供一种垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上层叠沉积第一材料层、第二材料层以及第三材料层，以形成第一半导体结构；刻蚀第一半导体结构的第一区域，以形成第二半导体结构，第二半导体结...
吴恒王逸勐黄如王润声黎明
无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法
本发明提供了无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法。所述器件的源漏左右对称，测试仪连接源漏的探针及电缆左右对称，首先控制栅、源、漏的偏压设置使器件处于不形成反型层且栅介质层陷阱不限制电荷的初始状态，然后通过改变...
邹积彬黄如王润声艾玉杰樊捷闻
一种多驱动能力的集成电路标准单元版图迁移的方法
本发明公布了一种多驱动能力的集成电路标准单元版图迁移的方法，将集成电路某个驱动能力的标准单元已完成的版图作为参考版图，其余的驱动能力下的标准单元待生成的版图作为目标版图；根据参考版图逐步得到所需驱动能力下的标准单元的目标...
林亦波高笑涵张昊懿王润声黄如
一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管
本发明提供了一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管，属于微电子半导体器件领域。该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层...
邹积彬黄如王润声杨庚雨艾玉洁樊捷闻
三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管基于双SOI衬底，上下两层硅膜的沟道的截面各有两个相同的长方形的鳍型Fin，上层的双鳍型沟道与其对应的下层的双鳍型沟道自对准、且宽度相同；每...
周发龙吴大可黄如王润声张兴王阳元
文献传递
适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究被引量：1
2008年
随着集成电路的发展,器件尺寸进入纳米尺度领域,器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下途径,从新型双栅/多栅器件结构角度介绍新型非对称梯度低掺杂漏垂直沟道双栅MOS器件以及新型围栅纳米线MOS器件的研制及特性分析,为下几代集成电路技术的器件研究提供良好的思路.
黄如田豫周发龙王润声王逸群张兴
关键词：纳米CMOS器件
一种细线条的制备方法
本发明提供一种细线条的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明采用了3次Trimming掩膜工艺，有效地改善了线条形貌，大大减小了LER(线边缘粗糙度)；同时与侧墙工艺相结合，成功制备出纳米级细线条并能够精确控...
浦双双黄如艾玉杰郝志华王润声
一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。方法包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；光刻定义Fin条硬掩膜；刻蚀材料A，形成Fin条的硬掩膜；源漏注入；光刻定义沟道区和大源漏区；形成Si Fin...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
文献传递
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