- 低电压安全电子节能照明装置
- 一种低电压安全电子节能灯，是由灯头、灯罩、灯座、荧光灯管和新颖的高频电子镇流器组成。高频电子镇流器具有二倍压整流器或三倍压整流器(6)、双磁环耦合的双晶体管高频振器(7)以及二极管输出电路(8)。在20～40V低电压、工...
- 黄树新陈启秀李贡社吴文陈福元陈去非陈忠景林书樾余滨章婉珍
- 文献传递
- 半绝缘多晶硅钝化技术研究及其应用被引量：4
- 1991年
- 1 前言 半导体器件的稳定性除了与器件的制造材料、器件本身的结构有关外,在相当大的程度上还取决于对其表面的保护措施——即表面钝化。钝化是改善器件性能和提高可靠性所不可缺少的手段和重点工艺。早在五十年代。
- 陈福元陈启秀陈忠景章婉珍林玉瓶
- 关键词：半绝缘多晶硅钝化半导体器件
- 检测氧化硅厚度的简易方法
- 1992年
- 介绍一种应用光的干涉原理测量二氧化硅及有关介质厚度的简易实用方法,具有方便、直观和简化设备的特点。
- 陈福元
- 关键词：晶体管氧化硅厚度
- 硅单晶薄片制造晶体管的方法
- 本发明公开了一种硅单晶薄片制造晶体管的方法，它包括a.在原始单晶片上预先扩散入N<Sup>+</Sup>杂质，b.硅片单面机械研磨、抛光，c.在400℃～1200℃范围内生长或沉积介质膜层，d.硅片背面涂高纯玻璃粉在50...
- 陈福元陈启秀陈忠景章婉珍李贡社
- 文献传递
- 联栅晶体管的电压放大因子
- 1991年
- 联栅晶体管(简称GAT)是具有高速高反压低饱和压降性能的功率开关器件,它是一种双极型晶体管的改进型结构。它有一个特殊的基区,基区一部分做得较深,其杂质浓度较其他部分为高。这一基区中伸出部分相当于JFET的栅,接近基区的集电区相当于源,远离基区的那部分集电区相当于漏,两栅之间的集电区作为沟道,基区其他部分作为普通NPN晶体管的基区作用。联栅晶体管克服了高反压与高频之间的矛盾,同时使得在较低的电阻率情况下得到较高的BV_(ceo)。
- 郑海东陈启秀陈福元章婉珍
- 关键词：晶体管
- 硅单晶薄片制造晶体管的方法
- 本发明公开了一种硅单晶薄片制造晶体管的方法，它包括a.在原始单晶片上预先扩散入N<Sup>+</Sup>杂质，b.硅片单面机械研磨、抛光，c.在400℃～1200℃范围内生长或沉积介质膜层，d.硅片背面涂高纯玻璃粉在50...
- 陈福元陈启秀陈忠景章婉珍李贡社
- 文献传递
- 硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管
- 1994年
- 本文介绍硅片粘合杂质双扩散制造晶闸管工艺，结合光刻门极化学挖槽技术，简化制管工序，改善了器件的电性能指标。
- 陈福元
- 关键词：晶闸管
- 静电屏蔽晶体管GAT的特点与制造
- 1994年
- 介绍静电屏蔽晶体管（ＧＡＴ）的结构、器件性能及制造工艺．利用ＧＡＴ的基区静电屏蔽效应改善了晶体管的工作可靠性．研制成的ＧＡＴ器件呈现出高耐压、快速开关和低饱和压降等优良特性．
- 陈福元金文新吴忠龙
- 关键词：静电屏蔽晶体管
- 腐蚀挖槽和P、N型杂质一步掺杂制造晶闸管
- 1993年
- 本文介绍了腐蚀挖槽和硅中P、N型杂质一步扩散掺杂的晶闸管制造工艺,应用该技术提高了产品的性能/价格比。
- 陈福元金文新吴忠龙
- 关键词：晶闸管掺杂
- 双极型TIL晶体管的设计与制造
- 1993年
- 介绍一种新颖的双极型功率器件—TIL晶体管的结构、设计原则与制造工艺.它由常规的n-p-n-n结构与同类型厚基区器件自体内并联构成,厚、薄基区两部分晶体管互相取长补短,各自发挥最佳作用,共同支配整个器件工作.TIL结构使晶体管基区厚度及基区杂质浓度和主要性能参数之间的制约得以放宽,提高了器件的电热可靠性、开关速度和耐压水平.
- 陈福元
- 关键词：双极晶体管
