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王玉传

作品数：4 被引量：14H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇微机电系统
  • 2篇机电系统
  • 2篇MEMS
  • 2篇电系统
  • 1篇电镀
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片尺寸
  • 1篇芯片尺寸封装
  • 1篇金属化
  • 1篇金属化技术
  • 1篇互连
  • 1篇封装
  • 1篇封装密度
  • 1篇尺寸封装

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇王玉传
  • 3篇罗乐
  • 2篇许薇
  • 1篇朱大鹏

传媒

  • 2篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
MEMS圆片级芯片尺寸封装研究
随着MEMS技术的不断发展，MEMS器件对封装的可靠性、稳定性、封装成本等方面要求也相应不断提高。因此，圆片级芯片尺寸封装成了MEMS封装技术发展的必然趋势。圆片通孔垂直互连技术是圆片级封装中实现芯片尺寸封装互连的一类可...
王玉传
关键词：微机电系统
文献传递
圆片级气密封装及通孔垂直互连研究被引量：3
2006年
提出了一种新颖的圆片级气密封装结构。其中芯片互连采用了通孔垂直互连技术:KOH腐蚀和DR IE相结合的薄硅晶片通孔刻蚀技术、由下向上铜电镀的通孔金属化技术、纯Sn焊料气密键合和凸点制备相结合的通孔互连技术。整个工艺过程与IC工艺相匹配,并在圆片级的基础上完成,可实现互连密度200/cm2的垂直通孔密度。该结构在降低封装成本,提高封装密度的同时可有效地保护MEMS器件不受损伤。实验还对结构的键合强度和气密性进行了研究。初步实验表明,该结构能够满足M IL-STD对封装结构气密性的要求,同时其焊层键合强度可达8MPa以上。本工作初步在工艺方面实现了该封装结构,为进一步的实用化研究奠定了基础。
王玉传朱大鹏许薇罗乐
关键词：电镀
微机电系统芯片尺寸气密封装垂直互连结构及其制作方法
本发明涉及一种微机电系统芯片尺寸气密封装垂直互连结构及其制作，其特征在于提出了一种新颖的圆片级芯片尺寸封装结构。其中芯片互连采用了通孔垂直互连技术：KOH腐蚀和DRIE相结合的薄硅晶片通孔刻蚀技术、由下向上铜电镀的通孔金...
王玉传罗乐
文献传递
玻璃浆料低温气密封装MEMS器件研究被引量：9
2005年
系统地研究了玻璃浆料在低温下气密封装MEMS器件的过程。采用该工艺(预烧结温度400℃,烧结温度500℃,外加压强3kPa)形成的封装结构具有较高的封接强度(剪切力>15kg)及良好的气密性(气密检测合格率达到85%),测得的漏率符合相关标准。
许薇王玉传罗乐
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