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龙伟

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇半导体
  • 2篇导电类型
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声晶体管
  • 2篇点电荷
  • 2篇电路
  • 2篇电路工艺
  • 2篇氧化层
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇体硅
  • 2篇浅结
  • 2篇热氧化
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇晶体管
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成电路工艺

机构

  • 6篇中国科学院上...

作者

  • 6篇龙伟
  • 6篇徐元森

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 1篇1991
  • 4篇1990
  • 1篇1989
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硅低温掺氟氧化方法
本发明是半导体工艺中的种掺氟、低温硅氧化方法，属于集成电路工艺中在半导体硅材料上生长二氧化硅绝缘层的技术。本发明采用液态含氟试剂为掺氟源，由携带气体携带，氧气稀释，利用常规热氧化炉实现掺氟、低温800℃或低于800℃硅氧...
龙伟徐元森郑养
硅低温掺氟氧化方法
本发明是半导体工艺中的一种掺氟、低温硅氧化方法，属于集成电路工艺中在半导体硅材料上生长二氧化硅绝缘层的技术。本发明采用液态含氟试剂为掺氟源，由携带气体携带，氧气稀释，利用常规热氧化炉实现掺氟、低温800℃或低于800℃硅...
龙伟徐元森郑养鉥
文献传递
提高MOSFET沟道载流子迁移率的新方法
1990年
用HF掺杂薄氧化物层的MOSFET和MOS电容具有优良的电学特性。在本文所研究的有效场范围内,这种器件的有效表面迁移率为一般器件的1.7-2.4倍,这表明用HF增强氧化能得到速度更快的MOS器件。
龙伟徐元森
关键词：MOSFET载流子迁移率
N^+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二
1990年
本文对重掺杂单晶硅和多晶硅薄膜的加HF增强氧化的行为进行了研究。氧气中HF含量为480ppm,温度为750至900℃。发现重掺磷或砷的硅的氧化反应速率很快,速率常数比轻掺杂硅的干氧氧化提高了几十倍至几百倍。而重掺硼的硅单晶对氧化速率并无明显影响。文中对重掺杂元素和HF增强硅氧化的机理作了分析,并提出了一个物理模型,可以较好地解释实验现象。
徐强徐元森龙伟
关键词：重掺杂氟化氢
一种金属氧化物半导体场效应晶体管
一种金属氧化物半导体场效应晶体管，它由第一导电类型的衬底、第二导电类型的源、漏区、栅氧化层和栅极构成。村底为N型<100>硅，源、漏区由离子注入掺杂P型硅或掺杂N型硅组成。栅氧化层采用掺氟氧化工艺，在800℃...
龙伟徐元森
一种金属氧化物半导体场效应晶体管
一种金属氧化物半导体场效应晶体管，它由第一导电类型的衬底、第二导电类型的源、漏区、栅氧化层和栅极构成。衬底为N型<100>硅，源、漏区由离子注入掺杂P型硅或掺杂N型硅组成。栅氧化层采用掺氟氧化工艺，在800℃...
龙伟徐元森
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