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应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究被引量：3: 1992年; 用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66.; 潘士宏刘毅张存洲张光寅冯巍周钧铭; 关键词：应变层光调制反射谱

Persistent multiferroicity without magnetoelectric effects in CuO: 王芬邹涛刘毅闫丽琴孙阳; 关键词：CUO 磁电耦合

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刘毅