您的位置： 专家智库 > >

袁震宇

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学物理学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子能
  • 1篇电子能带
  • 1篇电子能带结构
  • 1篇晶格
  • 1篇SI
  • 1篇XSI
  • 1篇超晶格
  • 1篇X
  • 1篇M

机构

  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇袁震宇
  • 1篇徐至中

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1994
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
超晶格（Ge_xSi_（1－x）1／（Si）_m（001）的电子能带结构
1994年
采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）的基本带隙及其导带底在布里渊区中的位置在Ｘ＝０．０１～０．１范围内随Ｘ的变化情况以及当Ｘ＝０．０１时随硅层层数ｍ的变化情况。计算结果表明，在ｘ＝０．０１～０．１范围内，ｘ对导带底位置基本上没有影响，导带底位置主要由硅层层数ｍ决定，并可根据布里渊区折叠计算得到。由此提出，可以制成类似于（ＧｅｘＳｉ１－ｘ）１／（Ｓｉ）ｍ（００１）形式的超晶格，而获得准直接能隙结构的材料，以提高其光的发射和检测能力。关键词：
徐至中袁震宇
关键词：超晶格
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0