郑海东
- 作品数：17 被引量：1H指数：1
- 供职机构：浙江大学信息与电子工程学系功率器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程文化科学更多>>
- 浅析电子镇流器中晶体管的配对
- 1995年
- 本文对采用两个晶体管的电子镇流器配对进行了分析，提出晶体管配对不仅要求电流增益相近，而且开关时间也要相近。
- 郑海东何杞鑫
- 关键词：电子镇流器晶体管
- Si面键合技术及其应用
- 1995年
- 回顾了Ｓｉ面键合技术的历史，研究了国外此工艺技术发展过程与趋势，分析了Ｓｉ面直接键合技术的特点和它在压电与声光器件中的应用。
- 郑海东陈晓明
- 关键词：键合直接键合
- 场控晶闸管正向特性新理论
- 1993年
- 场控晶闸管(简称:FCT SITH FCD)是在70年代中后期提出的一种功率开关器件,其剖面结构有隐栅和表面栅两种,场控晶闸管研究的学术带头人是美国的B.J.Baliga和日本的西泽润一,在有关场控晶闸管的所有文献中,对于场控晶闸管的理论分析比较少,大多数论文都是提出一种新结构或新工艺,然后报道一个已经达到的水平,可以说是对于场控晶闸管的理论研究落后于器件实践,尤其是正向开关特性。当阳极(A)接正电位,阴极(K)接地,器件工作于正向状态.当栅极(G)不加偏压或所加负偏压小于JFET的夹断电压时,器件处于正向导通状态;当栅极所加负偏压大于JFET的夹断电压时,器件处于正向阻断状态,场控晶闸管正向开关特性有两种情况,其一是栅极控制开关,
- 郑海东叶润涛
- 关键词：场控晶闸管
- 高压高阻断增益的水平沟道场控晶闸管被引量：1
- 1992年
- 水平沟道场控晶闸管(简称LFCT)是由垂直沟道场控晶闸管发展而来的,它具有开关速度快、与集成电路工艺兼容等特点。我们采用刻蚀V型槽来代替栅扩散,已制成最大正向阻断电压为200V,可关断电流为2A的LFCT,其正向电压阻断增益达40～200。
- 郑海东叶润涛林新明
- 关键词：晶闸管
- 离子注入在Power MOSFET中的应用
- 1991年
- 本文结合笔者的科研,论述了离子注入在Power MOS FET制作中的应用,并指出:由于离子注入较之扩散具有一系列优点,因此,离子注入不仅在制作Power MOS FET中作用巨大,而且在其他功率器件中的应用也将越来越广泛。
- 郑海东叶润涛陈晓明
- 关键词：离子注入功率器件MOSFET
- 电子节能灯开关老化测试仪的研制
- 1995年
- 电子节能灯开关老化测试仪的研制对于紧凑型电子节能灯目前尚无国家标准或行业标准，我们在帮助协作厂家制订紧凑型电子节能灯企业标准时，参照ＺＢＫ７４０１２，９０制订的节能灯耐久性试验中，规定在额定电压下重复开关１０００次（每次３０ｓ）测试后开启节能灯，应能...
- 郑海东
- 关键词：电子节能灯开关
- 半导体器件纵向结构模拟工具
- 1995年
- 介绍了半导体器件纵向结构准三维模拟方法，包括版图信息提取，二维工艺模拟等功能。该模拟器可以根据版图信息和工艺参数自动显示器件上任意切线位置处断面图，稍加修改即可用于对Ｓｉ压力传感器等部分压电器件进行工艺模拟。
- 郑海东叶润涛
- 关键词：半导体器件
- 水平沟道场控晶闸管正向特性研究
- 1995年
- 水平沟道场控晶闸管是由结型场效应晶体管和双极型晶体管复合构成的一种晶闸管。它具有输入阻抗高、电压控制和用低压控制大功率输出的特点。文中对已研制成的一种水平沟道场控晶闸管正向特性进行了较为详细的分析。
- 郑海东叶润涛
- 关键词：场控晶闸管
- 拓宽学生知识 充实专题实验
- 本文针对微电子学与半导体器件专业的特点,从拓宽学生知识结构方面出发,提出了充实与调整专题实验的内容的设想,通过加强计算机应用及相近专业方面实验的训练,使学生知识结构更趋合理。实践表明:充实后的专题实验的教学效果十分明显。...
- 朱大中郑海东
- 文献传递
- 联栅晶体管的H_(FE)-I_C特性分析
- 1992年
- 联栅晶体管(Gate Associated Transistor)是由日本Hisao,Kondo等人在1979年提出的,它是一种双极型晶体管的改进结构,它有一个特殊的基区,基区一部分做得较深,其杂质浓度较其他部分为高,这个伸出基区部分相当于JFET的栅.在满足沟道夹断早于基区穿通的情况下,栅的存在使得联栅管在承担相同电压时,其基区宽度比BJT小得多.联栅管的出现,解决了高反压与高频之间的矛盾,同时使得在较低的集电区电阻率情况下得到较高的BV_(c()o).但联栅管在结构上也存在两个缺点:其一是器件的面积利用率较低,其二是在大电流情况下电流增益H_(FE)随I_C下降较之没有栅结构的普通BJT来得快,我们认为。
- 郑海东陈晓明邹永杭
- 关键词：晶体管
