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程筱军

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子工业学院更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇电流失配
  • 1篇失配
  • 1篇反相器
  • 1篇CMOS反相...

机构

  • 1篇杭州电子工业...

作者

  • 1篇程筱军
  • 1篇张海鹏
  • 1篇秦会斌

传媒

  • 1篇杭州电子工业...

年份

  • 1篇2004
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排序方式：
高温泄漏电流对反相器直流传输特性的影响
2004年
在本征CMOS反相器直流传输特性和所提出的离子注入浅结近似理论基础上,研究了N+衬底外延P阱CMOS反相器的源-漏结泄漏电流失配对其高温直流传输特性的影响,提出采用双阱或N阱工艺使PMOSFET的衬底浓度高于NMOSFET的衬底浓度,并适当减小PMOSFET漏区宽度的方法,可以减弱源-漏结泄漏电流失配的影响。
张海鹏秦会斌程筱军
关键词：CMOS反相器电流失配
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共1页<1>
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