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黄维宁

作品数:35 被引量:65H指数:5
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 26篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 24篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 14篇铁电
  • 9篇铁电薄膜
  • 7篇固相
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  • 2篇生物方法

机构

  • 33篇复旦大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇上海大学

作者

  • 35篇黄维宁
  • 22篇姜国宝
  • 16篇汤庭鳌
  • 11篇李炳宗
  • 9篇顾志光
  • 7篇林殷茵
  • 7篇颜雷
  • 6篇刘平
  • 5篇钟琪
  • 4篇姚海平
  • 3篇亓文杰
  • 3篇钟宇
  • 3篇张翔九
  • 3篇黄宜平
  • 3篇王晓光
  • 3篇程旭
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  • 2篇鲍敏杭
  • 2篇王世平
  • 2篇周鲁卫

传媒

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  • 1篇微电子学
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年份

  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 4篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 7篇2000
  • 3篇1999
  • 1篇1998
  • 3篇1996
  • 1篇1995
  • 6篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
35 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Pt/Si快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜被引量:2
1995年
对Pt/Si快速热退火固相反应形成超薄PtSi薄膜进行研究。溅射Pt薄膜的厚度在5~20nm之间,用AES,XRD,RBS,SEM等分析测试手段对固相反应Ptsi薄膜的结构特性进行观测,并对PtSi/n-Si肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明,550~600℃快速返火有利于Pt/Si反应形成性能优良的PtSi/Si肖特基势垒接触。
亓文杰李炳宗顾志光黄维宁董健民冯志华刘毓成
关键词:快速退火固相反应硅化铂
LNO薄膜电极的制备及其特性研究被引量:6
2003年
 采用水基化学溶液涂布(water basedcoating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜。系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因。制备的LNO薄膜电阻率为1.77×10-3Ω·cm,且具有良好的形貌。以LNO为独立下电极,制备出了Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,通过其电滞回线和漏电特性的测试,可见制备的LNO薄膜可以很好地满足作为铁电电容电极的需要。
康晓旭林殷茵汤庭鳌钟宇黄维宁姜国宝王晓光
关键词:铁电体铁电存储器铁电电容
MEMS神经元微探针研究
本文制作了一种神经元多电极微探针,采用阻抗分析仪对微探针进行了表征,测量了该探针单个电极在生理盐水中100~1 kHz范围内的交流阻抗.1 kHz工作频率下,探针的交流电阻和交流容抗分别为100 kΩ和10 kΩ,时漂小...
程正喜黄维宁周嘉黄宜平鲍敏杭
关键词:神经元交流阻抗阻抗分析仪
用于MFIS的ZrO_2薄膜的制备及特性研究
2000年
新型不挥发非破坏性读出铁电存储器金属 /铁电 /半导体器件结构中 ,存在着铁电薄膜与半导体衬底之间相互扩散、离子陷阱密度高、铁电薄膜难于直接淀积在硅衬底上、电荷注入等问题 ,因此在铁电薄膜与半导体之间增加一层合适的介质材料作为阻挡层是制备不挥发非破坏性读出铁电存储器的关键。文中研究了运用 SOL- GEL方法制备 Zr O2 介质层的方法 ,并且对制备的介质层的成份、结构、电特性进行了分析 ,为研制 MFIS作了准备。
颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝
关键词:铁电薄膜半导体材料
Pb(Zr_(0.6)Ti_(0.4))O_3/LaNiO_3铁电电容的制备及其疲劳特性
2003年
以 L a Ni O3( L NO)为独立下电极 ,制备出 Au( Cr) / PZT/ L NO/ Si O2 结构的铁电电容 ,与使用 Pt下电极对比 ,其抗疲劳特性得到了极大的改善 .在 1MHz频率 10 V电压下 ,经过 10 1 1 次脉冲反转 ,其 ( P* - P^ )仅下降了 11%左右 ,这主要是由于使用氧化物电极可以极大地降低 PZT与电极界面处的氧空位的形成和积聚 .通过不同频率和相同频率不同脉冲宽度条件下疲劳特性的测试 ,观察到随着测试频率的升高 ,抗疲劳特性也随之提高 ;在相同频率下 ,随着测试脉宽的加大 ,疲劳现象加剧 ;同时 。
康晓旭林殷茵汤庭鳌王晓光钟宇黄维宁姜国宝
关键词:脉宽
集成铁电电容的制备和研究被引量:1
1999年
给出了一种在CMOS电路基础上制备集成铁电电容的方法。
姚海平钟琪黄维宁姜国宝洪晓菁汤庭鳌
关键词:铁电薄膜存储器
Co、Ti/Si_(1-x)Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究
1994年
本文首次研究金属Co与分子束外延Si1-xGex单晶薄膜快速热退火(RTA)固相反应,并对比了CO、Ti与SiGe固相反应时不同的反应规律实验采用RBS、AES、XRD、SEM等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测.实验发现,Co/Si0.8Ge0,2在650℃热退火后形成组分为Co(Si0,9Ge0.1)的立方晶系结构,薄膜具有强烈择优取向;900℃处理温度,有CoSi2形成,同时Ge明显地向表面分凝.TiN/Ti/Si0.8Ge0.2固相反应时,850℃处理可以形成Ti(Si1-yGey);三元结构,并以(004)晶面为择优取向。薄膜均匀平整,电阻率达到TISi2最低值范围,高温处理未发生组分分凝.从生成物的晶体结构和形成热差异上对实验结果进行了分析.
亓文杰李炳宗黄维宁顾志光张翔九盛篪胡际璜吕宏强卫星沈孝良
关键词:分子束外延退火固相反应
铁电电容的电极结构
2000年
作为铁电电容的电极材料 ,铂是使用最为广泛的金属。在 PZT薄膜的上下两层分别用离子束溅射淀积厚度为 50 nm和 10 0 nm的 Pt。在铂层上按常规工艺需蒸发 1~ 2 μm的 Al作为布线金属。为避免在热处理过程中的固相反应 ,Al/ Pt之间还需嵌入阻挡金属。观察了 Si,Co,Ni,Ti和 Ti/ W合金膜的阻挡特性。实验证明一定组分的 Ti/ W合金膜能有效地抑制 Al/ Pt固相反应 ,获得较为理想的接触特性。
姜国宝黄维宁汤庭鳌
关键词:电极固相反应
SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质技术研究被引量:1
1996年
本文研究SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质制备技术,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜,并应用于SiGe/Si异质结构器件研制,试制成功SiGe/Si异质结构PMOS和NMOS实验性器件.
亓文杰於伟峰李炳宗顾志光黄维宁姜国宝张翔九
关键词:MOS器件栅介质SIGE
基于微悬臂梁的生化传感器被引量:4
2004年
由微机械加工技术和集成电路工艺制作的微悬臂梁,通过在其表面修饰以生化敏感层,能将电、热、应力和化学等信号变化转换成一个机械响应,配合以信号采集电路和测量系统,能够达到很高的灵敏度和精度。回顾微悬臂梁作为传感器的发展历程,介绍悬臂梁的工作原理,微梁的激励、检测方法以及基于微悬臂梁阵列传感器的优点,总结了世界上硅基微悬臂梁生化传感器的最新动态,并且展望微悬臂梁传感器这一新领域的应用前景。
曾磊周嘉黄维宁黄宜平
关键词:悬臂梁传感器
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