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米侃

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇砷化镓
  • 3篇光电
  • 3篇光电阴极
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子寿命
  • 2篇少数载流子
  • 2篇少数载流子寿...
  • 2篇GAAS光电...
  • 1篇电子亲合势
  • 1篇透射
  • 1篇透射式
  • 1篇透射式GAA...
  • 1篇亲合势
  • 1篇镓铝砷
  • 1篇镓铝砷化合物
  • 1篇外延层
  • 1篇稳定性
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体质量
  • 1篇化合物半导体

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇米侃
  • 4篇侯洵
  • 3篇赛小峰
  • 2篇张景文
  • 1篇朱李安
  • 1篇张工力
  • 1篇高鸿楷
  • 1篇赛小锋
  • 1篇何益民

传媒

  • 2篇光子学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇1999
  • 4篇1998
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
负电子亲合势GaAs光电阴极稳定性的研究
1998年
本文采用在超高真空系统中引入少量Ａｒ气及在激活到最高灵敏度时维持一定Ｃｓ蒸气压的方法，改进了激活系统的环境气氛，使阴极在台内的寿命得到极大地延长，为封管提供了足够的时间文中还探讨了影响阴极稳定性的重要因素。
米侃张景文赛小峰何益民高鸿楷侯洵
关键词：光电阴极稳定性砷化镓
透射式NEA GaAs光电阴极和第三代象增强器研究
该文首次利用高分辨率X射线衍射分析技术研究了用MOCVD方法生长的阴极外延层和结构为玻璃/SiN/GaAIAs/GaAs的阴极组件,采用倒易空间衍射图的方法评价了阴极材料的质量.建立了阴极组件的缺陷模型,采用X射线衍射动...
米侃
关键词：少数载流子寿命
文献传递
P型薄层GaAs中少数载流子寿命的研究
还探讨了可用波长为0.53μm，单脉冲宽度小于10PS的YAG激光器作为激光发源，激发GaAlAa/GaAs/GaAlAs/玻璃结构的样品，建立了测量GaAs层中非平衡少数栽流子寿命的实验装置，并获得了部分测量结果。通过...
米侃张工力赛小峰侯洵
关键词：载流子砷化镓
研究与玻璃粘接的GaAs/GaAlAs外延层晶体质量的X射线衍射方法被引量：3
1999年
本文应用高分辨率多重晶多次反射Ｘ射线衍射仪（Ｈｉｇｈ－ＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅ－ＣｒｙｓｔａｌＭｕｌｔｉｐｌｅ－ＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎＤｉｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒ，ＨＲＭＣＭＲＤ）研究了粘接后的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ／玻璃结构．利用倒易空间衍射图的方法评价粘接后的晶体质量，给出了倒易空间衍射的三维强度分布图．结果表明，粘接过程中较大的应力将使应变的非四方畸变加剧，同时生长方向的应变产生较大的变化．这都将在晶体内部产生缺陷，影响器件的光电特性．成功的粘接样品表明，应变造成摇摆曲线的半峰宽（ＦＷＨＭ）约７０″，沿晶体生长方向的应变变化较小。
米侃赛小锋侯洵
关键词：砷化镓化合物半导体镓铝砷化合物
透射式GaAs光电阴极的X射线衍射研究
1998年
本文介绍了高精度多晶多反射X射线衍射仪的一种新的应用．首次将其应用于研究高灵敏度第三代微光象增强器中由掺Zn的p型GaAs／GaAlAs、玻璃组成的光电阴极的材料特性；发展了用倒格子空间衍射图方法评价光电阴级组件晶体质量的方法．通过分析得知，衍射强度在倒格子空间沿。方向展宽主要起因于晶体中的嵌镶效应的增强．文中采用衍射动力学理论的计算方法并忽略初始条件，模拟后得到的曲线与衍射强度沿ω／θ方向的投影强度曲线符合的比较好．粘接良好的阴极样品表明，GaAs／GaAlAs晶格常数的变化基本上可以消除，但粘接引起的嵌镶效应的增强却不能完全消除．
米侃朱李安赛小峰张景文侯洵
关键词：光电阴极砷化镓
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