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邱颖鑫

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 21篇晶体管
  • 19篇场效应
  • 19篇场效应晶体管
  • 13篇沟道
  • 8篇逻辑器件
  • 6篇电流
  • 6篇驱动电流
  • 6篇掺杂
  • 5篇栅结构
  • 5篇介质层
  • 4篇叠层
  • 4篇半导体
  • 3篇源区
  • 2篇电场
  • 2篇电路
  • 2篇调制型
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜版
  • 2篇势垒
  • 2篇凸起

机构

  • 21篇北京大学

作者

  • 21篇邱颖鑫
  • 20篇黄如
  • 18篇詹瞻
  • 16篇黄芊芊
  • 8篇王阳元
  • 2篇毛翔
  • 2篇江文哲

年份

  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 8篇2012
  • 2篇2011
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种锗锡隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种锗锡隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的锗锡隧穿场效应晶体管包括形成在锗半导体的衬底上的锗锡薄膜层、源区、漏区、沟道区和栅叠层区以及锗半导体的衬底。本发明的锗锡隧穿场效应晶体管制备在锗半导体的衬底上生长...
黄如邱颖鑫
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带双扩散的条形栅隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种带双扩散的条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管包括一个半导体衬底、一个高掺杂源区、一个高掺杂漏区、一个双扩散源区、一个栅介质层和一个控制...
黄如黄芊芊邱颖鑫詹瞻王阳元
文献传递
一种自适应复合机制隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明的核心是：对于N型晶体管，掺杂源区在N<Sup>-</Sup>掺杂的基础上，在靠近控制栅边缘的一...
黄如黄芊芊詹瞻邱颖鑫王阳元
文献传递
一种抑制双极效应的隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种抑制双极效应的隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的隧穿场效应晶体管的漏区与沟道区采用不同的半导体材料，并且漏区的禁带宽度要大于沟道区的禁带宽度，可以有效抑制双极效应，并且降低了器件的亚阈泄漏电流，同时又...
黄如邱颖鑫詹瞻黄芊芊
一种多掺杂口袋结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公布了一种多掺杂口袋结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明提出的隧穿场晶体管具有三个掺杂口袋，其中第一掺杂口袋(204)和第二掺杂口袋(205)与源区(203)掺杂类型相同，第三掺杂口袋(202)则与源区(20...
黄如邱颖鑫詹瞻
一种自适应复合机制隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明的核心是：对于N型晶体管，掺杂源区在N<Sup>-</Sup>掺杂的基础上，在靠近控制栅边缘的一...
黄如黄芊芊詹瞻邱颖鑫王阳元
一种肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法
一种肖特基势垒MOS晶体管，包括一个环状栅电极(3)，一个环状栅介质层(2)，环状栅电极侧墙(4)，一个半导体衬底，一个源区(5)，一个环状漏区(6)，其特征是，所述半导体衬底具有有凸起台阶结构；源区位于凸起台阶较高的平...
黄如江文哲黄芊芊詹瞻邱颖鑫
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一种隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公布了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。所述晶体管包括：半导体衬底；第一沟道区和第二沟道区；第一栅叠层区；第二栅叠层区；第一源区；漏区；第二源区；第一栅叠层区中的第一导电层和第二栅叠层区中的第二导电层在沟道区外相连...
黄如邱颖鑫詹瞻黄芊芊毛翔
基于标准CMOS IC工艺制备互补隧穿场效应晶体管的方法
本发明提供了一种利用标准CMOS IC工艺制备互补隧穿场效应晶体管的方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法利用标准CMOS IC工艺中的互补P阱和N阱掩膜版，用于注入形成阱、...
黄如黄芊芊詹瞻邱颖鑫王阳元
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条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管包括一个控制栅，一个栅介质层，一个半导体衬底，一个高掺杂源区和一个高掺杂...
黄如黄芊芊邱颖鑫詹瞻王阳元
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