郝秋艳
- 作品数：132 被引量：148H指数：6
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究被引量：1
- 2006年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高。位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形成V缺陷。受位错附近应力场与气流的影响,V缺陷两侧出现带状高坡。生长时间延长,GaN表面的V缺陷就会被填满,带状高坡横向生长合并成为平整的表面。用m(KOH)∶m(H2O)=1∶10的KOH溶液腐蚀后,平整的表面出现六角腐蚀坑,密度与原生坑密度相近,认为是原生坑被填满的位置腐蚀后再次出现。
- 赵丽伟滕晓云郝秋艳朱军山张帷刘彩池
- 关键词：GAN湿法化学腐蚀
- 热处理对铸造多晶硅缺陷形貌的影响
- 采用扫描电子显微镜(SEM)和光学显微镜(OM)等分析方法，研究了热处理前后铸造多晶硅片的缺陷形貌。实验结果表明：原生铸造多晶硅中存在着大量的位错和晶界。单步、两步热处理对硅片表面位错形貌有很大的影响。低温退火时，位错尺...
- 陈玉武郝秋艳赵建国吴丹王勇刘彩池
- 关键词：产品质量
- 高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响被引量：3
- 2005年
- 对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系,分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火工艺下的消除机制,认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子,影响了硅片中间隙氧的浓度分布,进而影响了原生微缺陷的形成及热行为.
- 郝秋艳刘彩池孙卫忠张建强孙世龙赵丽伟张建峰周旗钢王敬
- 关键词：硅单晶微缺陷掺锑
- 准单晶硅技术研究进展被引量：6
- 2012年
- 准单晶硅结合了铸造多晶硅和直拉单晶硅的特点,既具有成本低,产量高的优势,又具有转化效率高的优点。但目前各企业和科研单位对准单晶硅的研究仍处于实验探索阶段。本文系统阐述了准单晶技术的研究进展,介绍了准单晶的两种铸造方法、与传统单晶硅相比所存在的优势、在国内外的发展状况及存在问题,并对其发展前景做了展望。
- 苏柳郝秋艳解新建刘彩池刘晓兵Jin Hao
- 关键词：晶界
- 大直径直拉硅单晶炉热场的改造及数值模拟被引量：13
- 2000年
- 为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入 ,对常规的 4 0 6mm(16英寸 )热场进行了改造。设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统 ,使晶体生长过程中熔体热对流减小。通过对热场的数值模拟计算 ,分析了热场的温度分布 ,发现熔体的纵向温度梯度下降 ,熔体热对流减小 ,硅单晶中氧含量降低。
- 任丙彦刘彩池张志成郝秋艳
- 关键词：加热器热对流数值模拟
- 离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究
- 用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5 s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品...
- 王娜王丽华孙卫忠郝秋艳刘彩池
- 关键词：半绝缘砷化镓离子注入电特性快速热退火
- 文献传递
- 溶液法制备氧化锌晶体的微结构及发光特性研究(英文)被引量：2
- 2015年
- 以醋酸锌和六次甲基四胺为原料在不同的溶液环境中,采用水热法或热溶液法合成了不同形貌的微纳氧化锌。氧化锌形貌和尺寸的控制对合成环境有强烈的依赖。通过化学吸附将乙二胺四乙酸二钠和柠檬酸吸附在氧化锌的极性面上,可以抑制极性面的晶体生长,调控氧化锌的晶体形貌。这种选择吸附性导致了样品形貌的不同。拉曼光谱测试结果表明,在柠檬酸溶液中合成的氧化锌的晶粒更小。光致发光光谱测试结果表明,所得到的氧化锌的发光是激子和缺陷发光。
- 张辉陈贵锋莫兆军赵晓丽阎文博郝秋艳李微
- 关键词：氧化锌微结构拉曼光谱
- 半导体熔体的物性及等效微重力效应的研究
- 张雯王胜利刘淑英郝秋艳徐学文陈贵峰
- 该项目为国际上晶体生长基础研究的前沿课题，也是研究磁场对流体作用机理急需解决的问题。通过测量研究半导体熔体在不同强度水平磁场中的磁粘度，发现了熔体的磁粘度和外加磁场磁感应强度呈抛物线关系，首次将外加磁场磁感应强度与等效微...
- 关键词：
- 关键词：半导体晶体晶体生长
- 半绝缘砷化镓中本征缺陷的光学显微研究被引量：2
- 2008年
- 本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓（LECSI-GaAs）中本征缺陷的影响。实验结果表明，晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布。500℃热处理对As沉淀的密度无明显影响；真空条件下，在850-930℃范围内热处理AB腐蚀坑变浅，砷沉淀数量增加；真空条件下，高于1100℃热处理后，砷沉淀几乎消失。晶体中砷沉淀的密度会随热处理条件的不同而变化，本文对其机理进行探讨。
- 刘红艳孙卫忠王娜郝秋艳刘彩池
- 关键词：半绝缘砷化镓
- 大直径SI-GaAs中的缺陷分布
- 本文采用金相显微镜和PL Mapping扫描光谱仪,检测6英寸SI-GaAs晶片.首先用光荧光谱表征样品表面和内部的发光特性,利用光谱图中颜色的不同来分析样品缺陷的不均匀分布等特点;然后用金相显微镜检测AB腐蚀后样品中的...
- 赵彦桥刘彩池郝秋艳孙卫忠
- 关键词：SI-GAAS金相显微镜位错密度
- 文献传递
