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宽温度范围纳米多孔硅/高氯酸钠热分解特性被引量：1: 2016年; 以纳米多孔硅粉(nPS)为燃烧剂,高氯酸钠(NaClO_4)为氧化剂制备nPS/NaClO_4复合含能材料,利用差示扫描量热-热重(DSC-TG)法研究其在宽温度范围(25~1200℃)的热分解特性。为了更全面地了解该复合含能材料的热分解特性,同时研究了nPS、NaClO_4、Si/NaClO_4、nPS/NaCl复合材料热分解特性。结果显示,氧气气氛下硅氢键在400.0℃发生断裂,而其在氩气氛围下的断裂温度为820.0℃。NaClO_4在581.0℃分解放热,总失重量为68.31%。nPS/NaCl复合材料在883.3℃出现最强放热峰,放热量为567.0 J·g^(-1)。硅氢键的存在使nPS/NaClO_4放热量达到359.5 J·g^(-1),与Si/NaClO_4相比,增大了15.3 J·g^(-1)。综合热分析测试结果,推测出nPS/NaClO_4复合含能材料的热分解机理:O_2使硅氢键提前断裂并参与放热反应,800℃后未断裂的硅氢键与NaCl发生反应最终生成Si。固体燃烧产物的XRD图谱证明了该推论的合理性。; 付琼刘玉存张志军武晔于国强李尚杰刘媛; 关键词：宽温度范围热分解特性

一种碳化钛的制备方法: 本发明涉及一种高硬材料合成方法，具体为一种碳化钛的制备方法。其反应前驱物成分为TiO2和活性碳，将反应前驱物与奥克托今炸药放入一侧开口的反应容器内，引爆奥克托今炸药使前驱物中的TiO2</...; 于雁武石琼刘玉存柴涛王建华袁俊明张包民刘登程付琼尹政李帅; 文献传递

纳米多孔硅粉的化学腐蚀及其理化性质表征被引量：2: 2015年; 以纯度大于99%,粒径20μm以下的硅粉为原料,以HF、HNO3、蒸馏水及亚硝酸钠为腐蚀介质,采用化学腐蚀法制备纳米多孔硅粉。利用扫描电镜、全自动比表面积仪以及傅里叶变换红外光谱仪对纳米多孔硅粉进行了表征。制备了多孔硅/高氯酸钠复合材料并进行了燃烧实验。结果表明,腐蚀体系中硝酸浓度是影响孔径分布的主要因素。腐蚀时间则是增大纳米多孔硅粉比表面积的关键因素。最佳腐蚀条件为硝酸浓度5.2%,腐蚀时间120 min。制备的纳米多孔硅粉为介孔材料,表面存在大量的硅-氢键,比表面积达58.2264 m2·g-1。制备的多孔硅/高氯酸钠复合材料能剧烈燃烧,伴有爆燃现象,能用作绿色点火药剂或燃烧剂。; 付琼刘玉存柴涛于雁武于国强刘媛; 关键词：化学腐蚀

纳米多孔硅粉的制备及其在含能材料中的应用: 纳米多孔硅(nano porous silicon,nPS)是一种在硅表面形成微纳米多孔结构的硅基底材料，被广泛应用于电子元件、发光元件、生物传感器以及MEMS含能器件中。自20世纪50年代发明以来，受到了广泛的关注。1...; 付琼; 关键词：含能材料燃烧温度

炸药输出能量在鉴定块中衰变过程的数值模拟被引量：1: 2011年; 应用ANSYS建立实验所采用的钢凹实验物理模型,通过LS-DYNA3D有限元分析程序,对钢鉴定块上炸药作用时炸坑深度进行数值模拟。结果表明,钢凹值随着压药密度的增加而增加。; 智丽娜赵倩付琼; 关键词：有限元分析数值模拟

多孔硅制备方法及其含能材料爆炸性能研究: 本文研究了多孔硅基片状及粉末状的制备方法及爆炸性能。采用高氯酸钠为氧化剂，制备了多孔硅/高氯酸钠复合含能材料。分析了其理化性质及各因素对多孔硅基含能材料的燃烧性能的影响，内容包括以下9个方面： (1)采用电阻率为0.02...; 付琼; 关键词：多孔硅高氯酸钠; 文献传递

一种碳化钛的制备方法: 本发明涉及一种高硬材料合成方法，具体为一种碳化钛的制备方法。其反应前驱物成分为TiO2和活性碳，将反应前驱物与奥克托今炸药放入一侧开口的反应容器内，引爆奥克托今炸药使前驱物中的TiO2</...; 于雁武石琼刘玉存柴涛王建华袁俊明张包民刘登程付琼尹政李帅

多孔硅粉的制备及其含能材料性能测试被引量：1: 2016年; 以多晶硅粉为原料,利用化学腐蚀法制备多孔硅粉(porous silicon,PS),利用全自动比表面积仪及扫描电镜对多孔硅粉进行表征.以PS为燃烧剂,高氯酸钠(NaClO4)为氧化剂,制备了PS/NaClO4复合含能材料.热成像仪检测了PS/NaClO4燃烧时的火焰温度,同时测试了该复合含能材料的火焰感度及机械感度.结果表明:经过化学腐蚀后,硅粉颗粒表面产生了大量的纳米孔洞,形成多孔硅.同样的腐蚀条件下,原料硅粉平均粒径越小,所制得的多孔硅样品比表面积越大.与Si/NaClO4相比,PS/NaClO4复合含能材料燃烧时最高火焰温度从2 114℃上升至2 444℃,两种复合材料的火焰感度相当,摩擦感度提高了63.6%,撞击感度则降低了60%.; 付琼刘玉存王建华于雁武; 关键词：火焰温度感度

多孔硅/高氯酸钠含能材料爆炸性能研究被引量：2: 2011年; 采用电化学阳极氧化法在P型单晶硅基片上生成多孔硅层,利用重量法计算出多孔硅层的孔隙率。在多孔硅孔隙中填充高氯酸钠,制备多孔硅/高氯酸钠含能材料,并对其进行了电压感度测试。结果表明:生成多孔硅层的孔隙率最高可达到85%;按照GJB 772A-97标准对多孔硅/高氯酸钠进行摩擦感度测试,爆炸概率为84%;用Ni-Cr桥丝对样品起爆,当电容为33μF时,多孔硅/高氯酸钠的发火电压为25V。; 付琼刘玉存于雁武; 关键词：多孔硅高氯酸钠孔隙率摩擦感度

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付琼