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许生健

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇氧化物
  • 1篇湿法腐蚀
  • 1篇双极电路
  • 1篇双极集成电路
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇硼扩散
  • 1篇晶体管
  • 1篇集成电路
  • 1篇硅锗
  • 1篇SIGE_H...
  • 1篇B掺杂
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 2篇许生健
  • 1篇张静
  • 1篇朱煜开
  • 1篇张扬波
  • 1篇阚玲

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 2篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
双极电路欧姆接触问题的工艺分析与解决方案被引量：2
2007年
为解决一种双极集成电路在生产中欧姆接触电阻过大的问题,针对关键工艺进行了统计分析和专项实验,找到了问题的原因和解决方法,对提高大规模集成电路的工艺制造稳定性具有非常重要的意义。
阚玲张扬波许生健朱煜开
关键词：双极集成电路欧姆接触湿法腐蚀
一种有效抑制SiGe HBT基区中B掺杂向外扩散的方法
在HBT外延生长SiGe基区时,通过掺入一定量(1×1020/cm3)的碳(C),有效抑制了SiGe HBT基区中高浓度硼(B)掺杂在器件热工艺过程中产生的热扩散和瞬态增强扩散效应,大大改善了HBT器件的直流特性和高频性...
张静许生健张景谭开洲钟怡廖路王志宽杨永晖
关键词：双极晶体管
文献传递
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