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刘铭
作品数:
88
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供职机构:
中国电子科技集团第十一研究所
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
文化科学
金属学及工艺
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合作作者
王经纬
中国电子科技集团第十一研究所
周立庆
中国电子科技集团第十一研究所
邢伟荣
中国电子科技集团第十一研究所
王丛
中国电子科技集团第十一研究所
周朋
中国电子科技集团第十一研究所
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中国电子科技...
作者
88篇
刘铭
33篇
王经纬
29篇
周立庆
27篇
王丛
27篇
邢伟荣
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周朋
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2015
3篇
2014
6篇
2013
共
88
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一种基于InAs的APD结构的制备方法
本发明公开了一种基于InAs的APD结构的制备方法,包括:以InAs衬底为基础,在所述InAs衬底上生长有掺杂的n<Sup>+</Sup>‑InAs层、有源层、掺杂的p‑InAs层以及掺杂的p<Sup>+</Sup>‑I...
邢伟荣
刘铭
周朋
胡雨农
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硅基缓冲层及其制备方法
本发明公开了一种硅基缓冲层及其制备方法。硅基缓冲层的制备方法,包括:获得原子级别洁净的的Si片;依次打开As束流源、Te束流源,对Si片的正面进行钝化;交替打开Zn束流源和Te束流源,在钝化后的Si片的正面外延ZnTe缓...
王丛
刘铭
高达
周立庆
文献传递
一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置
本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置,所述方法具体包括以下步骤:在InSb衬底上生长InAlSb薄膜,测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<Sub>InAlSb测量</...
周朋
刘铭
折伟林
邢伟荣
尚林涛
Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法
本发明公开了一种Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。该方法包括:进行外延级Si衬底清洗,去掉Si衬底的自然氧化层,形成人为氧化层;对Si衬底进行氧化层去除,并进行As钝化;采用迁移增强MME的方式生长ZnTe缓...
王经纬
巩锋
王丛
刘铭
强宇
文献传递
一种石墨烯基碲镉汞材料及其制备方法
本发明公开了一种红外探测材料及其制备方法。本发明的红外探测材料,包括红外光吸收层和电荷传输载体层;所述电荷传输载体层布设在所述红外光吸收层上;其中,所述电荷传输载体层由石墨烯材料制备得到。本发明实施例利用石墨烯材料作为光...
喻松林
刘铭
张永哲
孙浩
吴卿
周立庆
文献传递
一种集成式红外探测装置的制备方法
本发明公开了一种集成式红外探测装置的制备方法,通过在一块红外探测器芯片上集成凝视型和扫描型两种功能的芯片,形成既具有凝视成像功能又具有扫描成像功能的红外读出电路,能够快速切换成像模式,集成了凝视成像的实时性和扫描成像高灵...
刘铭
喻松林
周立庆
孙浩
周朋
王静
文献传递
一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法
本发明涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本发明的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料,包括:硅基复合衬底,以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层,所述碲镉汞...
王经纬
高达
王丛
刘铭
强宇
周立庆
文献传递
一种硅基复合衬底的外延方法
本发明公开了一种硅基复合衬底的外延方法,具体包括以下步骤:在硅片上外延碲化镉形成硅基复合衬底;在分子束外延系统的腔室中,在碲束流的保护下,对硅基复合衬底进行高低温退火,高低温退火包括升温过程和降温过程。借助于本发明的技术...
王丛
刘铭
王经纬
高达
强宇
文献传递
一种高温工作的红外探测器材料及其制备方法
本发明提供了一种高温工作的红外探测器材料及其制备方法,方法包括:处理锑化镓衬底,在处理后的锑化镓衬底上依次生长锑化镓缓冲层、铟砷锑刻蚀阻挡层、p型电极接触层、p型掺杂的中波吸收层、势垒层、n型电极接势垒层,势垒层按第一预...
邢伟荣
刘铭
郭喜
周朋
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碲锌镉晶体夹杂测试装置及方法
本发明公开了一种碲锌镉晶体夹杂测试装置及方法,碲锌镉晶体夹杂测试装置,包括:3D数控平台,用于放置碲锌镉晶体并自动调整碲锌镉晶体的位置;光源组件,位于3D数控平台的一侧,光源组件用于将波长为λ的近红外光汇聚至3D数控平台...
李乾
申晨
王丛
折伟林
刘铭
吴卿
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